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反应合成AgSnO2电接触材料的组织与性能研究 总被引:9,自引:1,他引:9
采用反应合成技术和传统粉末冶金技术制备银氧化锡(AgSnO2)电接触材料。利用千瓦CO2激光器模仿电弧作用在试样表面产生局部熔化,对AgSnO2块体材料进行抗熔蚀性测试。对AgSnO:块体材料进行电导率测试和X射线衍射分析,对块体材料及冷拉拔的AgSnO2线材进行显微组织分析(扫描电镜、透射电镜)。研究结果表明,采用反应合成技术可以在银基体中合成尺寸细小、界面新鲜的SnO2颗粒,所制备的AgSnO2电接触材料中,微米级的SnO2颗粒系由纳米级的SnO2颗粒聚集而成I反应合成法制备的AgSnOz电接触材料较传统粉末冶金法制备的AgSnO2电接触材料具有更高的导电性和抗熔蚀性;该方法制备的AgSnO2电接触材料由于改变了Ag、SnO2的结合状态使材料的加工性能、导电性能和抗熔蚀性同时得到改善和提高。 相似文献
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AgSnO2是最有可能替代AgCdO的触头材料,但AgSnO2在使用过程中存在接触电阻过高的缺陷。如何降低AgSnO2的接触电阻是本文重点讨论的问题。首先利用粉末冶金法制备AgSnO2Bi2O3和AgSnO2两种触头材料,并对两种触头材料进行了电弧实验,通过扫描电镜对触头材料电弧侵蚀后的形貌进行了观察和分析。然后,通过润湿性实验,测量了AgSnO2和AgSnO2Bi2O3两种触头材料的润湿角。结果发现,Bi元素的加入改善了Ag液对SnO2的浸润性,使润湿角减小,从而使AgSnO2Bi2O3经电弧侵蚀后表面形成河流状组织,避免了SnO2富集在触头表面形成绝缘层。最后,通过电性能实验验证了AgSnO2Bi2O3的接触电阻小于AgSnO2的接触电阻。通过以上实验证明,Bi元素的加入达到了降低AgSnO2触头材料接触电阻的目的。 相似文献
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一直以来掺杂改善AgSnO2触头材料的电性能大多采用"试错"的方法进行实验研究,因此寻求有效的理论支撑具有非常重要的研究意义和应用价值.该文基于密度泛函理论的第一性原理,构建三种金属元素(Sr、Ga、Co)掺杂SnO2的晶胞模型,仿真研究掺杂后SnO2的稳定性与相对电导率,得到最佳的掺杂元素Co.通过实验进行验证,首先采用溶胶凝胶法制备掺杂的SnO2粉末,X射线衍射(XRD)验证了溶胶凝胶法能够实现仿真计算建立的置换掺杂模型,再利用粉末冶金法制备掺杂的AgSnO2电触头材料,经电性能测试验证了仿真结果的正确性.为筛选掺杂元素改善AgSnO2触头材料性能提供了理论依据. 相似文献
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