锯齿状AlN纳米线的光学性质研究

利用共聚焦拉曼光谱仪、傅里叶变换红外光谱仪和荧光光谱仪对电弧法合成的锯齿状AlN纳米线进行光学性质的表征,研究氮化铝纳米线的缺陷发光机理。结果表明,锯齿状AlN纳米线具有较好的结晶质量和较小的内应力;由于锯齿状纳米线的表面效应和横纵光学振动模式接近,在400～1000cm-1出现宽化的红外吸收带。     

氨气退火对ZnO纳米线阵列光致发光性质的影响

采用水热方法在Si（100）衬底上制备ZnO纳米线．利用提拉法在Si衬底上首先制备ZnO晶种层,然后利用水热法在晶种层上生长ZnO纳米线．在不同温度下的NH。气氛中,对zn0纳米线进行退火处理．系统地研究了NHs退火对ZnO纳米线光学性质的影响,在低温光致发光光谱中观察到了-9氮受主相关的光发射,并通过自由电子一受主辐射复合光发射确定受主离化能为129meV．实验结果还表明,随着退火温度的升高,施主一受主对辐射复合发光呈现了微弱红移现象．在700℃退火的条件下制备的ZnO纳米线的低温PL谱中,观察到较为明显的自由激子光发射,并采用理论拟合进行证明．     

纳米ZnO的可控生长及光致发光性能

为研究准一维纳米氧化锌的生长机理和光致发光性能,以预先氧化处理的锌粉为原料,采用化学气相法,在高温程控管式炉中通过调节温度、调控N2/O2混合气的比例和气体的压强等因素来控制纳米ZnO的形貌和光致发光特性。扫描电子显微镜(SEM)测试显示:合成的ZnO纳米线结构受温度,氧气分压影响较大;XRD衍射图谱显示:该纳米ZnO为六方纤锌矿结构,温度在900℃时最适合晶体纳米结构的生成,随着氧气流量的减少,c轴优势生长愈加明显;光致发光测试显示:其发光特性随着生长过程中温度的升高,氧相对含量的减少,蓝紫光发射减弱、蓝绿光发射明显增强,这种红移现象有力支持了氧空位和锌填隙是引起蓝绿光发射增强的主要原因。     

单晶氮化硅纳米线的合成制备与光致发光性能研究

本文采用氮气保护高能球磨及硅粉直接氮化工艺制备高纯、单晶氮化硅纳米线。使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)和激光共聚焦显微拉曼光谱仪对实验产物的物相结构、微观结构及光学性能进行分析。在室温下使用325nm激光对样品进行激发,观察到样品具有较宽的发射光谱,波长范围为350~670nm;发光光谱中存在三个由缺陷跃迁引起的发光峰。     

Ni+离子注入AlN薄膜的磁性研究

用40 kV的Ni+离子在室温下对玻璃衬底上生长的AlN薄膜进行离子注入,注入剂量为5.0×1016 ions/cm2,在N2气氛下分别经400℃,600℃退火1h后,用超导量子干涉仪分析样品磁学特性.结果表明,Ni注入AlN薄膜未退火样品显示铁磁性;经400℃退火后铁磁性增强,居里温度大于室温;经600℃退火后样品铁...     

一种PPV衍生物的合成表征及光致发光特性

介绍了一种新型聚对苯乙炔(PPV)衍生物材料-聚2,5-二丁氧基-1,4-对苯乙炔(PDBOPPV)的合成和表征,并在室温下研究了其光致发光特性,与另一种可溶性PPV衍生物聚2-(2-乙基已氧基)-5-甲氧基苯乙炔(MEHPPV)进行了比较.结果表明,随着样本溶液浓度的增加波长红移,前者比后者具有更长的发光波长.     

