采用了新型老炼技术的高分辨5英寸全色FED

5英寸对角线的场发射显示器件已被充分研发出来，借助于门开荚驱动的设计，对其电子轨迹的轮廓进行了模拟与设计。在镀有氧化锢锡的玻璃上制有具有经独具特色印制且具有高长宽比的隔柱。以便于进行真空封装。此外，为了阻止对于微尖的氧化作用，对封装及排气期间之场发射阵列稳定化所需之新式气体老炼设计作了广泛的研究。最后．证实了64可显示级灰度的全色图象。     

全色LED显示器中亮度参数的研究

近年全彩色的LED视频显示屏得到了广泛的应用。但是很多全彩色LED显示屏会随着环境温度的变化,出现显示色彩畸变的现象。在不同环境温度下,由于LED器件的特性使LED显示屏的红、绿、蓝色的显示亮度都会不同程度地发生偏移,其中蓝色LED的亮度偏移量较小,红色LED的偏移量较大。LED的这种特性严重影响了全色显示屏的白场平衡,导致显示屏色度发生畸变。文章根据LED的环境特性,提出了一种亮度补偿技术,来修复由温度引起的RGB三基色LED的亮度,以校正全色显示屏的色度畸变问题。文中为了补偿RGB三基色的亮度误差,提出根据不同的环境温度,设定RGB三基色的伽玛校正曲线,使LED显示屏在不同灰度级情况下,得到不同的亮度补偿,以获得高质量的图像。     

有源矩阵FED器件用的单块集成多晶硅FEA与TFT

本文给出了制作在有源矩阵场发射显示（AMFED）器件绝缘基底上的集成多晶硅场发射阵列（p-SiFEA）与薄膜晶体管（TFT）。这里的TFT设计即使在高漏电压下也具有低断路电流。集成P—SiTFT主动地控制着P-SiFEA的电子发射,从而导致了对于发射稳定性及15伏以下低压场发射的极大改进。本技术有在玻璃基底之AMFED上应用的潜力。     

载流子平衡的低压高效有机发光器件

分别在ITO与NPB间加入高迁移率的m-MTDATA:x%4F-TCNQ来增强器件的空穴注入,在阴极和发光层之间加入高迁移率的Bphen:Liq层增强器件的电子注入,制备了结构为ITO/m-MTDATA:x%4F-TCNQ/NPB/Alq_3/Bphen:Liq/LiF/Al的有机发光器件.研究了传输层的单载流子器件行为,同时,由于注入的电子和空穴数量偏离平衡,器件的整体效率也会受到影响,在实验中通过调节4F-TCNQ的质量百分比,来调控空穴的注入和传输,使载流子达到了较好的平衡.器件的最大电流效率和流明效率分别达到了6.1 cd/A和5.2 lm/W.     

真空荧光显示器亮度特性的研究

为了确定真空荧光显示器(Vacuum Fluorescent Display,VFD)亮度特性(灯丝发射电流、电流分配系数、发光效率和亮度)与阳极电压的关系,缩短开发时间并提高新品开发的成功率,选取8种常见颜色荧光粉制作了8种型号的VFD实验样品,实测每个步长阳极电压下的灯丝发射电流、阳极电流以及亮度数据,利用最小二乘法得到了灯丝发射电流随阳极电压变化的关系,采用右逼近法分别给出了电流分配系数及发光效率的威布尔拟合公式,最终确定了亮度随阳极电压变化的计算表达式。研究结果表明,实验设计方案切实可行,灯丝发射电流、电流分配系数及发光效率随阳极电压变化的拟合公式精确度很高,亮度的计算值与实验值相比误差很小,便于在设计之初只需根据阳极电压设计值就能够获得VFD的亮度特性,为VFD的结构优化设计提供重要的理论依据和技术参考。     

