一种新型的~（68）Ge－~（68）Ga同位素发生器

找到一种６８Ｇｅ－６８Ｇａ同位素发生器的新载体──二氧化铈（ＣｅＯ２）。在研究锗及镓在二氧化铈上吸附行为的基础上制备了试验性６８Ｇｅ－６８Ｇａ发生器，找出了发生器的最佳操作条件，对淋出液进行了放射性纯度及非放射性杂质的检测．并用淋出的６８Ｇａ进行了脂质体的标记实验．     

^68Ge—^68Ga发生器的研制——^68Ge—^68Ga发生器的稳定性研究

研究了不同时间间隔淋洗６８Ｇｅ－６８Ｇａ发生器时，６８Ｇａ的淋洗曲线、淋洗效率、６８Ｇｅ的穿透率、流出液中的Ｓｎ含量及温度对６８Ｇａ淋洗效率的影响。实验结果表明，用１ｍｏｌ／ＬＨＣｌ淋洗以ＳｎＯ２为吸附剂的６８Ｇｅ－６８Ｇａ发生器，每次淋洗间隔时间１－１４天不等，历经半年时间的淋洗，６８Ｇｅ的穿透率保持在１０－７数量级，淋洗液中的Ｓｎ含量保持在４×１０－７以下。６８Ｇａ淋洗曲线的形状未发生变化，６８Ｇａ的淋洗效率为５５％—７５％，淋洗时间间隔变化不影响淋洗效率，温度对淋洗效率有较大影响。     

自制SnO2·xH2O对68Ge-68Ga发生器吸附性能的影响

用自制的ＳｎＯ２·ｘＨ２Ｏ经热处理后作为＾６８Ｇｅ－＾６８Ｇａ发生器的吸附剂,用模拟试验的方法研究了Ｇｅ的吸附与Ｇａ的淋洗。结果表明,自制ＳｎＯ２·ｘＨ２Ｏ对Ｇｅ有较好的选择吸附性能,２．０ｍＬ０．１ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ溶液对＾６８Ｇａ的淋洗效率可达８８％。     

^68Ge—^68Ga发生器的研制—硅胶柱上^68Ge与Ga,Cu,Zn的分离

测量了硫酸介质中Ｇｅ在硅胶上的分配比及Ｇａ、Ｃｕ、Ｚｎ在硅胶上的吸附。研究了硫酸浓度、Ｇａ浓度及原始溶液中Ｇｅ载体量对Ｇｅ分配比的影响。实验结果表明：用１０ｍｍ×３０ｍｍ硅胶柱，上柱料液为５０ｍＬ０．４μｇ／ｍＬＧｅ－０．２８ｍｏｌ／ＬＧａ－９ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ４溶液，淋洗液为３０ｍＬ９ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ４，流速为０．８５ｍＬ／ｃｍ２·ｍｉｎ时，Ｇｅ的穿透率为０．３９％，Ｇａ、Ｃｕ、Ｚｎ的去污系数分别为１．８×１０６、５．０×１０６、２．６×１０６。     

萃取法制备无载体68Ge的工艺研究

研究了在Ｃｙｃｌｏｎｅ－３０回旋加速器上利用核反应＾６９Ｇａ（ｐ,２ｎ）＾６８Ｇｅ制备无载体＾６８Ｇｅ的工艺条件,并研制成生产＾６８Ｇｅ的半自动化装置,提出了一种固体靶制备方法,靶材料为Ｇａ４Ｎｉ合金,质子能量Ｅｐ＝２０ＭｅＶ,辐射过的靶子用硝酸溶解,然后通过液液萃取系统分离＾６８Ｇｅ,经热实验验证＾６８Ｇｅ回收率〉９１％。     

心肌显像剂^68Ga（BAT—TECH）的一些基本常数测定

研究了心肌显像剂＾６８Ｇａ（ＢＡＴ－ＴＥＣＨ）的动力学性质，测定了它的热力学常数。实验结果表明，ＢＡＴ－ＴＥＣＨ与柠檬酸镓的配体交换反应为二级反应，反应速率常数ｋ为０．５０ｌ／ｍｏｌ．ｓ，反应活化能Ｅａ＝５６．６ｋＪ／ｍｏｌ；＾６７Ｇａ（ＢＡＴ－ＴＥＣＨ）的稳定常数Ｉｇβ＝１４。９，配体ＢＡＴ－ＴＥＣＨ的四级氢解离常数ｐＫ１＝４．６２，ｐＫ２＝７．６８，ｐＫ３＝８．６８，ｐＫ４＝１１．２。     