AlN纳米线阵列的光学性质及第一原理计算

为了制备均匀的宏观AlN纳米线阵列,采用化学气相沉积法在二次模板上成功地合成了AlN纳米线宏观阵列.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、电子能谱仪和紫外-可见光光度仪测试了AlN纳米线阵列的结构、形貌和紫外发光性能.结果表明,AlN纳米线阵列分布均匀,AlN纳米线的平均直径与平均长度分别约为41 nm和1. 8μm. AlN纳米线的分布密度约为5. 4×107mm-2,其覆盖率约为7. 1%. AlN纳米线在150～310 nm范围内具有很好的吸光性能.利用第一原理计算得到的AlN纳米线光学性质与实验结果相符.     

多晶硅太阳能电池材料性能的光致发光实验研究

报道了多晶硅太阳能电池材料的光致发光研究实验结果，给出了多晶硅样品光发光相对强度的二维扫描记录和晶粒边界附近相对发光强度及相差变化的实验曲线。     

硼酸盐为基质光致发光材料的研究

本文总结近年采用高温固相法合成的一系列以硼酸盐为基质的荧光材料，讨论其发光性能、晶貌、发光机理，并介绍了研究的简况。     

Sb2S3纳米线合成和表征

一维半导体纳米材料是目前科学界的研究热点,Sb2S3具有很高的光敏性能和热电性能,在光电和太阳能应用方面具有很好的潜质.本文通过简单的水热法合成出了大量的Sb2S3单晶纳米线,纳米线直径约为60nm,长度达到几个毫米.用系列复杂的分析测试手段,包括X射线粉末衍射,高分辨像,和选区电子衍射等对纳米线的晶体结构进行了表征,结果显示Sb2S3纳米线属于单一的Sb2S3正交相.紫外-可见光吸收光谱实验显示纳米线能带宽度大约是1.5eV.     

溶剂热法制备CuSe纳米线薄膜

以铜片和硒粉为原料,苯为溶剂,通过调控反应物的配比、反应物浓度、反应温度和反应时间等因素,采用溶剂热法直接在铜基底上制备出六方晶系的硒化铜纳米线薄膜.分别利用X-射线转靶衍射仪(XRD),场发射扫描电子显微镜(FESEM),透射电子显微镜(TEM)表征了产物的晶体结构与形貌,探索了CuSe纳米线薄膜的形成过程,并使用荧光分光光度法(PL)对最终产物的性质进行了表征.实验结果表明:这种CuSe纳米线的直径为100～200 nm,长度为5μm,其荧光发光峰为301 nm.     

CdS纳米线的溶剂热合成及其光催化产氢性能

采用乙二胺溶剂热法制备了CdS纳米线(NWs),探究了乙二胺用量及晶化条件对CdS NWs的组成、结构、形貌、比表面积、光吸收性能、电化学性能和光解水产氢性能的影响．结果表明,优化条件下制得的CdS NWs长径比可达550、径向直径约50 nm且分散良好．在可见光驱动的光催化分解水产氢实验中,CdS NWs的产氢速率可达316μmol·g^-1·h^-1,与不加乙二胺的硫化镉相比提高了3.0倍．在产氢循环实验中,反应进行到第4个循环时的产氢速率约为初始值的81%,具有良好的稳定性,这为一维CdS NWs在光催化分解水制氢中的进一步改性提供了基础．     

大尺度Co9S8纳米线超声喷雾热解制备

以CoC l2.6H2O和CS(NH2)2为先驱物,运用超声喷雾热解法在300℃的玻璃衬底上成功地制备了Co9S8纳米线,所得Co9S8纳米线的直径约为500 nm.利用X射线衍射(XRD)、光学显微镜分别对产物的物相和形貌进行了表征,同时讨论了产生大尺度纳米线的软模板机理.     

