PZT和PT陶瓷的热释电效应与晶格参数的关系

测量了锆钛酸铅（ＰＺＴ）和钛酸铅（ＰＴ）陶瓷材料的热释电效应，利用Ｘ射线衍射测量了陶瓷材料在不同温度下晶格结构变化，研究了ＰＺＴ和ＰＴ陶瓷材料的热释电效应与晶格参数之间的相互关系，实验表明，陶瓷材料的热释电系数的大小与晶格参数随温度变化的情形有关，ｃ轴与ｃ／ａ比随温度变化大的材料，其热释电系数较高。     

复合陶瓷材料的非线性热释电效应

以不同复合方式制备了多组分的ＰＺＴ铁电陶瓷，研究了它们在ＦＲＬ－ＦＲＨ相变过程中的非线性热释电效应，对不同复合方式下的离子扩散行为与热释电效应之间的相互关系进行了分析和讨论。     

硅基PZT热释电薄膜湿法刻蚀技术研究

通过对不同组合比的PZT薄膜湿法刻蚀技术研究,成功地配制出两种不同的刻蚀液,主要以HF、NH4F、HCl、NH4ClEDTA、HNO3为原料,NH4F、NH4Cl和EDTA的引入,有效地实现了刻蚀速率的可控性,并对PZ0.15R0.85、PZ0.3T0.7、PZ0.5T0.5和P1.1Z0.3T0.3四种薄膜进行微图形化研究,分析了刻蚀液对各种成份的刻蚀机理,通过实验,得到了分别刻蚀四种薄膜的刻蚀液的最佳配比,并对四种薄膜的刻蚀速率进行了研究。     

PZT94／6陶瓷热释电性能

采用Ｂｙｅｒ－Ｒｏｕｎｄｙ法，在－１２０℃－＋℃范围内对ＰＺＴ９４／６陶瓷热电性进行了研究。在３５℃左右出现的热释电电流峰是由ＦＲＬ－ＦＲＨ相变引起的。利用此相变特性，可以获得较大的热释电系数，最大可达１２０×１０＾－８Ｃ／ｃｍ＾２．Ｋ 。     

热释电陶瓷

在严格地定义热释电效应、一级和二级热释电系数的基础上,从应用要求出发对不同材料包括单晶(如TGS、LiTaO_3、LiNbO_3、Ba_2NaNb_5_(15).Sr_(0.5)Ba_(0.5)Nb_2O_6)、陶瓷(如PZT、PZT95/5、PbTiO_3、改性PZT、PLT等)的热释电性能作了比较。介绍了热释电陶瓷材料在红外传感器、红外探测器以及红外摄象等方面的应用。     

PZ-PT-PMN热释电陶瓷的制备研究

用经典的电子陶瓷工艺过程制得了PZ-PT-PMN热释电陶瓷。通过分析晶体构型、原子半径等，设计了几个典型的配方，并制得了相应的陶瓷材料，实验还对影响陶瓷热释电及机械性能的烧结温度、烧结时间、模压压力等工艺参数进行了优化。本制备方法简单，工艺成熟，制得的陶瓷适合应用于红外探测领域。     

PZT陶瓷FRL-FRH相变自发极化的定量计算

针对ＰＺＴ９５／５陶瓷材料ＦＲＬ－ＦＲＨ相变时的热释电特性,建立了相变过程中自发极化随温度绵定量计算表达式,表达式中的函数级数依据Ｌｅｉｂｎｉｚ交错级数定理,可按照实际要求的精确程度进行级数求和,故利用计算机拟合了自发极化随温度的变化曲线,拟合曲线与实验测量的结果相一致,证明了理论计算公式能定量地描述相变过程中自发极化随温度变化的规律,有利于对铁电材料的相变性质进行深入的研究。     

高性能PZNFTSI陶瓷热释电材料与小面积红外探测器的研制

本探讨了小面积红外热释电探测器的探测率与热释电材料性能参数之间的关系，制备了热释电系数高达５．１×１０＾－４Ｃ·ｍ＾－２℃＾－１的ＰＺＮＦＴＳＩ型陶瓷热释电材料，并用其制作了一系列φ０．３ｍｍ的小面积探测器，性能最高达５．９×１０＾８ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，远远超过同样尺寸的ＬｉＴａＯ３晶体探测器。探测率Ｄ＾＊的测量结果与理论预测值符合得较好，克服了晶体热释电材料在小面积应用时的局限，为进一步     

热释电红外探测材料的研究进展

热释电红外探测材料主要分为热电堆型、热敏电阻型和热释电型，本文综述了热释电红外热探测材料的种类、性能和研究进展。     

PZT95/5铁电陶瓷的掺杂改性研究

采用固相烧结法制备锆钛酸铅95/5(PZT95/5)材料,以“相同化合价,不同原子半径;相近原子半径,不同化合价”的原则,选择了碱金属族、碱土金属族元素的碳酸盐以及Fe₂O₃、SiO₂、Nb₂O₅、WO₃等作为掺杂物分别对其进行掺杂改性.研究了掺杂对材料介电性能、极化性能和低温-高温铁电相的相变温度的影响.发现受主掺杂使得材料的介电常数降低,施主掺杂使得材料的介电常数提高;剩余极化随着掺杂离子的化合价增大而增大;制备得到了低温-高温铁电相相变在15℃的铁电材料,在实际应用上有重要意义.     