切伦科夫计数法直接测量放射性废水中的^90Sr—^90Y

建立了应用切伦科夫计数技术，不经化学分离直接测量放射废水中＾９０Ｓｒ－＾９０Ｙ－的方法。废水中的存在的大多数干扰核素通过ＨＰＧｅλ谱测量进行校正。对１０种放射性废水中的＾９０Ｓｒ－＾９０Ｙ进行了测量，并与放化分析结果比较，结果表明对于大多数废水样品，这个方法是成功的。     

^95Zr,^140Ba和^147Nd产额的精确测定

用ＨＰＧｅ直接γ射线能谱法绝对测定热中子和８ＭｅＶ中子诱发＾２３５Ｕ裂变的＾９５Ｚｒ、＾１４０Ｂａ和＾１４７Ｎｄ的产额。绝对裂变率用双裂变室测定,并首次根据测定＾１９８Ａｕ的γ放射性活度来检验裂变室的效率。同时给出产额的“快热比”,以编评热能值为标准得到８ＭｅＶ点的产额值。结果证明,在８ＭｅＶ能点处,产额值偏离随中子能量变化呈ｅ指数关系。     

70MeV质子束轰击^72Ge靶放射性核产生率的计算

在理论计算有有关截面能要当好地符合实验数据的前提下，用核反应模型ＳＰＥＣ程序计算了７０ＭｅＶ质子束轰击＾７２Ｇｅ及其化合物Ｚｒ５Ｇｅ３厚靶所产生的几种主要放射性核的产生率，其中＾７２Ａｓ和＾７１Ａｓ的产生率比国外的估算值高２－３倍。     

心肌显像剂~（68）Ga（BAT－TECH）的一些基本常数测定

研究了心肌显像剂￣（６８）Ｇａ（ＢＡＴ－ＴＥＣＨ）的动力学性质，测定了它的热力学常数。实验结果表明，ＢＡＴ－ＴＥＣＨ与柠檬酸镓的配体交换反应为二级反应，反应速率常数ｋ为０．５０ｌ／ｍｏｌ·ｓ，反应活化能Ｅ＿ａ＝５６．６ｋＪ／ｍｏｌ；￣（６８）Ｇａ（ＢＡＴ－ＴＥＣＨ）的稳定常数ｌｇβ＝１４．９，配体ＢＡＴ－ＴＥＣＨ的四级氢解离常数ｐＫ＿１＝４．６２，ｐＫ＿２＝７．６８，ｐＫ＿３＝８．６８，ｐＫ＿４＝１１．２。     

医用^188W—^188Re发生器的制备

采用酸性Ａｌ２Ｏ３为吸附剂制成医用＾１８８Ｗ－＾１８８Ｒｅ发生器，以生理盐水或生理盐水添加抗坏血酸为淋洗剂，并以真空快速淋洗，发生器在３个月使用期内，淋洗效率达７０％以上，＾１８８Ｗ的穿透率小于１０＾－４％，＾１８８Ｒｅ放射性核纯度和放射化学纯度均大于９９％。     

自动绝对测量^9^9Tc活度

由配备通用自动计数与数据处理装置的液体闪烁计数器，采用４πβ（Ｌ．Ｓ）－γ符合效率示踪两种方法绝对测量了＾９＾９Ｔｃ标准溶液的活度。用ＨＰＧｅγ谱仪分析测定了放射性纯度。结果纯度大于９９．９％，活度的总不确定度（３δ）小于３％。     

放化法测定^126Sn的半衰期

＾１２６Ｓｎ的半衰期值迄今有准确测量过，文献值 约１０＾５ａ。用放化法从反应堆辐照过的＾２３５Ｕ靶中分离出＾１２６Ｓｎ，用ＨＰＧｅ－Ｓ９０多道分析器测量它的活度；以裂变监测核＾９０Ｓｒ、＾１３７Ｃｓ计算Ｕ靶中发生的裂变数。     

135La(EC+β+)衰变的研究

用ＨｐＧｅ探测器和低本底普顿抑制谱仪研究了＾１３５Ｌａ的放射性衰变,实验得到单谱,康普顿抑制谱和γ－γ符合谱。根据实验数据得到＾１３５Ｂａ低激发态,γ跃迁的能量,强度和级联关系以及＾１３５Ｌａ衰变纲图。采用了角动量投影壳模型理论为＾１３５Ｂａ低激发态能级进行计算,并与实验值进行了比较。     

