压缩封接及其应力计算公式简介

在半导体器件中,长期以来,多利用匹配封接的方法获得绝缘零件(亦称外壳)。其主要选用的材料为钼组玻璃与可伐合金相封接。众所周知,可伐合金的价格是昂贵的,将使产     

第三批元器件引线可焊性统测合格一览表

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一种测量小功率二极管及其它中小功率半导体器件热阻的简易方法

半导体器件的功率极限是由它的热阻决定的,要决定一种新器件的最大使用功耗,就必须首光测量热阻.但DO-35玻封二极管的管壳很小,无法直接测量其管芯的温度,从而算出热阻.为此,笔者设计了一种利用半导体器件温度特性测量热阻的方法,避免了复杂的设备和直接测量管芯温度的困难,只要一块数字式万用表就能完成热阻测量,且测量误差小于10%.此外,这种方法可方便地推广到各种其它封装形式的中.小功率半导体器件上,特别是适用于塑料封装和陶瓷封装等无其它方法测量热阻的器件.     

亚微米半导体器件模拟方法的探索

本文综述了近十年来半导体器件模拟的发展概况，阐述了漂移扩散模型（ＤＤＭ）、流体动力学模型（ＨＤＭ）、玻耳兹曼模型（ＢＴＭ）、全量子模型（ＱＴＭ）的各自适用范围，概括了玻耳兹曼的一些新解法，ＨＤＭ，ＢＴＭ适合于亚微米半导体器件的模拟。     

玻封二极管失效模式及其分析

具有低损耗、高耐热性、高耐湿性和耐压寿命长、难燃、小型、轻量化的电视机配套用玻璃钝化封装硅二极管(以下简称玻封二极管),是国内近几年发展起来的更新换代产品,也是国内可靠度最先达到W级的半导体功率器件.随着电子技术迅速发展,玻封二极管的使用将渐趋普遍,并在一些场合起着关键作用.     

BL—1型玻封二极管半自动综测仪

为提高我厂玻封二极管质量、提高测试速度,满足车间大批量生产的需要,我们设计制造了该种仪器。 本仪器能对各类玻封二极管按部颂标准进行全部参数做自动检测。全部15个项目在不足1秒钟内完成,然后将参数的判别结果(合格与否)、被测管的分类(品种、档级)分别由发光管和白炽灯泡显示出来。此外还可“手动”逐项测试,测量结果除用指示灯显示外,还可从面板上直流电表读取实测参数值。     

电泳法制造玻璃钝化微波半导体器件

本文系统地阐述了玻粉电泳沉积的基本理论和规律,并推导了玻粉电泳沉积的动力学方程;论述了用此技术制造微波半导体器件的工艺原理、特点和途径。所制器件寄生参量小、可靠性高,在毫米波电路中显示出极大的优越性。     

玻璃封装发光二极管

国内的LED(发光二极管)都是采用环氧树脂进行封装.用玻璃封装的LED其特点是:点光源、视角大、体积小、可靠性高.它的外形与普通玻封二极管相同,使用十分方便.最近,我们设计制造了两种玻封LED,型号为BF-1(绿光)、BF-2(红光).该玻封LED采用国外二极管DO-35规格封装,其体积仅为一般(?)5环氧树脂封装LED的二十分之一,因此也可称为微型LED.     

GKZ-A型石英与钨的高温扩散封接

石英玻璃广泛地应用于高功率的放电器件和电光源中.由于石英的膨胀系数比钨小很多,不能直接封接.过去主要采用多道过渡玻璃封接或钼箔封     

DO－35型玻封二极管引进简介

ＤＯ－３５型玻封二极管引进简介Ａ公司１９９１年９月引进生产设备，１０月份安装调试，１１月份试产及批量生产。现今仅使用一台隧道炉（台湾制造）生产玻封ＤＯ－３５型二极管，三班制（每班１０人）２４小时连续生产，日玻封已超３００万支，月产量８０００万支。现有...     