PZT压电厚膜用PT过渡层的制备及表征

用溶胶-凝胶法在Pt（111）／Cr／SiO2／Si衬底上制备了（100）取向PT过渡层,探讨了制备工艺条件对胛过渡层成膜情况的影响,结果表明,快速热处理工艺制备的PT过渡层结晶较好,而热解时间过长和退火时间过长都会引起铅的损失,造成TiO杂相的出现,从而对PT过渡层的结晶产生不利影响。     

钛酸铅和锆钛酸铅铁电薄膜的热释电效应的研究

本文测量了钛酸铅和锆钛酸铅铁电薄膜的热释电效应，在这些以钛薄片为衬底，用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法制备的铁电薄膜上可测到明显的热释电响应，同时，对这些薄膜的牡民Ｉ－Ｖ特性也进行了测试，对敏感元工之间的热传导以及材料中发现的光效应对热释电响应的影响进行了分析和讨论。     

PZT多元系固溶体压电陶瓷中的正电子湮没研究

测量了不同组成的ＰＺＴ多元系固溶体瓷中的正电子寿命谱,根据测得的寿命谱参数,得到反映该压电陶瓷完整体性质的自由态湮没寿命Ｔｆ值,并了影响Ｔｆ的因素。     

发射型PZT压电陶瓷的应变及性能

测量了几种发射型 PZT 压电陶瓷的电场应变曲线和电滞回线,探讨了它们与性能间的关系。认为 PZT陶瓷的应变量是一个与剩余极化量同样重要的用来衡量材料压电性能的基本参数。PZT 压电陶瓷的应变由两部分组成:低场强下的应变由畴的转向形成,高场强下的应变则是以畴伸缩产生的应变为主。单位场强的畴伸缩应变量与准静态压电系数 d_(33)值相当。     

PZT压电陶瓷的微观结构研究及能带计算

用固相反应烧结法制备了纯相ＰＺＴ及掺Ｌａ＾３＋、Ｎｂ＾５＋的ＰＺＴ压电陶瓷片，利用计算机程序ＰＯＷＤ１２模拟出了样品的空间位置，从理论上说明了样品在居里点以下具有压电性能。用ＸＰＳ现代测试手段分析了样品中电子的分布情况。根据固体物理中的能带论，用量子化学方法计算了ＰＺＴ压电陶瓷的带结构，理论计算与ＸＰＳ测试吻合较好。     

铌、锑掺杂的PZT95/5型铁电陶瓷材料及其物理性能

研制了以 Nb_2O_5和 Sb_2O(?)掺杂的两类 PZT95/5型铁电陶瓷材料,其介电常数约为300,剩余极化强度 P_r≈30μc/cm~2,居里温度≈210℃。较全面地研究了上述两类材料的介电、热电和铁电等各项物理性能与组成的关系,从而确定了它们的温度组成相图。研究了静态和冲击应力下的相变特性,给出冲击应力下的理论计算和实验测定的电流、电压响应曲线,两者符合得很好。在爆炸冲击应力作用下,在电感负载上获得的最大电流为1360A,能量密度为0.55J/cm~3;在电阻负载上获得的最高电压为145kV。研究结果表明,上述材料的压电性能很差,但在室温附近存在反铁电(AF)→铁电(F)或铁电(F_(RL))→铁电(F_(RH))相变,在结构相变过程中,伴随着剩余极化或体积形变的很大变化,正是这种相变特性使这些材料在爆电、热电和机电换能等方面得到引人注目的应用。     

用Sol─Gel法制备PZT铁电陶瓷及薄膜

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备了Ｐｂ（Ｚｒ＿（０．５）Ｔｉ＿（０．５））Ｏ＿３（ＰＺＴ）铁电陶瓷与薄膜，观察了它们的结晶情况并测定了它们的电学性能。利用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法，可降低ＰＺＴ陶瓷粉料的预烧温度约２００℃，所得陶瓷致密，晶粒均匀；具有较好的介电性能。ＰＺＴ陶瓷显示弥散相变特征。ＰＺＴ薄膜的晶化受基底影响很大。基底晶格越完整，与ＰＺＴ薄膜的晶格失配率越小，ＰＺＴ薄膜的晶化就越好。采用ＰｂＴｉＯ＿３过渡层促进ＰＺＴ薄膜在镀铂硅片上晶化。ＰｂＴｉＯ＿３过渡层与ＰＺＴ薄膜构成串联电路。其表现电学性能与相应的ＰＺＴ体材料相近。     

不同晶化处理方式对PZT薄膜性能的影响

采用改进的溶胶一凝胶（sol—gel）法在Pt／Ti／SiO2／Si基片上制备PZT薄膜,研究不同的晶化处理方式对PZT薄膜的微观结构、表面形貌及电学性能的影响。实验结果表明：快速晶化处理方式更有利于薄膜沿（110）方向的择优生长;并且相对于常规晶化处理方式,快速晶化处理方式制备的PZT薄膜晶粒均匀,排布有序,可有效的提高薄膜的表面质量。电学性能测试结果表明,这种表面形貌可以有效地降低漏电流。