用四极质谱法测定从金属氚化物中释放的^3He

使用自行设计的超高真空金属系统和气体样品净化装置，以引进的Ｇａｓｔｒａｃｅ－ｓ型气体分析四极质谱计为分析器，以纯度为９９．９％的＾３Ｈｅ和＾４Ｈｅ气体为标准气样，对微量气体样品中Ｈｅ同位素的四极质谱峰高比测定法进行了实验研究。结果表明，Ｚｒ－Ａｌ活性气体吸收剂能在３９０ｓ内将活性杂质气体含量为４０．７％的＾３Ｈｅ气体样品净化到接近１００％。     

用主动式活性炭盒测定室内环境的^222Rn和^220Rn浓度

把φ１０ｃｍ被动式活性炭盒稍加改装后进行主动式空气采样，用高效率ＨＰＧｅγ谱仪测量＾２２２Ｒｎ／＾２２０Ｒｎ短寿命子体的３５２ＫｅＶ／２３９ＫｅＶ的γ射线净峰面积，经刻度后可财得到空气中＾２２２Ｒｎ的浓度，＾２２２Ｒｎ和２２０Ｒｎ的实测刻度因子分别为０．２６３Ｂｑ＾－１．ｍ＾３．ｍｉｎ＾－１和０．１８２Ｂｑ＾－１．ｍ＾３．ｃｍ＾－１，给出室内环境和经各种空气处理的试验性测量结果，＾２２２Ｒｎ浓度为     

47MeV／u的C^6^＋在CaVSn：YIG中辐照效应的研究

用兰州重离子研究装置（ＨＩＲＦＬ）首次进行了４７ＭｅＶ／ｕ的Ｃ＾６＾＋离子辐照ＣａＶＳｎ：ＹＩＧ的实验。通过穆斯堡尔效应和正电子寿命测量对４７ＭｅＶ／ｕ的Ｃ＾６＾＋离子在ＣａＶＳｎ：ＹＩＧ中的辐照效应进行了初步研究。发现辐照导致内磁场方向趋于各向同性分布，由穆斯堡尔谱未观察到非晶化现象。缺陷的数量随Ｃ＾６＾＋离子在样品中电子能量损失的增加而增加。     

^154Sm（n,2n）^153Sm和^148Sm（n,p）^148gPm反应测面的测量

报道了在Ｅｎ＝１４．５－１４．９ＭｅＶ中子能区用活化法以＾２７Ａｌ（ｎ，ａ）＾１４Ｎａ的反应截面为中子注量标准测得的＾１５４Ｓｍ（ｎ，２ｎ）＾１５３Ｓｍ和＾１４８Ｓｍ（ｎ，ｐ）＾１４８ｇＰｍ反应截面，并将其与已有的数据进行了比较，中子能量用铌锆截面比法测定。     

^14C—尿素的制备

报道了由Ｂａ＾１４ＣＯ２制备＾１４Ｃ－尿素的方法，Ｂａ＾１４ＣＯ３于８２０－８５０℃，通过干燥氨气加热反应２．５－３．０ｈ，制得ＢａＮ＾１４Ｃｎ；ＢａＮ＾１４Ｃｎ经过Ｈ２Ｓ水解制得＾１４Ｃ－尿素，放射性产率为８４％，产品经高效液相色（ＨＰＬＣ）分析，化学纯度为９９．８％，放射化学纯度〉９９．９％，比活度可按需要加入载体来调节。     

5.0MeV和9.5MeV快中子辐照在GaAs中产生的辐射损伤的正电子湮没研究

采用正电子湮没寿命测量方法研究了５．０ＭｅＶ和９．５ＭｅＶ快中子辐照在ＧａＡｓ中产生的辐射损伤，实验结果表明１０＾１１－１０＾１２ｎ／ｃｍ＾２注量的中子辐照只产生单空位缺陷１０＾１３ｎ／ｃｍ＾３注量的中子辐照产生单空位和双空位缺陷，１０＾１２ｎ／ｃｍ＾２注量的９．５ＭｅＶ中子辐照的ＧａＡｓ经４５０－６２０℃退火产生三空位缺陷，产生的缺陷浓度随中子能量和注量的增大而增大，但缺陷产生率对中子注量更灵敏