Co-Fe-Ni-Nb-Si-B非晶软磁合金薄带巨磁阻抗效应

研究了Ｃｏ－Ｆｅ－Ｎｉ－Ｎｂ－Ｓｉ－Ｂ非晶软磁合金薄带的磁性和巨磁阻抗（ＧＭＩ）效应。样品在３５０℃下退火６０ｍｉｎ后获得了最佳的软磁特性,并表现出优良的ＧＭＩ效应。在１．４ＭＨｚ的交变电流频率下,获得了最大的ＧＭＩ效应,磁阻抗比ΔＺ／ＺＳ＝（Ｚ０－ＺＳ）／ＺＳ最高可达１９２％。在低频下得到了显著的巨磁电感效应,在１００ｋＨｚ下,磁电感比达到７６９％。在高频下,材料表现出优良的巨磁电阻效应,在１３     

Fe88Zr7B4Co1软磁纳米晶薄带的巨磁阻抗效应

利用熔旋快淬技术在铜辊速度为40 m/s的条件下制备了Fe88Zr7B4Co1薄带,分别经550、600、650、700、725、750℃退火处理30 min,形成纳米晶薄带.研究了退火温度、外磁场和驱动电流频率对巨磁阻抗效应的影响.发现存在一个最佳退火温度650℃.其bcc α-Fe相的晶粒尺寸为11.3 nm,在此温度下制备的Fe88 Zr7 B4 Co1纳米晶薄带具有最强的巨磁阻抗效应:在H=90 Oe下,频率约为1 MHz时Fe88Zr7B4Co1纳米晶薄带的磁阻抗△Z/Z0达到-52%.Fe88Zr7B4Co1纳米晶薄带具有比未掺杂的Fe88Zr7B4更强的巨磁阻抗效应.     

FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜的磁畴结构和巨磁阻抗效应

用高频溅射法制备了ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ膜,经３５０℃退火２０ｍｉｎ后得到性能优良的巨大磁阻抗材料,磁畴结构观察表明,样品中心为均匀的细条畴靠近边缘,磁畴方向转向横向,这种畴结构有利于磁力线的闭合,是获得显著的巨阻抗效应的重要原因之一,磁阻抗测量表明,样品在１３ＭＨＺ的频率下,分别获得了６３％和７％的纵向和横向磁阻抗比     

巨磁阻抗效应及其传感器

回顾电感和电阻的阻抗,对磁性导体的阻抗进行分析,对封闭式的三明治模型阻抗用Maxwell磁矢量方程和Landau-Lifshitz方程计算进行分析;对制作巨磁阻抗传感器元件的材料进行比较;对巨磁阻抗线性传感器电路、三轴巨磁阻抗效应传感器电路、GMI传感器低功耗测量集成电路进行分析和总结。     

Fe89Zr7B4退火薄带的纳米晶结构、巨磁阻抗和磁导率变化

Fe89Zr7B4薄带在550℃～720℃的温度范围内分别退火20min，析出晶粒为13nm～17nm的α-Fe。720℃退火时有微量的第二相析出。Fe89Zr7B4纳米晶薄带的巨磁阻抗效应与退火温度紧密相关，存在一个最佳退火温度，约为650℃。进一步的实验结果显示：Fe89Zr7B4纳米晶薄带在直流磁场引导下横向磁导率的变化率在650℃存在最大值。经典电磁理论与磁谱结合的模型能较好地描述Fe89Zr7B4纳米晶薄带磁阻抗与频率的依赖关系。实验数据和理论计算结果均表明，巨磁阻抗效应与磁场引导的横向磁导率的变化紧密相关。     

复合非晶丝的巨磁阻抗效应分析

研究了外层为NiFe层，里层为Ag丝的复合结构材料的巨磁阻抗效应，发现复合丝在较低频率下就有较大的阻抗变化值。同时推导了外场小于各向异性场时具有网周各向异性的复合丝的阻抗表达式，并讨论了各结构参量对巨磁阻抗效应的影响。发现材料的巨磁阻抗效应强烈依赖于复合丝铁磁层的厚度；而导体层和铁磁层的电导率相差越多则材料的巨磁阻抗效应也越大。     

Fe-Cu-Nb-Si-B快淬薄带中的巨磁阻抗效应

在Fe-Cu-Nb-Si-B材料中适当增加Cu的含量，可以使淬态薄带纳米化。随薄带中Cu含量的增加，在淬态薄带Fe74.5-xCuxNb3Si13.5B9中可观察到巨磁阻抗效应的增强现象。高Cu含量（x≥2）试样的磁导率的变化率要远大于低Cu含量（x≤1．5）试样的相应数值。磁导率变化的大小与磁阻抗效应相关。高Cu含量有效增加了软磁α-Fe（Si）立方相的成核，提高了淬态薄带材料的软磁性。     

Fe84Zr2．08Nb1．92Cu1B11纳米晶薄带中的巨磁阻抗效应

摘要：利用真空甩带机制备了Fe84Zr2．08Nb1．92Cu1B11金属快淬薄带。X射线衍射结果表明：薄带经570℃退火后析出纳米化结构bccα-Fe相，晶粒大小约为20nm～40nm，利用HP4294A阻抗分析仪测量了此纳米晶薄带中的巨磁阻抗效应。结果显示在低频下阻抗随外磁场单调减小，这主要是由于磁导率随外磁场的变化导致的，高频下阻抗随外磁场变化出现1个峰值，这主要是由于横向各向异性的原因。运用计算机模拟了这一结果，发现磁导率随外磁场的变化在外场与各向异性场的比值约为0．9处出现了峰值，巨磁阻抗效应也在此位置出现峰值。并且随着驱动电流频率的增大峰值变大。     

