首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
据《电子材料》(日)1994年第1期报道,东芝公司制造出采用0.5μmCMOS微细加工技术的ASIC新产品系列。具体情况如下:1.有实现了3.3V低电压工作的嵌入阵列TC180E系列。2.有工作电压3‘3V和5V能与LSI连接且能使用的门阵列TC183G系列,标准单元TC183C系列以及嵌入阵列TC183E系列总计有4个系列品种进入商品化阶段,现已开始订货活动。该系列的主要特点如下:1.由于各系列均采了0.5μmCMOS微细加工技术,因而门延迟时间实现了0.23ns,与采用5V单电源的本公司以往ASIC相比较,实现了20%的高速化。2.TC183G/C/E各个系…  相似文献   

2.
据《电子材料》1995年第3期报道,日本东芝公司采用0.0015μm超薄膜的栅氧化膜,研制成世界最高速的MOS晶体管,并可在室温下工作。该晶体管具有下列特性:(1)在1.5V低电压下,有世界最高的跨导,为1010mS/mm。(2)在0.5V低电压下,具有860ms/mm高跨导。通常,为实现低功耗的LSI而采用低电源电压,在低压下,降低了晶体管的电流驱动能力,而使LSI的工作速度下降。该晶体管在3.3V的电源电压下,与目前商品化的钟频为200MHz的最先进的MPU(跨导ZOOms/mm)相比,即使在低电压下也具有高跨导,因此,在1.5V低电压驱动下,也…  相似文献   

3.
汤志成 《电子世界》2007,(10):42-47
SI-3000LU系列是三肯(SANKEN)公司推出的低功耗和低输出压降、具有过流和过热保护的新型线性稳压集成电路,它们不仅可应用于计算机的辅助电源电路,而且也适用于电池驱动的电子设备。该系列共有SI-3012LU、SI-3018LU、SI-3033LU和SI-3050LU四种,其输出电压分别对应为可调节、1.8V、3.3V和5.0V。它们的外形结构完全一样,  相似文献   

4.
<正> 本文介绍的多功能数字仪表集成电路TC822内含A/D变换器、译码电路及显示驱动电路。它与同类集成电路的最大不同之处是,它由3V电源供电,而一般数字仪表IC采用9V电源(LCD显示),或5V电源(LED显示)。 特点与性能 TC822是美国Telcom公司的新产品。它是3 3/4位A/D变换器,并能直接驱动LCD。它的主要特点是:分辨  相似文献   

5.
产品博览     
《半导体技术》2005,30(10):82-83
IR推出1200V和600V高速栅极驱动集成电路系列功率管理技术公司IR日前发布了一系列带有完备保护功能的高压IGBT控制集成电路。与基于光耦或变压器的分立元件的传统方案相比,新方案除了功能先进之外,噪声免疫力更高,并将使用元器件数减少30%,占用的电路板面积缩减一半。新推出的IC系列包括1200V及600V的栅极驱动集成电路及电流传感接口集成电路,应用领域为换向电机  相似文献   

6.
《变频器世界》2008,(12):14-14
伺服驱动厂商McLennan公司日前推出了STAC6系列大功率高速微步进驱动,该系列采用320V直流母线供电,可提供高达13Nm的转矩。由于母线电压的提升,新产品将使步进驱动技术的应用范围进一步扩大。  相似文献   

7.
低压差线性稳压器单片集成电路MCP1727的输入电压范围为2.3~6V,可调输出电压范围为0.8~5V,标准固定输出电压有0.8、1.2、1.8、2.5、3、3.3V和5V几种,输出电流容量为1.5A,输入与输出电压之差典型值是0.33V.静态电源电流仅约120μA。MCP1727主要应用于高速驱动器芯片组电源、网络底板卡、笔记本电脑、网络接口卡和掌上计算机中。  相似文献   