半导体器件的预辐射技术

本文介绍一种半导体器件预辐射技术,这种技术可将半导体器件的辐射损伤消除,使器件的性能参数恢复到辐射前的水平。这种技术被应用于半导体器件加固保证的筛选和被辐射器件性能衰降的精确预测,是加固半导体器件研制生产中的一种早期技术,但目前也有现实意义。     

密封半导体器件中多余物的提取和控制研究

高低温循环可以加速暴露出密封半导体器件中的可动多余物。为了提取多余物,改进了传统开洞PIND法。第一,通过对大量的金属封装进行开孔试验,得出最佳盲孔厚度为25~30μm的重要工艺参数,为指导金属封装多余物的提取提供量化依据;第二,在开孔工艺中用三棱锥针取代传统的圆锥针,减少了因开孔产生多个卷边易产生封帽碎屑的风险;第三,采用有色有机溶剂对封帽局部染色的工艺标识封帽碎屑,改善传统方法中难以区分外引入物和内多余物的缺陷。介绍了将3种新工艺应用于一种微波功率管的案例,成功地提取出金锡焊料多余物,整改工艺缺陷后PIND第一次失效率得到大幅的降低,论证了开洞PIND法是一种提取腔体半导体器件多余物的科学、可靠的技术方法,其改进工艺还在不断地涌现。     

横向场发射三极管

利用薄膜边缘场发射阴极设计的三极管、阴极、栅极和阳极是平面结构，因此极间电容小，适合应用于高速和高频电路。它在工艺上与半导体器件兼容，工艺比较简单，是真空微电子集成电路中的有源器件，它有着广泛的应用前景。     

电力半导体器件的发展及应用

本文综述论述了电力半导体器件在电力变换上的应用以及当前电力半导体器件的技术水平和未来发展方向。     

半导体器件和集成电路水汽含量控制的研究

半导体器件和集成电路水汽含量偏高,会影响产品的电性能和可靠性。随着可靠性要求的提高,半导体器件和集成电路的内部水汽含量要求控制在5×10^-3以下。导致水汽含量偏高的原因有3个方面：一是壳体的密封性能差;二是预烘焙不够充分或封帽时控制不当：三是封帽时氮气的纯度不高。针对这3个方面因素分别提出了相应的解决办法,将封装产品的水汽含量稳定地控制在5×10^-3以下,一般内控指标要求在2×10^-3以下,才能保证产品批次性质量要求,从而提高产品的可靠性．     

科利登:立志成为中国ATE第一

记者:请您介绍一下科利登的产品主要应用于半导体行业的哪些领域? Bart:科利登公司的产品覆盖从设计到测试解决方案.她提供各式各样半导体器件的测试设备,主要生产应用于模拟、数字、非挥发性内存(NVM)、混合信号、系统级芯片(SoC),以及当今汽车、便携计算机、消费类、通信产品特别应用的无线半导体器件.     

彩管“电封吸陷”消除方法

引言电封即电封离,是在显象管排气结束时,利用电封炉炉芯在设定的外加电压下所产生的热量加热显象管排气管(以下简称排气管)玻璃,排气管玻璃受热软化后在内外压差作用下形成正常玻珠(如图1),从而使真空管系统和外界隔离;并经一定时间的保温、退火,以减小封离处的残余应力值。“电封吸陷”未能形成正常玻珠,从而在封离处产生过大的残余应力,造成显象管的慢性漏气或封口处炸裂。我厂18、20、21英寸彩色显象管以往生产中,“电封吸陷”所占比例高达10%左右。     

PSG膜的潜力

PSG膜是最早应用于半导体器件的表面钝化技术,随着电子工业的发展,逐渐应用于掺杂技术和表面平坦化技术,本文对这三方面的应用作简要分析。     

电力半导体器件的发展及应用

本文综合论述了电力半导体器件在电力交换上的应用以及当前电力半导体器件的技术水平和未来发展方向。     

可伐合金与玻璃一步封接工艺的研究

研究了玻璃与具有Fe3O4氧化膜的可伐合金的封接工艺。结果表明最佳熔封温度为980℃,熔封时间为30 min。在此基础上,开发出将脱碳、氧化和熔封集于一个升降温周期的一步封接工艺。该工艺是将未氧化的可伐合金和玻坯首先升温至500℃并氧化40 min,而后升温至980℃并保温30 min,最后缓慢降至室温。结果表明,当采用该工艺时,与传统工艺相比不仅能简化操作,而且封接件的封接质量更高、可靠性更好。