高能γ光子CsI（T1）谱仪的研究与设计

利用EGS4程序包模拟研究了6.6MeV的高能γ光子在CsI闪烁体中的运动行为。决定了探测这种能量γ光子所需CsI晶体的大小。根据模拟计算和实验的要求。设计了CsI(T1)γ光子谱仪。用^137Cs和^22Na源对谱仪的测试表明，此探测器具有较好的探测效率，在0.662MeV的光电峰上可以达到74％。模拟计算对3.3和6.6MeV的光电峰可以分别达到37.12％和23.00％。     

蒙特卡罗方法模拟反符合屏蔽γ谱仪

本文用蒙特卡罗方法模拟反符合屏蔽γ谱仪中γ射线、电子及其二者级联簇射,给出了探测效率、沉积能谱、响应函数和能量分辨。计算结果同实验相符。可为设计反符合屏蔽γ谱仪提供理论数据。     

环境测量用NaI(Tl)γ谱仪

本文报道以φ100×100mm的低钾NaI(T1)晶体和GDB-76F型光电倍增管组合探头为探测器的室内外通用γ谱仪。在铅屏蔽室内,γ光子能量从0.05—2MeV范围本底计数率为1053计数/min。对~(137)Cs面源(φ5mm)的γ射线能量分辨率<10％,全能峰效率为16.3％,测量1000min,置信水平为95％,最小可探测下限为0.06Bq。环境就地测量20min可分析出10m半径范围内土壤中U系,Th系、~(40)K和~(137)Cs等核素的比放活度,并可给出距地面1m高处它们各自的γ吸收剂量率及总吸收剂量率值。     

NaI（Tl）—HPGeγ—γ符合谱仪系统死时间校正方法

本文讨论了ＮａＩ（Ｔｌ）－ＨＰＧｅγ－γ符合谱仪系统死时间的校正方法。用双源法分别对符合道和分析道的死时间进行了测量。给出了γ－γ符合谱仪系统死时间校正因子的计算公式。并将该公式应用于核数据的测量工作中，对测量的γ活性进行了死时间的校正。     

基于反宇宙射线γ谱仪的水样品测量

本文基于本底水平较低的反宇宙射线γ谱仪,对其在水样品测量上的应用进行了探讨。文中使用水标准源对反宇宙射线γ谱仪进行效率刻度,比较不同形状水样品探测效率差异,对采集的某水样品经蒸发浓缩后测量,比较反宇宙γ谱仪与其他γ谱仪测量水样品的探测限。结果γ射线能量E<130 ke V时,反宇宙γ谱仪对马林杯(?17 cm×17 cm)水样品的探测效率低于圆柱体(?7. 5 cm×7. 0 cm)水样品,而E>130 ke V时,马林杯水样品的探测效率明显大于圆柱体样品。反宇宙γ谱仪测量马林杯水样品的探测限比圆柱体水样品探测限低一个数量级。反宇宙γ谱仪对同一水样品的探测限比常规高纯锗谱仪低一个数量级,该反宇宙γ谱仪直接测量未经前处理马林杯水样品中核素144Ce、137Cs和60Co的探测限分别为3. 07×10^-2Bq/L、3. 67×10^-3Bq/L、3. 70×10^-3Bq/L。结论是反宇宙射线γ谱仪可用于低水平放射性水样品测量,其优势在于减少前处理时间,缩短样品测量周期,大大降低探测限,提高测量精确度。     

NaI（Tl）－HPGeγ－γ符合谱仪系统死时间校正方法

本文讨论了ＮａＩ（ＴＩ）－ＨＰＧｃγ－γ符合谱仪系统死时间的校正方法。用双源法分别对符合道和分析道的死时间进行了测量，给出了γ－γ符合谱仪系统死时间校正因子的计算公式。并将该公式应用于核数据的测量工作中，对测量的γ活性进行了死时间的校正。     

反康普顿γ谱仪性能的蒙特·卡罗方法模拟

在建立反康普顿γ谱仪的过程中，用蒙特·卡罗方法对谱仪的主要性能进行了模拟计算，从而证明谱仪的物理设计是成功的。     

便携式就地NaI(Tl) γ谱仪

介绍了一种便携式就地ＮａＩ（Ｔｌ）γ谱仪,该系统可用于环境或核事故后就地γ能谱的测量,给出了环境中放射性核素的组成及各自的质量活度（Ｂｑ／ｋｇ）或表面活度（Ｂｑ／ｃｍ＾２）和地面１ｍ高度的周围收剂量率（Ｇｙ／ｈ）。     

基于蒙特卡罗方法模拟的康普顿抑制γ谱仪性能设计

在建立康普顿抑制γ谱仪的过程中，用蒙特卡罗方法对谱仪的主要性能进行模拟计算，据此提出了性能设计参考值。     

蒙特卡洛法计算γ谱仪的源γ总效率

叙述了蒙特卡洛法计算γ谱仪源γ总效率和体源自吸收因子的基本原理及主要公式，采用了立体角加权技术。用Ｑｕｉｃｋ Ｂａｓｉｃ语言编制了ＨＰＧｅ深测器对“Ｍａｒｉｎｅｌｌｉ Ｂｅａｋｅｒ”型体源的计算程序。计算中细考虑了源盒，真空壳，死层及Ｐ型芯等影响，程序可给出源γ总效率，立体角因子，自吸收因子，γ射线穿过源，晶体等的几何距离和γ射线穿过源的等效距离等结果，计算结果与文献和实验作了比较。     

