扩散硅力敏元件有源平衡电桥温度补偿

一、概述由于硅材料本身的属性和现有工艺条件等因素的限制,扩散硅力敏元件输出电桥的四个桥臂电阻阻值不可能达到完全相等,而且随着温度的变化而变化,严重地影响了元件的特性和精度。为此,对其进行温度补偿就显得十分重要了。本文所指的温度补偿主要包括两个方面的内容:(1)零点温度补偿;(2)量程温度补偿。本文介绍的方法,简称“平衡电桥补偿法”。二、补偿原理扩散硅力敏元件的工作原理是基于硅片上的应变电阻把压力信号转变成桥路输出的电信号,如图1所示。     

多晶力敏元件热稳定性分析

本文通过对单晶硅、多晶硅力敏元件复合结构的对比分析,及优化多晶生长条件的选择探讨研制高稳定的多晶力敏元件的理论根据     

PPS膜电容式湿敏元件

本文介绍了PPS膜电容式湿敏元件的结构和特性,并提出了提高元件性能的措施。     

电阻式湿敏元件静态数学模型

本文采用最小二乘法回归分析,将湿敏元件的测试数据回归成多项式,获得元件的静态数学模型。叙述了这种方法的基本原理及推导过程,并给出了具体例子。讨论了该数学模型在湿敏元件研制和应用中的意义。     

硅电容传感器中静电封接工艺技术的应用

对于新近发展起来的新一代结构型力敏器件,如硅电容力敏器件、电容型加速度力敏器件等,常规的静电封接工艺已无法满足其小间隙(间隙通常小于10 μm)封接的特殊要求,封接后会造成极板间的粘连,导致器件失效.文中结合电容传感器的结构特点,提出了一种小间隙,非粘连的静电封接工艺方法,确定了相应的封接温度、封接电压、封接时间的选择原则,论述了容性器件封接中的相关问题.该工艺已成功地应用于硅电容传感器的制作中,效果良好,对于结构型力敏器件的制作具有较强的实用价值.     

开口双直孔力敏元件结构参数的优化设计

建立了某型号开口双直孔力敏元件的有限元分析模型及优化数学模型，以其主要结构参数为设计变量，利用ANSYS软件的技术对其进行了优化设计并得到了最佳的优化结果，为新型力敏元件的研究开发提供了新思路。     

E型扩散硅力敏器件的研制

本文阐述了Ｅ型膜片的结构特性，根据其应力分布特点及硅材料在（１１０）晶面的＜１１１＞晶向上具有最大压阻系数，开展了力敏芯片的最佳设计，并进行了Ｅ型力敏器件的制作。最后给出了器件的主要技术指标。     

扩散硅压力变送器用敏感元件的静电封接技术

介绍了把静电封接工艺用于Class41系列扩散硅压力敏感元件的芯片与基座间的封接。与其它封接工艺相比,降低了成本,封接强度、渗漏、电绝缘以及封接后元件性能等指标都有很大提高。图4,表6,参2。     

扩散硅力敏器件计算机辅助温度补偿

本文简要的论述了扩散硅力敏器件计算机辅助温度补偿的方法和快速测试方法。这种补偿方法适用的温区范围是-30～+80℃;补偿精度典型值是:当初始温漂<±0.1％FS/℃时,补偿精度为<±0.25％FS/55℃。     

EI型扩散硅力敏器件工艺技术研究

本文叙述的EI型扩散硅力敏器件为工业变送器配套使用的微差压传感器，其压力量程为0．6kPa，线性优于0．5％。该器件填补国内空白，器件性能指标达到国际80年代中期同类产品先进水平。     

硅—兰宝石集成力敏器件的研究

一、引言硅—兰宝石集成力敏器件是在硅压阻型力敏器件基础之上发展起来的一种新型的无结固态压阻型力敏器件。和硅集成力敏器件相比,具有时间稳定性好、耐高温、抗辐射和耐腐蚀等优点,因此它一出现就倍受人们重视。然而,由于硅—兰宝石集成力敏器件出现的时间不长,有关它的设计、制做等目前尚缺乏必要的理论基础和实验依据。本文通过对硅—兰宝石集成力敏器件整个研制过程的总结,对其设计、制做等关键环节予以较详尽的阐述,寄希望本文能对我国硅—兰宝     

