GIC－4117／HC1．7MV Tandetron上的MeV离子注入系统

利用通用离子公司（ＧＩＣ）的４１１７型１．７ＭＶＴａｎｄｅｔｒｏｎ离子束分析设备进行ＭｅＶ级离子注入。所注入的离子能量范围由５００ｋｅＶ到１０ＭｅＶ，离子的质量在２４０ｕ以下，某些元素的负离子束流强度在１５０μＡ以上。双向机械扫描技术可将离子均匀地注入样片。     

GIC—4117／HC1.7MV Tandetron上的MeV离子注入系统

利用通用离子公司（ＧＩＣ）的４１１７型１．７ＭＶ Ｔａｎｄｅｔｒｏｎ离子束分析设备进行ＭｅＶ级离子注入。所注入的离子能量范围由５００ｋｅＶ到１０ＭｅＶ，离子的质量在２４０ｕ以下，某些元素的负离子束流强度在１５０μＡ以上。双向机械扫描技术可将离子均匀地注入样片。     

高能氩离子在钇铁石榴石中引起的非晶化研究

用倾斜样品Ｘ射线学和饱和磁化强度测量，研究了９６０ＭｅＶ氩离子在多晶钇铁石榴（ＹＩＧ）Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２中引起的非晶化过程。分析结果表明，９６０Ｍｅ氩离子辐照引起ＹＩＧ晶态→非昌态转变是一个逐渐的过程，在这个过程中电子能损起主导作用但也需要一定的辐照剂量。     

^16O弹性前冲测量氦的深度分布

利用１２ＭｅＶ的１６Ｏ离子弹性前冲测量（ＥＲＤ）方法，研究了以２０ｋｅＶ和４０ｋｅＶ注入４Ｈｅ的镀钛样品。通过分析ＥＲＤ能谱，得到了注入４Ｈｅ的深度分布，并与非卢瑟福背散射结果进行了比较。对４０ｋｅＶ注入的样品观察到有双峰分布，２０ｋｅＶ注入的样品没有双峰分布，实验结果与ＴＲＩＭ模拟计算结果进行了比较。     

用V＋C双重离子注入H13钢合成表面优化层的研究

给出了Ｃ，Ｖ离子和Ｖ＋Ｃ双重离子注入Ｈ１３钢合成表面优化层机理的研究结果，包括表面薄碳膜和弥散硬化层的形成。用电镜观察到离子注入时晶粒细化和新相的析出，使晶界强化和位错强化效果增强。俄歇分析表明Ｃ，Ｖ离子注入浓度将分别达到５０％和３０％的原子比便，即形成固溶化。Ｘ射线衍射分析表明，注入层中出现了弥散的Ｆｅ２Ｃ，Ｆｅ５Ｃ２，ＦｅＶ和Ｖ２Ｃ相。注入样品退火，这些相的衍射峰增强，说明这些相在生长。由于这     

高能离子注入对聚酚亚胺薄膜硬度的影响

报道了聚酚亚胺薄膜在高能（６５０ｋｅＶ－２ＭｅＶ）Ｂ＋、Ｃ＋和Ｃｕ＋离子注入后硬度的变化。对注入样品进行了显微硬度测量和ＸＰＳ及ＲＢＳ分析，观察了硬度与离子种类、能量及注入剂量的依赖关系。结果表明，离子注入之后薄膜样品的显微硬度值明显提高，注入离子在样品中的电子能量损失对聚合物材料改性起着关键作用。ＸＰＳ和ＲＢＳ分析显示，离子注入之后聚酰亚胺薄膜中Ｃ的含量增加，形成了以苯环结构为主的新的交联网状结构。     

高能离子注入对聚酰亚胺薄膜硬度的影响

报道了聚酰亚胺薄膜在高能（６５０ｋｅＶ－２ＭｅＶ）Ｂ＾＋、Ｃ＾＋和Ｃｕ＾＋离子注入后硬度的变化。对注入样品进行了显微硬度测量和ＸＰＳ及ＲＢＳ分析，观察了硬度与离子种类、能量及注入剂量的依赖关系。结果表明，离子注入之后薄膜样品的显微硬度值明显提高，注入离子在样品中的电子能量损失对聚合物材料改性起着关键作用。ＸＰＳ和ＲＢＳ分析显示，离子注入之后聚酰亚胺薄膜中Ｃ的含量增加，形成了以苯环结构为主的新的交联     

离子能量的快离子激光光谱学方法校刻

对离子能量进行校刻的快离子激光光谱学方法利用多普勒效应把离子能量与离子的共振激发联系起来，可应用于１ｅＶ－１００ＭｅＶ能区，在几十ｋｅＶ范围内，测量准确度优于２×１０＾－３，用这种方法校刻了＾１４４Ｎｄ＾＋的能量。     

47MeV／u的C^6^＋在CaVSn：YIG中辐照效应的研究

用兰州重离子研究装置（ＨＩＲＦＬ）首次进行了４７ＭｅＶ／ｕ的Ｃ＾６＾＋离子辐照ＣａＶＳｎ：ＹＩＧ的实验。通过穆斯堡尔效应和正电子寿命测量对４７ＭｅＶ／ｕ的Ｃ＾６＾＋离子在ＣａＶＳｎ：ＹＩＧ中的辐照效应进行了初步研究。发现辐照导致内磁场方向趋于各向同性分布，由穆斯堡尔谱未观察到非晶化现象。缺陷的数量随Ｃ＾６＾＋离子在样品中电子能量损失的增加而增加。     