8.
低压高速CMOS/SOI器件和电路的研制   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用全耗尽CMOS/SIMOX工艺成功地研制出了沟道长度为0.5μm的可在1.5V和3.0V电源电压下工作的SOI器件和环形振荡器电路.在1.5V和3.0V电源电压时环振的单级门延迟时间分别为840ps和390ps.与体硅器件相比,全耗尽CMOS/SIMOX电路在低压时的速度明显高于体硅器件,亚微米全耗尽CMOS/SOI技术是低压低功耗和超高速集成电路的理想选择.  相似文献   

9.
季旭东 《光电技术》2007,48(4):43-44
业界消息,松下电器产业面向液晶电视公布了支持mini-LVDS的、工作频率为250MHz的源驱动LSI“MN83896”系列。新产品的液晶面板驱动法采用的是列反转驱动法。关于耗电量,在下述条件下的耗电量由原来的0.87W降到了0.44W;预计的使用条件为:配备在帧频率为120Hz、数据线负荷为150pF、驱动电压为15V、输入数据为00-FF、输出行数为720的液晶电视上,用于播放全高清TV影像。  相似文献   

10.
信息报道     
<正>IR推出1 200V和600V高速栅极驱动集成电路系列全球领先的功率管理技术公司IR日前发布了一系列带有完备保护功能的高压IGBT控制集成电路。与基于光耦或变压器的分立元件的传统方案相比,新方案除了功能先进之外,噪声免疫力更高,并将使用元器件数减少30%,占用的电路板面积缩减一半。新推出的IC系列包括1 200V及600V的栅极驱动集成电路及电流传感接口集成电路,应用领域为换向电机驱动器、通用换向电路、开关电源SMPS和  相似文献   

11.
参数可选的高速椭圆曲线密码专用芯片的VLSI实现   总被引:10,自引:0,他引:10  
研究了椭圆曲线密码体制的VLSI实现问题。从点乘运算层与群运算层调度到有限域上的高速运算方法等方面给出了一些提高椭圆曲线上点乘运算的新方案;提出了一种域与曲线参数可选择的高速椭圆曲线密码专用芯片VLSI新结构。基于0.6mm单元库,芯片面积约为36mm2。综合后仿真结果表明:设计芯片能够有效地完成数字签名与身份验证完整流程,在20MHz下平均每次签名时间为62.67ms,高于目前报道的其它同类芯片。  相似文献   

12.
一种新型的CMOS电流反馈运算放大器   总被引:3,自引:4,他引:3  
电流反馈运算放大器在高速高频电子领域有广泛的应用,但目前市场上流行的基于互补双极性结构的电流反馈运算放大器的电源电压和功耗都较高。文章主要在文献[1~3]基础上设计了一种新型的CMOS电流反馈运算放大器,使用0.51μmCMOS工艺参数(阈值电压为0.7V),模拟结果获得了与增益无关的带宽、极大的转换速率。电路参数为:81db的开环增益、87度的相位裕度、123db共模抑制比,以及在1.5V电源电压下产生了约6.2mW的功耗。  相似文献   

13.
10 Gb/ s 0. 18 􀀁m CMOS 激光二极管驱动器芯片   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
雷恺  冯军  王志功 《电子器件》2004,27(3):416-418
基于0.18μm CMOS工艺设计的10Gb/s激光二极管驱动器电路。核心单元为两级直接耦合的差分放大器,电路中采用了并联峰化技术和放大级直接耦合技术以扩展带宽,降低功耗。模拟结果表明,在1.8V电源电压作用下该电路可工作在10Gb/s速率上,输入单端峰峰值为0.3V的差分信号时,在单端50Ω负载上的输出电压摆幅可达到1.4V,电路功耗约为85mW。  相似文献   

14.
缪瑜  冯军  章丽  熊明珍   《电子器件》2007,30(1):60-62
介绍了可用于SDHSTM-64光纤传输系统的4:1复接器.整个电路采用树型结构,低速的复接单元采用动态双相伪NMOS逻辑实现,高速的复接单元采用SCL逻辑实现,提出了一种新型采用正反馈对的单端转双端电路,实现由低速单元到高速单元的逻辑变换.基于此结构的全定制单片集成电路采用0.18μm CMOS工艺设计并实现.测试结果表明,在供电电压1.8V,50Q负载条件下,复接输出数据速率超过10Gbit/s,在标准速率10Gbit/s,输出电压峰一峰值180mV时,功耗仅为180mw,抖动4.9/s(rms),芯片面积为0.89mm^2×0. 7 mm^2.  相似文献   