升特公司推出新款升压转换器平台,为业界最小的低压输入器件

升特公司（Semtech）宣布为低压应用推出一款全新、业界最小的升压转换器。SC120、SC121和SC122三款转换器的输入电压可低至0.7V,输出电压可以在1.8V～5.0V之间调节,采用1.5mm×2mm超薄（最大厚度0．6mm）塑料封装。这些器件拥有许多先进功能．非常适合于碱性电池、镍氢电池、单节锂电池供电的便携应用;还可以用于一些非移动的负载点调整器应用．将低压升高至周边适用的电压。     

LiF/DLC修饰电极的掺杂有机电致发光器件的研究

选用8-羟基喹啉铝(Alq3)作基材,用具有强红光发射的四(4-羟基-3苯偶氮基)苯基卟啉(TPP)对Alq3进行掺杂,制备结构为ITO/PVK/Alq3:TPP/Al红光器件,并与在此结构中带有LiF、类金刚石碳(DLC)薄层的四种器件的电致发光光谱、电流-电压和亮度-电压特性进行了比较.结果表明:将LiF、DLC薄层分别用在Alq3/Al界面之间,可降低界面的注入势垒,增强器件的电子注入;在ITO/PVK之间使用LiF薄层可起到限制空穴注入,达到载流子平衡注入的目的.由此认为电子和空穴的平衡注入与合适的栽流子复合区域是器件获得高亮度与高效率的根本原因.     

基于中低压器件实现的高压负电平位移电路

提出了一种新型高压负电平位移电路.该电路只采用中低压PM()S来实现高压电平位移,与传统的高压负电平位移电路相比,降低了工艺及器件难度.分析了该新型电平位移电路的电路结构与工作原理.采用1μm CMOS工艺,通过HSPICE进行电路仿真验证,证明提出的高压负电平位移电路正确可行.     

飞兆全新器件提高感应加热应用的效率

飞兆半导体公司推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FFD和FcAl5N120FTD,为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些IGBT同时采用Field Stop（场截止）结构和抗雪崩的Trench gate（沟道栅）技术,可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡,从而获得最高的效率。与传统的NPT-Trench IGBT器件相比,FGA20N120FTD可减小25％的导通损耗、8％的开关损耗,并大幅降低系统工作温度。由于冷却要求降低,系统可靠性得以增强,系统总成本减小。这些器件还内置了专为零电压开关（ZVS）技术而优化的快速恢复二极管（FRD）,进一步提高了可靠性。     

两款通过汽车等级认证的串口F-RAM器件

Ramtron International Corporation(简称Ramtron)宣布,其V系列产品线新增两款通过严格的AEC-Q100 Grade 3汽车等级认证的串口F-RAM器件。这两款产品的型号为FM24V01-G和FM25V01-G,是128千位(Kb)、高性能非易失性F-RAM存储     

电极界面修饰对PLEDs器件性能的影响

为了研究阴阳极界面修饰对聚合物电致发光器件（PLEDs）性能的影响,文中以ITO/MEH-PPV/Al为原型器件,研究了氧化石墨烯（GO）或者氟化铯（CsF）阴极界面修饰,GO或者PEDOT∶PSS阳极界面修饰对器件性能改善的影响.结果显示：CsF在修饰阴极界面时起到了主导性作用,使得PLEDs的发光亮度显著提高,而GO在修饰阴极界面时却没有这样的效果;但实验发现,GO有望成为新一代的阳极界面修饰材料,替代PEDOT∶PSS修饰ITO阳极.     

基于无线指挥的有机电致发光器件的特性及实验

深入探究了多层有机电致发光器件的特性及优势。理论上分析了器件的电场与局域态的特性关系,设计了类似夹层式的两次堆叠双层有机层的实验结构,采用了电子传输材料Bphen来进行相关器件的制作。实验结果表明:叠层器件的开启电压几乎高出单层器件的开启电压值的一倍;叠层器件相比单层器件的电流效率高出1.5倍以上;叠层器件会产生微腔效应,设计内部连接层结构十分便捷有效。上述结果对于有机半导体器件的在无线指挥中的发展具有一定的理论和实践意义。     

S-SEED作为光控光开关的性能分析

介绍了对称自电光效应器件(S-SEED)的基本结构,通过等效纯电容模型对其结构进行了分析,采用直线法和N段折线法近似得出了S-SEED的电压-时间(V-t)特性表达式.在不同分析方法下利用MATLAB对其性能进行了仿真和分析,比较了S-SEED的开关性能,结果表明采用直线法所达到的时间精度可以满足实际需要;对S-SEED在不同入射功率和入射光强比下的开关性能进行了比较,发现与增大入射功率相比,增大入射光强比能更有效地提高器件性能.     