钼氧化物/聚合物同轴纳米线的制备与表征

利用水热法首先合成三氧化钼纳米线,然后通过原位聚合法在三氧化钼纳米线表面分别进行导电聚合物聚吡咯(PPy)、聚噻吩(PTh)和聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)的包覆,而得到三氧化钼/聚合物同轴纳米线的方法,并利用X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、扫描电子显微镜、紫外可见光谱等手段对其进行了表征和分析,结果表明,聚合物包覆后的同轴纳米线形貌保持良好,并在光电效应应用方面有着较大潜力。这种原位聚合的方法同样可以被应用于其他聚合物包覆结构材料的合成。     

碳热还原法制备SiC纳米线及其结构表征

采用简单的碳热还原法,以碳粉和Si02微粉分别作为碳源和硅源,在1550℃高温真空气氛箱式炉中制备SiC纳米线。并利用X射线衍射（XI国）、扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）、傅里叶变换红外（FTIR）等测试手段对反应产物进行组分、形貌和结构表征。研究结果表明：产物为直线六棱柱形状的β-SiC纳米线,直径在50～300nm之间,纳米线内部含有较多的堆垛层错;纳米线主要以气-固（VS）机制生长。     

氮化铝纳米线的合成与表征

在氮气和氨气气氛(P_N2∶P_NH3=1∶1，总压强为8×10⁴Pa,电压为20～28 V,电流为60～62 A的条件下，采用直流电弧等离子体法成功地制备出直径为20～200 nm、长度达到20 μm的AlN纳米线.利用x-射线衍射仪、扫描电镜、高分辨透射电镜和x-射线能谱仪等仪器对AlN纳米线形貌及结构进行观测与分析.AlN纳米线为六方晶态，属钎锌矿结构，并对AlN纳米线生长机理进行了研究.     

大尺度NiS2纳米线的超声喷雾热解制备

以NiCl2·6H2O和硫脲为前驱液,在350℃的玻璃衬底上,通过超声喷雾热解技术与软模板相结合,成功地制备了产率较高的二硫化镍大尺度纳米线．利用X射线衍射仪（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、偏光显微镜分别对产物的物相和形貌进行了表征．结果表明：所制备的NiS2纳米线沿（200）晶面具有明显的取向生长,长径比约为25：1,并对其生长机理做了初步的探讨．     

纳米镍粉的制备工艺研究

通过氢、氩混合直流电弧等离子体法制得镍纳米粉的研究,作者探索出制备镍纳米粉的最佳工艺条件,结果表明影响产率、粒径、粒度分布的主要因素有：电弧电流、氢气的含量、气流速度等。     

In、Sn共掺杂ZnO纳米线的制备及其气敏性能研究

为了改善纯ZnO纳米线的气敏性能,采用物理蒸发法制备出In、Sn共掺杂的ZnO纳米线,利用XRD、SEM、TEM对产物的形貌、结构进行表征,采用CGS-1TP智能气敏分析系统对其进行酒精气敏性能测试.结果表明,制备出的In、Sn共掺杂ZnO纳米线具有六方纤锌矿结构,平均直径约为80nm,In元素与Sn元素的掺杂量分别为0.12%和1.1%.在最佳工作温度225℃条件下,对气体浓度为400ppm的酒精蒸气的灵敏度S(Ra/Rg)为39.06,响应-恢复时间分别为9s和5s,比同等测试条件下纯ZnO纳米线的灵敏度提高63.9%,响应-恢复时间分别缩短1s和2s.     

Preparation and Characterization of Amorphous Silicon Oxide Nanowires

Large-scale amorphous silicon nanowires （SiNWs） with a diameter about 100 nm and a length of dozens of micrometers on silicon wafers were synthesized by thermal evaporation of silicon monoxide （SiO）. Scanning electron microscope （SEM） and transmission electron microscope （TEM） observations show that the silicon nanowires are smooth. Selected area electron diffraction （SAED） shows that the silicon nanowires are amorphous and en-ergy-dispersive X-ray spectroscopy （EDS） indicates that the nanowires have the composition of Si and O elements in an atomic ratio of 1：2,their composition approximates that of SiO2. SiO is considered to be used as a Si sources to produce SiNWs. We conclude that the growth mechanism is closely related to the defect structure and silicon monoxide followed by growth through an oxide-assisted vapor-solid reaction.