15.
衬底驱动MOSFET特性分析及超低压运算放大器设计   总被引:9,自引:1,他引:9  
讨论分析了衬底驱动MOSFET的工作原理、频率特性和噪声特性,并对其低压特性进行了分析和仿真.基于PMOS衬底驱动技术,设计实现了超低压运算放大器.在0.8V电源电压下,运算放大器的直流开环增益为74dB,相位裕度为66°,失调电压为940μV,输出电压范围为110~798mV.  相似文献   

16.
日本丰田工业大学试制了可在外围温度+454℃下工作的双极集成电路。具体电路实例:试制了9段环形振荡器,并确认了其工作情况。门延迟为22ns,输出振幅约30mw、工作条件:电源电压+0.612V、电源电流903mA。通常的双极集成电路的外固温度限制为120℃左右。其主要原因是:当外围温度增高时,PN结的漏电流就会增大。为了防止漏电流增加,该集成电路中的晶体管各部分的载流子浓度比通常的高,并选用了集成注入逻辑电路。这样,提高了我流子浓度、降低了耐压。而集成注入逻辑电路的工作电压在室温下约低至+0.7V左右。这样,耐压问题解决了…  相似文献   

17.
Alison Smith 《电子产品世界》2006,(11S):I0035-I0035
杭州士兰微电子推出一款3、3V三端低压差稳压电路SC1033,SC1033是SCIOXX系列三端低功耗稳压电路的一种,有几种固定的输出电压,输出电压范围为1.5V~7.0V。该电路采用CMOS工艺制造,以获得低电压降和低静态电流。尽管该电路主要设计用来作为固定的电压稳压器,但也可与其他外部元件配合作为可调电压源和电流源使用。主要特点包括,  相似文献   

18.
闻实 《电子世界》1997,(7):25-25
<正> TC900系列是无需外接电容器的单片CMOS自稳零运算放大器,TC901是该系列中的一种新产品。与其它自稳零运算放大器相比,TC901允许使用更高的工作电压(双电源时为±15V,单电源时为32V),而且降低了静态电流(典型值为450μA)及噪声(在10Hz带宽时典型值为5μV_(p-p))。另外,它的失调电压小(典型值为7μV),从饱和状态快速恢复无需使用外部箝位电路。由于不需外接电容器,使电路增加了可靠性并降低了成本。 TC901是一种8脚器件,有两种封装形式,即塑料  相似文献   

19.
例1松下TC-2186型彩电开机工作约1分钟便发生跑台。分析检修:根据现象分析,说明该故障不是出在AFC电路,就是出在选台电路。打开后盖,将AFC开关置断位,试机故障依旧,由此断定问题出在选台电路。该机选台电路的调谐电压是由ICll02(MN1542TEAI)25脚输出的脉宽调制电压,经Qllls(2SC33llA)作倒相放大,再通过低通滤波形成的。测Cll30(33VF/50V)两端电压为30V正常,测Qlll5集电极电压却呈异常;检查Q1115及其外围元件,发现Q1115性能已变劣。将Q1115更换后,试机故障被排除。例2松下TC-2188型彩电开机工作约5秒钟便…  相似文献   

20.
一种新型的用于高速串行接口的发送器   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文提出了一种新型的适用于USB2.0高速模式下(480Mb/s的数据传送率)的发送器电路。发送器主要由前置驱动电路和主驱动电路组成。前置驱动电路和主驱动电路分别由8级延迟单元和8级驱动单元组成。通过控制延迟单元的延迟时间和改变电路级数,可控制输出数据信号特性。电路设计基于TSMC的CMOS 0.25μm混合信号模型。电路仿真表明输出信号速率达到480Mb/s,并且高低电平幅值和上升下降时间符合USB2.0协议要求。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号