用反符合和热中子屏蔽降低γ谱仪本底

新建的一台反宇宙射线低本底HPGeγ谱仪,在物质屏蔽的基础上采用反符合和热中子屏蔽联合方法,实验研究次级宇宙射线μ子和中子产生的本底。结果表明,反符合屏蔽(塑料闪烁探测器)能大幅度降低μ子产生的本底,还能有效抑制快中子与锗晶体和屏蔽材料非弹性散射引起的本底,100-2000keV能区反符合积分本底抑制系数可达8倍。热中子屏蔽(镉吸收片)的加入可明显降低锗晶体和屏蔽材料热中子俘获产生的本底,使511keV正电子湮灭峰本底的抑制系数由5.8倍提高到20.7倍,100-2000keV反符合积分本底抑制系提高到13.2倍。     

就地HPGeγ谱仪校准系数的蒙特卡罗计算

本文采用蒙特卡罗方法和技术,建立了用于环境测量的就地ＨＰＧｅγ谱仪对点源的全能峰探测效率因子和角响应校正因子的ＭＣ计算数学模式,进而利用Ｂｅｃｋ公式,给出了理论计算就地ＨＰＧｅγ谱仪测量土壤中天然和人工放射性核素的比活度校准系数及其地面上１ｍ高处的空气吸收剂量率校准系数的方法。     

NaI(Tl)γ谱仪测量数据的计算机处理方法

本文介绍了使用NaI(T1)γ谱线在铅室内分析环境土壤样品和就地γ辐射谱测量的刻度方法,以及专用微机解谱程序的功能和使用方法。     

~(161)Tb低能γ射线发射几率的精确测量

利用4疴-γ符合装置和低能光子谱仪精确测量了161Tb衰变γ射线的发射几率。对于25.7 keV、48.9 keV和74.6 keV的低能γ射线,测定结果分别为0.2327 0.0053、0.1700 0.0031和0.1001 0.0019。表明本测量结果的不确定度明显减小。     

Ge(Li)γ谱仪全能峰效率的蒙特卡罗模拟计算

本文用蒙特卡罗方法模拟计算了Ge(Li)γ谱仪的全能峰效率,与实验结果比较,两者在±10％的误差内符合。     

基于用MCNP程序模拟的HPGeγ谱仪的屏蔽

采用蒙特卡罗程序MCNP模拟了实验室HPGeγ谱仪外层屏蔽物对本底γ射线的屏蔽计算，了解物质对γ射线的屏蔽效果，并在实验的基础上给出了模拟的基本数据。然后通过HPGeγ谱仪的实测谱与模拟结果相比较，以验证模拟计算的正确性。     

一台自行组建的低本底Ge（Li）－NaI（T1）反符合γ谱仪

本文报道自行组建的一台Ｇｅ（Ｌｉ）－ＮａＩ（Ｔｌ）反符合γ谱仪的结构和性能。主探测器是φ６１．５ｍｍ×５６．０ｍｍ的同轴Ｇｅ（Ｌｉ）探测器（灵敏体积为１５０ｃｍ￣３），由φ８８．９ｍｍ×７６．２ｍｍ的圆柱形ＮａＩ（Ｔｌ）晶体和外、内径×高为２５４ｍｍ、８８．９ｍｍ×３０５ｍｍ的环形ＮａＩ（Ｔｌ）晶体构成井型反符合探测器，主要的物质屏蔽层是１００ｍｍ铅＋１５ｍｍ钢＋５ｍｍ铜。Ｇｅ（Ｌｉ）探测器对￣（６０）Ｃｏ１３３３ｋｅＶ能量的分辨率为２．４ｋｅＶ，峰康比为４４，相对探测效率为２４％。在反符合屏蔽条件下，谱仪在康普顿坪（３５８—３８２ｋｅＶ）和康普顿端（４６０—４８４ｋｅＶ）的抑制因子分别为５．Ｏ和５．４；康普顿区积分（５０—５９５ｋｅＶ）抑制因子３．６，峰康比（￣（１３７）Ｃｓ点源）为４９４。在１００—２０００ｋｅＶ能区屏蔽室内、外的积分本底比为１：１３１。加反符合和不加反符合条件下的积分本底抑制因子为３．５，加反符合后的积分本底为１７．２ｃｐｍ。当测量时间１０００ｍｉｎ、置信度９５％时，￣（１３７）Ｃｓ的最低可探测活度（判断限）为５．８ｍＢｑ．２４小时内，￣（２４１）Ａｍ、￣（１３７）Ｃｓ和￣（６０）Ｃｏ     

野外γ谱仪刻度的蒙特卡罗模拟

用蒙特卡罗方法对NaI(Tl)野外γ谱仪刻度进行模拟,计算谱仪的响应系数.通过与实验的比较,研究利用蒙特卡罗方法对NaI(Tl)野外γ谱仪进行刻度的可行性.结果表明,当模拟探测器对137Cs的能量分辨率从8%～14%变化时,模拟结果与实验结果的差别在12%以内.     

反符合屏蔽γ谱仪中宇宙线辐射本底的减弱

低水平放射性测量的重要条件,要求探测器的本底较小。在实验室里,本底来源可分为三个方面:探测器及其邻近屏蔽材料的污染;实验室周围环境的射线;宇宙射线。本底要最小,就必须尽力降低这三方面的影响。本工作除在前二者作了努力外,特别在压低宇宙射线本底方面作了细致观察和处理。结果,使得该谱仪的本底成为当前同类谱仪中最低的一个,达到8.7±0.1个/min(100-2000 keV能区)。