Co-Fe-Si-B非晶丝的巨磁阻抗效应研究

通过傅立叶分析模型研究了CoFeSiB非晶丝的GMI效应，将得出的阻抗计算结果与实验比较，发现该模型较符合实验规律。同时计算了非晶丝半径、饱和磁化强度以及电阻率对GMI效应的影响，结果表明增大非晶丝半径，增大饱和磁化强度以及降低电阻率都能使非晶丝的巨磁阻抗效应增大。     

Design and Fabrication of Magnetic Sensor Based on Giant Magneto-Impedance Effect

A large giant magneto-impedance effect was observed in CoFeSiB amorphous ribbon which was treated with the longitudinal field annealing in an atmosphere of Ar for one hour at 10-3 T and 400 ℃. The maximum magneto-impedance ratio is 475% and magnetic sensitivity of about 120%/Oe (1 Oe=80 A/m) at 20MHz, which is helpful to improve the sensitivity of magnetic sensor. The performances of the sensor were carefully studied in open-loop and closed-loop with negative feedback. The full measurement range of the magn...     

直流偏置电流对钴基非晶带环形磁芯巨磁阻抗效应的影响

将近零磁致伸缩系数的Co66.3Fe3.7Si12B18非晶薄带卷成环形后,在200Gs横磁场作用下,用密度为25A/mm2的脉冲电流退火30s,在穿过环形薄带圆心的直流电流产生的圆周磁场作用下的巨磁阻抗效应.激励电流频率f＞100kHz时,阻抗随圆周磁场的变化呈现对称双峰曲线;最大阻抗变化率（GMI）max随频率的升高而增大,当频率f=2MHz,幅值Ip=10mA时,（GMI）max=57%.直流偏置电流改变了非晶带横向磁导率,造成阻抗变化的不对称.偏置电流较小时,阻抗变化曲线的一边峰值得到加强,另一边峰值减弱;偏置电流较大时,两峰值都被削弱.阻抗变化的不对称性与激励电流的频率和直流偏置电流大小有紧密联系.     

稀土改性非晶带材的制备与软磁性能研究

利用稀土La掺杂Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶合金,成功制备了稀土La改性的非晶带材。对制得的非晶带材进行热处理和显微组织分析,最后测试了带材的软磁性能。结果表明:添加La改变了非晶带材的晶化温度,随着La含量的增加,晶化温度呈下降趋势。显微金相分析表明带材表面存在纹路,且纹路随着热处理温度的变化而变化。带材中内应力分布不均造成带材的厚度随温度变化而波动。La原子加入后使非晶带材的尺寸波动范围变窄,尺寸波动的临界温度也由400℃下降到300℃;在550℃×0.5 h热处理工艺时,FeCuNbSiB(La-0.5wt%)带材综合软磁性能最佳,饱和磁感强度可达到1.7 T以上,磁导率为5306。     

稀土改性非晶带材的制备与软磁性能研究

利用稀土La掺杂Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶合金,成功制备了稀土La改性的非晶带材.对制得的非晶带材进行热处理和显微组织分析,最后测试了带材的软磁性能.结果表明添加La改变了非晶带材的晶化温度,随着La含量的增加,晶化温度呈下降趋势.显微金相分析表明带材表面存在纹路,且纹路随着热处理温度的变化而变化.带材中内应力分布不均造成带材的厚度随温度变化而波动.La原子加入后使非晶带材的尺寸波动范围变窄,尺寸波动的临界温度也由400℃下降到300℃;在550℃×0.5 h热处理工艺时,FeCuNbSiB(La-0.5wt%)带材综合软磁性能最佳,饱和磁感强度可达到1.7 T以上,磁导率为5306.     

快淬态纳米晶Fe—Cu—Ta—Si—B软磁金属薄带的制备

Fe-Cu-Ta-Si-B纳米晶金属薄带可以通过快淬技术直接制备,而无需退火过程。对比Fe-Cu-Ta-Si-B快淬纳米晶薄带,发现相同Cu含量下,α-Fe（Si）更易在Fe-Cu—Nb-Si—B快淬态薄带中析出。在快淬态Fe-Cu-Ta-Si-B金属薄带中,适当高的Cu含量有利于α—Fe（Si）的成核;但过高的Cu含量反而弱化了纳米晶化,这是由于团簇效应粗化了Cu颗粒的尺寸,却减少了α—Fe（Si）的有效成核位置。     

非晶纳米晶软磁材料的发展及应用

非晶纳米晶软磁材料是近期发展起来的一种新型材料,特殊的制造工艺使其具有优异的软磁性能和力学性能,是硅钢、铁氧体和坡莫合金的替代产品.本文介绍了非晶纳米晶软磁材料的结构特征,制备方法,发展过程及其在电力电子方面的应用.     

FeCuNbSiB非晶纳米晶带材软磁性能和压磁性能研究

本文主要研究了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶带材在不同的热处理工艺和压应力条件下的软磁性能变化情况.结果表明:带材在550℃×1h热处理工艺时将晶化成纳米晶材料,此时带材软磁性能最好;纳米晶带材的|μ|,受压应力影响大,尤其是在小于0.2MPa压应力作用下,软磁性能变化非常敏感,|μ|随压力增加而迅速下降;带材Q值在小于0.2MPa压应力作用下变化非常敏感,Q值随压力增加而迅速下降.当压应力大于0.2MPa时,Q值随压应力变化不明显,压应力不影响带材Q值随频率的变化规律.