基于自举电路和变压器混合驱动模式的半桥式开关电源

提出了一种基于自举电路和变压器混合驱动模式的半桥式开关电源的设计方法,这种电源采用通用的PWM发生器芯片,下部场效应管开关直接驱动,上部场效应管开关利用自举电路和变压器混合驱动方式驱动.电路中变压器只是起到信号传递作用,因此所需要的变压器体积小,该开关电源还具有驱动波形良好,开关损耗小,电路简单,性能价格比高等优点.同时还设计了开关电源自启动用辅助电源,它具有电路简单、功耗小、宽电压范围工作等优点.     

场效应管及其放大电路教学方法研究

场效应管及其放大电路是模拟电子技术教学难点之一,传统的教学往往效果欠佳。场效应管和三极管都是半导体放大器件,二者有很多相似之处,在学习了三极管及其放大电路之后,运用比较的方法对场效应管及其放大电路进行教学,可以温故而知新,找到两者之间的异同点,提高学习兴趣和效率,达到事半功倍的效果。     

基于互补型自举模式的通用型脉冲功率接续器设计

提出了一种基于互补型场效应管和自举模式工作的通用型脉冲功率接续器的设计方案,这种功率接续器使用一对互补型场效应管,采用自举模式驱动,工作电压可设置在10~60V范围内,工作频率为10~800kHz,因此与任何D类音频功率放大器配接后都可大幅度提高输出电压和输出电流,也可以组成BTL型脉冲功率驱动器.本文设计的通用型脉冲功率接续器具有电路简单、工作稳定、性能价格比高、便于维护的特点,可广泛用在工业用报警器产品中,不仅可以减少产品的种类,而且能够大大提高产品的竞争力.     

引风机驱动方式比较分析

引风机是火力发电厂锅炉的重要辅机,是机组安全和经济运行的关键设备,其驱动方式一般可采用某电厂采用电动、汽动、电汽混合驱动三种方式。在当前电网大多数按发电机端的输出功率（铭牌功率）进行调度的前提下,本文提出引风机采用汽动驱动方式,以减少厂用电率,进而增加发电效益。     

基于NCP1200的高功率因数恒流型LED驱动电源的设计

提出了一种基于NCP1200的高功率因数恒流型LED驱动电源,该电路工作时利用三极管组成的可变增益放大器,大大减少了一次整流时产生的脉冲电流,很好地实现了APFC方式整流和恒流驱动功能.实验表明,该电路结构简单,工作稳定可靠,具有很高的性价比.     

并联式液压混合动力车辆再生制动的影响因素

分析了并联式液压混合动力车辆制动过程的能量损耗,确定了液压混合动力系统节能研究的重要方向。通过对比计算和仿真研究,分析了驱动方式、运行工况、扭矩耦合器传动比等因素对并联式液压混合动力车辆制动性能的影响。结果表明,采用前轴驱动方式,适当增大扭矩耦合器传动比,合理地选择液压蓄能器容积和工作压力有利于提高车辆在城市运行工况下的再生制动性能。     

电动车混合动力及控制系统等

所属单位
　　航天新长征电动汽车技术有限公司
　　产品简介
　　该产品可广泛应用于混合动力客车、专用车及其它专用车辆,具有动力驱动、行车控制、能源管理、运行监控、故障诊断等功能,为整车制造企业提供了混合动力汽车动力及控制系统的一揽子解决方案。
　　该系统兼顾了串联和并联混合动力两种模式的优点,在起步和低速段采用纯电动和串联模式;在经济时速段采用发动机直接驱动模式,没有电源转换损失和传动损失,发动机也工作在最佳工作区,效率较高;在急加速、爬陡坡等特种工况下,采用混合驱动模式,保证动力性的同时兼顾系统效率。     

半导体三极管的统一小信号跨导模型

本文为晶体管引入小信号跨导模型，从而使晶体管的小信号模型与场效应管的小信号模型取得一致，低频模型与高频模型获得统一，电路的分析和设计得到简化，缩短了半导体三极管电路的教学和学习过程。     

喹啉铝/酞菁铜发光三极管的研制

研制了具有静电感应三极管结构的有机电致发光三极管,用有机半导体酞菁铜和有机发光材料喹啉铝蒸发膜为作用层,其结构为金/酞菁铜/铝/酞菁铜/喹啉铝/ITO透明电极/玻璃基板.测试了其基本电、光学特性.由测试结果可知,较低的栅极偏压可控制由源极注入到喹啉铝发光层的载流子.通过合理设计、控制制作梳状铝栅极结构,获得了高速、大电流驱动等良好工作特性.     