利用C-545T超薄层多层结构的白光器件

为了探讨(3-545T超薄层的发光特性,设计了结构为:ITO/2T-NATA(20 nm)/NPBX(20 nm)/C-545T(d nm)/BCP(8 nm)./Alq(40 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的绿光器件.结果表明,随着C-545T层厚度d的增加,器件的亮度和效率均下降,这是由于C-545T染料的浓度淬灭效应引起的.在此基础上,制备了基于C-545T超薄层为发光层之一的多层结构的白光器件,器件结构为:ITO/NPBX(30 nm)/Rubrene(0.2 nm)/NPBX(5 nm)/DPVBi (20 nm)/NPBX(4 nm)/C-545T(0.1 nm)/Alq(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al.在驱动电压为16 V时,其最大亮度达到12 320 cd/m2,对应的色坐标为(0.32,0.40),在电压为4 V时,最大光功率效率达到了3.45 lm/w.     

基于rubrene掺杂剂的高亮度白色有机电致发光器件

采用CBP主体材料中掺杂rubrene,制备了结构为ITO/2T-NATA(25 nm)/NPBX(20 nm)/CBP: 1%rubrene(10 nm)/NPBX(5 nm)/DPVBi(30 nm)/TPBi(20 nm)/Alq(10 nm)/LiF(1 nm)/Al的白光器件,此结构将器件的发光区控制在了DPVBi层和rubrene掺杂层.利用rubrene染料本身的载流子俘获空穴特性与CBP母体转移来的能量发射荧光特性,以及插入的5 nm NPBX的电子阻挡特性获得了高亮度的白光器件.此器件在驱动电压为16 V时最大亮度达到25 110 cd/m2,对应的色坐标为(0.30,0.34),在驱动电压为10 V时最大电流效率为5.32 cd/A,外量子效率为1.65%.而且,驱动电压在10～16 V时,即达到最大亮度和最大效率时,其色坐标都在白光等能点(0.33,0.33)附近.     

GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换(续)

正2.3大栅宽器件大栅宽常关GaN功率开关器件的发展是走向工程应用,2009年报道了栅宽为20 mm的5 A/1 100 V常关GaN功率开关器件在升压变换器中的应用[39],器件特点是,栅下F等离子处理工艺和栅极与源极的双场板结构。栅长为1.5μm,栅漏间距为12μm,栅宽为200μm的小栅宽器件,     

ITO表面处理对有机电致发光器件性能的影响

用Al2O3抛光液处理ITO表面制备了有机电致发光器件.将ITO玻璃片分别放入Al2O3水选分级后的不同粒度的抛光液中,进行不同时间的超声处理,发现随着Al2O3抛光液粒度不同、超声时间的不同、ITO的表面质量不同,器件的性能都有不同程度的变化.经过优化发现,当Al2O3抛光液水选分级后的粒度是0.6μm,超声时间为10min,采用导电层的厚度是50±10nm,方块电阻是40Ω/□的ITO时,器件的亮度在同一电压下提高了三倍多,器件达到100cd/m2的亮度所需驱动电压也由9V降至6V,器件的最大亮度在15V时达到了25880cd/m2,最大效率也由2.5cd/A提高至3.82cd/A.通过原子力显微镜对ITO表面形貌进行分析,可以看到,经过Al2O3抛光液处理的ITO玻璃片表面粗糙度降低了,粗糙度的降低有助于阳极和有机物的结合,有利于空穴的注入,从而使得器件性能得到改善.