利用Ce：KNSBN非线性衍射特性实现光学图像边缘增强

在Ar^ 514.5nm e光波混频写入和He-Ne632.8nme光读出条件下实验测量了Ce:KNSBNI光折变晶体体光栅的衍射特性,发现光栅衍射效率随光栅条纹调制度的变化呈一环状。然后将Ce：KNSBN晶体置于相干匹配滤波系统的傅里叶频谱平面,利用晶体体光栅的环状非线性衍射特性, 写入参－物光强比无反转条件下邮实时光图像边缘增强处理。     

同时测量Ce:KNSBN晶体两波耦合指数增益系数和吸收系数的一种方法

本文利用光折变晶体中双光束耦合的有关理论，提出了一种同时测量光折变晶体中双光束耦合指数增益系数和吸收系数的新方法，并用Ce：KNSBN晶体进行了实验研究．     

单光束泵浦高反射率的KNSBN:Ce晶体的相位共轭镜

提出了一种利用单光束泵浦产生共轭光的方法,并用此方法采用KHNSBN:Ce光折变晶体实现了高反射率的相位共轭镜。     

LiNbO3晶体中光折变光栅各向异性衍射的定量研究

对LiNbO3晶体中光折变光栅的各向异性衍射进行了定量研究。基于有效电光系数非零和布拉格相位匹配条件,对在LiNbO3晶体中各向异性衍射的衍射效率与光束偏振态和写入几何的关系进行了较为详细的理论计算和分析,根据建立的数学模型进行了数值计算,发现光轴垂直于写入平面时,写入的光栅可发生显著的各向异性衍射。实验测量与理论计算结果基本符合。     

基于偏振的光矩阵开关

提出了一种新型的基于偏振的光矩阵开关方法 ,通过控制光的偏振态实现严格无阻塞连接。以 4× 4光矩阵开关为例 ,详细给出了其节点开关和交换网络的实现方案。并对该 4× 4光矩阵开关进行实测 ,证明该方法制作的小规模光矩阵开关具有插损低 ,串话小 ,开关时间中等 ,性能稳定 ,工艺成熟等特点。     

双光束磁光读出系统的偏振态分析

磁光存贮中信号读出的原理是磁光克尔效应。本文利用琼斯矩阵分析了双光束磁光存贮中信号读出系统偏振态的传输情况，并推导出读出信号的表达式；文中还分析了如何选取与读出信号的有关的光学元件的参数。     

双光束磁光读出系统的偏振态分析

磁光存贮中信号读出的原理是磁光克尔效应。本文利用琼斯矩阵分析了双光束磁光存贮中信号读出系统偏振态的传输情况，并推导了读出信号的表达式；文中还分析了如何选取与读出信号有关的光学元件的参数．     

Ce：Fe：LiNbO_3在红光波段的光折变特性

研究了掺铈、铁ＬｉＮｂＯ３（简写为Ｃｅ：Ｆｅ：ＬＮ）晶体在６３３ｎｍ波段的光折变特性．其光折变灵敏度约为４００ｍＪ／ｃｍ２，指数增益系数约为４５ｃｍ－１。用该晶体记录的傅里叶变换全息图分辨率超过７０ｌｐ／ｍｍ。     

Ce：Nd：LN晶体的生长及光折变效应的研究

本文报道了Ce:Nd:LN晶体的生长、光折变灵敏度和位相共轭效应,并对光折变的产生机理进行了探讨。     

半导体光放大器的偏振光开关性能改进

半导体光放大器(SOA)非线性偏振旋转效应的光开关具有开关速度快、易集成等优点,其开关操作可以通过改变注入SOA中的电流而获得。这种偏振光开关的性能主要受注入光功率与控制电流的大小范围来决定。基于SOA中的偏振主态的概念,分析了非线性偏振旋转效应与控制电流的关系,并对不同功率的注入光进行了偏振旋转实验,分别实现了偏振光开关的操作。实验结果表明:随着注入光功率的增加可以提高光开关的分光比,有效改进光开关的性能。当注入光为5 dBm时,光开关的分光比与消光比均可达到30 dB。     

Cu：KNSBN晶体中光折变波导诱导532nm连续光自泵浦相位共轭

在原来用８ｍＷ连续５３２ｎｍ激光不能产生自泵浦相应共轭的入射角下．先用锁模５３２ｎｍ的ｐｓ激光脉冲在Ｃｕ：ＫＮＳＢＮ晶体中预制一条光折变波导，就很容易用连续５３２ｎｍ激光形成自泵浦相位共轭。预制的光折变波导在一般照明条件下可保存３０ｍｉｎ以上。     

Ce:KNSBN光折变光纤两波耦合特性研究

研究了掺铈钾钠铌酸锶钡(Ce:KNSBN)光折变光纤"扇"特性及两波耦合的基本特性.通过实验发现,当入射光的入射角为8°左右时,"扇"最小,这与块状晶体有根本的不同.在信号光与抽运光的入射夹角2θ小于11°时,两波耦合增益随入射夹角的增大而增大,而当入射夹角大于11°时,两波耦合增益随着入射夹角的增大而迅速减小.给出了在各个不同的入射夹角下,两波耦合增益中透射的信号光的时间特性曲线.两波耦合增益随信号-抽运比的增加而增加,在入射夹角为8°,信号-抽运比为1:1000时,两波耦合增益达到了77,比块状晶体相应条件下提高了4倍.用两波耦合的理论公式对增益随信号-抽运比的实验数据进行了拟合,二者相符.     

利用光折变晶体Cu：KNSBN实现图像增强

利用置放于相干系统的傅里叶交换平面的光折变晶体Ｃｕ：ＫＮＳＢＮ在一定条件下完成了图像增强处理，由于晶体内部的位相共轭效应而在变换平面形成拉普拉斯算子．给出实验结果和扼要的理论分析。     

掺铜锗酸铋晶体的生长及其光折变性能的研究

本文叙述了掺铜锗酸铋晶体的生长；测试晶体的指数增益系数、衍射效率、相位共轭反射率和响应时间。掺铜锗酸铋晶体的光折变性能比纯锗酸铋提高２～３倍。     

基于掺杂电光材料一维光子晶体的光开关

设计了新型的光开关器件,该器件建立在掺杂电光材料的一维光子晶体上.运用传输矩阵法研究掺杂电光材料的一维光子晶体的传输特性.结果发现对特定缺陷模频率的光波,可以通过加在掺杂电光材料的电场来控制光信号的通断.当外加交变电场时,一维光子晶体周期性地输出脉冲.输出脉冲的间隔周期是外加电场的一半.     

光控光开关的研究进展

对前人提出了多种光开关的方案和最新研究成果进行了概括和总结,按照光开关所能处理的信号类型,将其分为两类,即基于二光平的光控光开关和基于ＲＺ码（弧子）的光控光开关,分析和研究了其工作原理和开关特性,对两类光开关的性能进行了比较。