基于互补驱动方式的音频开关功率放大器设计

提出一种基于互补驱动方式的音频开关功率放大器设计方法,该放大器采用通用的PWM发生器芯片SG3525,后级功率驱动采用独特的MOSFET互补方式,输出部分用2个电容采用半桥式接法,可工作在24～60V电压范围,具有电路简单、工作稳定、高性能价格比特点,因此可广泛应用在频响要求低于10kHz的工业用报警器产品中.     

大功率场效应管在电火花加工装置中的应用探讨

阐述大功率场效应管的性能，进而论述了其在电火花加工装置中的应用问题，结果表明，使用这种效应管可以提高电加工的控制速度和进给精度。     

功率晶体管模块静态特性的测试

介绍采用通用示波器测量功率晶体管模块输出特性和转移特性的方法,研制成功单片机控制阶梯波恒流驱动电源,对日本富士电机公司生产的５０Ａ／１０００Ｖ（２ＤＩ５０Ｄ－１００）功率晶体管模块进行了测试,并给出了测试结果。     

一种高速可靠的VDMOS高位开关电路

VDMOS场效应功率晶体管具有双极型和一般MOS器件的优点。但这种器件作为高速高位开关电路应用时 ,由于驱动电压发生电路的设计中存在某些因素会影响整个开关电路的性能和整个电路的体积、重量和价格。针对这些影响因素 ,设计了一个VDMOS高速高位开位电路。该电路具有开关速度高 ,体积小 ,重量轻、价格廉等优点。该电路经过实际应用 ,在开关技术性能方面取得了满意的结果     

W-band 3.4 W/mm GaN power amplifier MMIC

A high power density monolithic microwave integrated circuit (MMIC) power amplifier is presented for W band application. The chip is fabricated using the 100 nm GaN high electron mobility transistor (HEMT) technology on a 50 μm SiC substrate. The amplifier is designed for a high gain and high output power with three stage topology and low-loss impedance matching networks designed with high and low characteristic impedance micro-strips and metal-insulator-metal (MIM) capacitors. And quarter-wave micro-strips are employed for the DC bias networks, while the power amplifier is also fully integrated with bias networks on the wafer.Measurement results show that, at the drain bias of 15 V, the amplifier MMIC achieves a typical small signal gain of 20 dB within the frequency range of 88~98 GHz. Moreover, the saturated output power is more than 250 mW at the continuous-wave mode. At 98 GHz, a peak output power of 405 mW has been achieved with an associated power gain of 13 dB and a power-added-efficiency of 14.4%. Thus, this GaN MMIC delivers a corresponding peak power density of 3.4 W/mm at the W band.     

单片集成谐振式升压转换器设计

为了解决高频谐振功率转换器功率密度较低的问题,提出基于绝缘体上硅（SOI）工艺平台和氮化镓（GaN）功率晶体管的三维集成的单开关全谐振升压转换器,开关频率为500 MHz. 转换器主体采用传统Class-E放大器的衍生电路结构?并联式Class-E拓扑,栅极驱动器采用单管谐振式驱动拓扑. 转换器中的谐振电感元件采用SOI工艺中提供的平面螺旋电感实现,谐振电容元件采用GaN功率晶体管的米勒寄生电容实现,硅基芯片与GaN芯片通过三维倒装技术连接. 围绕电路参数设计、谐振元件的实现和版图结构设计进行详细分析. 实验结果显示,当输入电压为12 V时,片上转换器的最高功率密度为1.481 W/mm²,满载效率为60%,最高效率为89%. 本设计为实现高功率密度、高集成度的功率转换器提供了新思路.     

高频小信号LC谐振放大器的设计

本文介绍了高频小信号LC谐振放大器的设计思路与具体电路实现,主要由衰减网络、LC谐振放大、电压跟随和电源四大模块组成。衰减器采用电阻式TT型网络实现;LC谐振放大中选用功耗小的2N2222型三极管进行两级放大,LC谐振部分为放大器的负载;电压跟随采用集成运放OPA355,以实现电路阻抗的良好匹配;为了给放大器工作提供稳压电源,采用LM317稳压芯片设计了一个电源。经测试,放大器低功耗、高增益,具有良好的选择性。     

一种有效补偿功率放大器幅度相位失真的研究

该文提出了一种可以同时控制AM／AM和AM／PM的预失真线性化方法。由此方法构建的电路包括两个线性化器，每一个线性化器包括一个场效应管和它的匹配电路。使场效应管工作在可变电阻区，利用栅极电压控制其可变电阻特性。最后用一个双音信号和一个cdma 2000信号对此电路进行了仿真，结果表明三阶互调（IMD3）和邻道功率比（ACPR）分别改善了22．6dB和6dB。     

PSPICE优化技术及其在微波电路计算机辅助设计中的应用

提出了一种基于PSPICE4．02软件的管道优化技术和GaAsFET的实测小信号S参数，应用约束优化技术提取其物理模型参数．利用该参数设计制作了3．7GHz—2GHz GaAsFET放大器，并给出了设计实例和测试结果．