伽伐尼电池式气敏元件的研制

本文报导用高频溅射的方法在聚四氟乙烯薄膜上淀积的铂膜，用电解法再制成铂黑膜。以硫酸为电解液，以铂黑膜和铂片为电极组成伽伐尼电池式气敏元件，对H2和CO具有较高的灵敏度和良好的选择性。     

双面静电封接工艺在硅电容传感器中的应用

硅电容传感器由于其结构的精密性与灵敏性,常规的静电封接工艺已无法满足要求。封接后会造成其小间隙(间隙通常<10μm)极板间的粘连,导致器件失效。文中结合小间隙传感器的结构特点提出了一种双面同时封接的方法,并对封接相关参数进行了分析,确定了相应的封接条件。该工艺既解决了极板粘连问题又简化了工艺步骤,适合现阶段大规模生产的需求。     

开口双直孔力敏元件的弹性特性与结构关系分析

建立了某型号开口双直孔力敏元件的有限元分析模型,利用ANSYS软件的技术分析了其主要结构参数对其弹性特性的影响关系,为新型力敏元件的研究开发提供了可靠的设计依据。     

基于MEMS工艺的半导体电阻式气敏元件的研究

介绍了半导体电阻式气敏元件工作原理,设计了一种基于MEMS工艺的薄膜气敏元件结构,此结构以Si3N4/SiO2/Si3N4复合薄膜作为支撑隔热层,蜿蜒状多晶硅作为加热层,梳状Ag电极作为气敏薄膜信号电极,SiO2作为加热层与Ag电极的绝缘层,并在SiO2绝缘层上刻蚀通孔形成加热层与金属互连。该结构具有通用性,对不同气敏特性的材料均适用,且易于改进为组合结构或阵列结构。最后,对其工艺进行了阐述。     

气敏半导体元件的改进

一、前言近年来,气敏半导体元件在架空电缆和地下电缆探漏,天然气管道探漏等方面得到广泛的应用,现在已经试制了各种可燃气体报警器、检测仪等。但气敏半导体元件主要存在以下几个问题:一是提高气敏元件的稳定性和选择性;二是降低耗电量;三是改善气敏元件的一致性(或称互换性)等。如果这些问题能够解决,气敏元件就能更广泛地得到应用。根据用户的要求和应用中存在的问题,我们研究了降低整机耗电量,并在提高气敏     

基于磁敏元件的寄生式时栅传感器仿真分析

传统寄生式时栅位移传感器采用线圈传输电信号,不能保证线圈本身及绕线质量,导致寄生式时栅位移传感器体积大、灵敏度低、功耗大。根据寄生式时栅位移传感器的工作原理,选择一种基于磁敏元件代替绕制线圈的方法。用ANSOFT/Maxwell对磁钢和磁敏元件的气隙磁场、磁敏元件与被测齿轮之间的距离、磁钢大小和形状进行仿真,比较分析可知3mm×3mm×2mm的长方体磁钢在气隙为3mm的情况下能够满足磁敏元件的工作要求。     

电阻式与电容式纳米钛酸钡湿敏元件性能分析

用纳米晶钛酸钡粉末制成电阻式和电容式两种结构的湿敏元件.测量了两种结构元件在不同湿度(11%～98%)、不同频率(10Hz～100kHz)时的电阻、电容、阻抗等电学参数,对元件的灵敏度、阻抗、湿滞、响应-恢复时间等感湿特性进行了测量和分析.结果表明两种结构的湿敏元件都具有较高的灵敏度,但最佳测试频率不同.     

扩散硅力敏器件CAD技术的研究：结构应力分析

本文介绍在ＩＢＭ系列及其兼容系列微型机上，实现硅压力传感器中硅杯结构的应力分析方法和软件。该软件对微机软件、硬件资源的要求很低，能对包括工艺误差在内的各种复杂的硅杯结构绘出准确的应力分析图。     

智能化气敏元件测试仪的研制

智能化气敏元件测试仪的研制＊管玉国戴国瑞高鼎三（吉林大学电子工程系吉林１３００２３）０引言当前，气敏元件的研制正在向纵深发展，对未知气体的识别也更加引人注目〔１～３〕。本文研制了一种智能化气敏元件测试仪。经验证，效果令人满意。仪器可以自动测试各种气敏...