重离子束的Bragg峰定位于麦粒的自由基探针技术

为了实现定点定位诱变，提出了一种利用ＥＳＲ波谱术对离子束Ｂｒａｇｇ峰在麦粒中的定位方法，即自由基探针技术，采用该技术有效地测定出２１ＭｅＶ／ｕ氮离子束的Ｂｒａｇｇ峰位于小麦胚部，注入深度不超过１．０±０．２ｍｍ，而４８ＭｅＶ／ｕ氮离子束贯穿全麦粒，不能实现定点定位诱变。     

1.56MeV Sb^＋注入单晶硅的反常退火行为

剂量为２×１０（１３）－５×１０（１５）ｃｍ（－２）的１．５６ＭｅＶＳｂ＋注入Ｓｉ（１００）后，向石英炉中通入流动纯Ａｒ气进行热退火（退火温度为５００一１０５０℃，时间为３０ｍｉｎ）。采用３ＭｅＶＨｅ（２＋）卢瑟福背散射／沟道技术和透射电镜技术测量样品的注人损伤以及退火特性，结合计算机模拟数据，结果表明：缺陷的产生类型与注入离子的剂量、样品退火温度密切相关。     

110keV56Fe^1^＋离子注入麦胚中的能量沉积分布

测量１１０ＫＥｖ５６Ｆｅ＾１＾＋离子注入麦胚中的射程为２５７．１ｎｍ。根据测得的＾５＾６Ｆｅ＾１＾＋离子相对浓度随深度的分布和注入离子的总面密度，求得了＾５＾６Ｆｅ＾１＾＋离子绝对浓度随深度的分布。采用ＴＲＩＭ８８程序计算得到了不同浓度上注入离子的阻止本领，从而求得了随深度的能量沉积分布。并讨论了细胞损伤的可能机理。     

高能氩离子辐照聚酰亚胺时的能量沉积效应对光学吸收及电性能的影响

用２２．５ＭｅＶ／ｕ的高能氩离子辐照层聚酰亚胺薄膜，对辐照样品的志电性测量及紫外可见光吸收分析表明，随单位体积中能量沉积的增加，薄膜的导电性增强，光吸收度增大，且光吸收边缘由近ＵＶ区向可见区移动。     

75MeV／u^16O离子在辐照生物实验区产生的中子角分布

应用Ａｌ为阈探测器对７５ＭｅＶ／ｕ＾１６Ｏ离子在辐照生物研究区产生的Ｅｎ〉６ＭｅＶ中子的角分布进行了实验测量，以了解辐照生物实验区的中子分布情况，为进一步开展的重离子冶癌研究提供辐射防护的实验数据。实验结果表明实验区产生的中子具有明显的前冲分布。     

氮离子束注入与贯穿小麦种子的生物效应初步研究

采用４７．９ＭｅＶ／ｕ和２０．４ＭｅＶ／ｕ１４Ｎ（７＋）离子束对小麦种子进行生物学效应研究。结果表明：１）重离子的贯穿和注入对小麦种子的生长势均有明显的抑制作用，剂量越大，抑制作用越强，而且注入作用高于贯穿；２）在种子的根尖细胞中出现的染色体畸变具有多种类型，畸变频率高于对照组１９８～５９２倍，而且注入比贯穿作用强；３）注入和贯穿处理两者同样有明显的诱变作用，可引起ＤＮＡ的损伤和修复     

低能重离子及其碰撞产生的级联原子在生物材料中的直接作用范围

用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ法模拟计算了３０ｋｅＶ和２００ｋｅＶ的Ｎ＾＋与１１０ｋｅＶ的Ｆｅ＾＋在模拟细胞中的射程分布和径迹结构，并将１１０ｋｅＶＦｅ＾＋模拟计算的结果与ＲＳＢ测量的结果相比较，发现计算与测量的结果吻合较好，离子的作用范围小于１μｍ。计算和实验的结果都说明能量相当低的重离子不大可能直接作用引起麦胚深层生物效应。     

钇离子束动态增强沉积氮化钛膜

在膜层上接收注入钇离子和沉积钛原子比例Y^ :Ti=1:2的条件下，采用钇离子束动态增强沉积方法，在纯铁等基体上制备氮化钛膜层试样。对试样予以电化学测试和AES、XRD分析。XRD结果未发现钇单质或氮化钇的衍射峰。载能金属离子的动态增强沉积作用产生了界面混合效果，形成较宽的过渡层。动态增强沉积试样比非增强沉积试样有更强的抗电化学腐蚀能力。     

1－6MeV的~7Li离子在固体C、Al、Cu、Ag、Au和Pb薄膜中的阻止本领

报道了１—６ＭｅＶ的７Ｌｉ离子在固体Ｃ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ和Ｐｂ薄膜中的阻止本领的测量结果。数据误差小于６％。     

中能^12C离子反应中^7Be的生成

在最高能量为４７ＭｅＶ／ｕ的＾１２Ｃ离子和Ｍｙｌａｒ、天然铜或＾９３Ｎｂ相互作用中，用离线γ能谱法测量了＾７Ｂｅ的放射性活度，观察到的＾７Ｂｅ起源于入射＾１２Ｃ炮弹的碎裂和靶碎裂两种过程。估计＾７Ｂｅ的产额为１．１×１０＾７Ｂｑ／μＡ·ｈ（单位中的μＡ是粒子μＡ），讨论了利用中能重离子反应生产＾７Ｂｅ以及其它放射性核素的可能性。     

向日葵种胚的V离子注入研究

利用扫描电子显微镜和能量色散谱仪研究Ｖ离子注入向日葵种胚后注入元素的深度分布，用透射电子显微镜（ＴＥＭ）研究离子注入前后子叶及胚轴部位细胞的显微结构变化。结果发现Ｖ离子在种皮层的注入深度达到１８μｍ，而在胚部位（如子叶、胚轴和胚根等）则没有测到Ｖ元素，注入前后子叶前后和胚轴细胞的显微结构在ＴＥＭ上没有明显的变化。