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本文介绍了多芯片组件封装的结构类型,以及不同于混合微电路组件封装的典型要求;指出了多芯片封装常用材料,并以封装实例加以说明。 相似文献
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多芯片组件的未来CharLesE·Baute混合电路和多芯片组件技术正全力以赴,以形成满足世界电子工业需求的规模生产。以前,MCM_3技术由于其速度高而受到称赞,但又因其成本高,影响大批量应用而受到指责。现今,推动MCM_3技术蓬勃发展并成为主要生产... 相似文献
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介绍了一种采用铜-聚酰亚胺薄膜多屡蒸板的多芯片组件(MCM),它解决了高频下维持较低变调噪声带来的传输损耗增大,以及大量LSI芯片的同时切换噪声增大的问题。 相似文献
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多芯片封装工艺在实现电子产品小型化,提高电性能,降低成本和改进可行性方面具有很多优越性,多芯片组件正广泛用于军事/航空航天,计算机,通信汽车和商用产品中,本文主要介绍了MCM在这些领域的最新应用现状。 相似文献
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高温电子封装需要功率开关器件、元源元件及材料均能经受高达30012的工作环境温度。以往情况下,传统硅基电子器件在工作温度高于150℃时其电性能就会出现欠缺。90年代初,出现一种市售绝缘体上硅技术(即HTMOS^TM),该技术可使器件达到至少5年、225℃的工作寿命以及300℃、少于5年的工作寿命。除了碳化硅(SiC)之外,在技术水平上之后再未出现过能经受超过300℃工作环境温度的其它别的功率器件材料。尽管SiC功率器件仍未达到商品化的程度,但十分明显,SiC技术对需要在高温环境下工作的功率电子封装设计策略将会产生影响。 相似文献
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概述了MCM的开发现状和发展趋势,分析了MCM的特点,介绍了MCM的应用情况,提出了加速发展MCM的措施。 相似文献
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综述了近几年国内、外在单芯片封装和多芯片封装方面的概况和发展趋势,提出了今后几年我们在封装领域技术研究的建议。 相似文献
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多芯片封装技术及其应用 总被引:2,自引:0,他引:2
文章评述多芯片封装技术及目前的基本情况,这一技术在手机存储器的应用现状等。同时, 列举了当前主要的工艺特征与技术要点,从而说明多芯片封装的技术及其发展前景。 相似文献
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叠层芯片封装在与单芯片具有的相同的轨迹范围之内,有效地增大了电子器件的功能性, 提高了电子器件的性能。这一技术已成为很多半导体公司所采用的最流行的封装技术。文章简要叙述了叠层芯片封装技术的趋势、圆片减薄技术、丝焊技术及模塑技术。 相似文献
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本文介绍了多芯片封装技术和工艺方案,包含系统功能设计、物理设计、版图验证,电学热学分析和基板工艺技术,及其市场发展趋势。 相似文献
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