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报道了工作频率分别为10.7-11.6GHz和11.7-12.2GHzGaAs单片接收机的研制结果。接收机并包括四种电路,即低噪声效大器、介质稳频振荡器、混频器和中频放大器。电路均采用GaAs全离子注入平面工艺创作,并封装在金属管壳内测试.10.7-11.6GHz接收机的噪声系数达到3.5dB,增益大于35dB;11.7-12.2GHz接收机的噪声系数可达到4dB,增益大于31dB。 相似文献
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基于GaAs PHEMT在微波领域的卓越性能,设计并实现了两款Ku波段GaAs单片功率放大器。简述了GaAs PHEMT器件的工作原理,并抽取了精准的EEHEMT模型,通过独特的设计方法并结合相应的仿真软件设计了两款Ku波段单片功率放大器。经过精准测试,两款电路呈现的性能如下:在13~14GHz频带内,其中第一款电路的饱和输出功率Po>38dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益GP>20dB,典型功率附加效率PAE>28%;第二款电路的饱和输出功率Po>40dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益GP>19dB,典型功率附加效率PAE>28%。结果表明,基于PHEMT的GaAs单片功率放大器在Ku波段可以实现优良的性能。 相似文献
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简介了移动电话单片功率放大器的设计、制作,给出了电路拓扑和版图.该三级放大电路在800-900MHz内,小信号增益>35dB,饱和输出功率>32dBm,效率>34%。采用50mm全高于注入全平面干法工艺,均匀性、重复性好,工艺成品率高。 相似文献
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介绍了一种Ku波段GaAs功率放大器芯片的研制过程。芯片采用电抗匹配电路结构,三级级联放大,末级采用多胞器件进行功率合成,实现了电路的高增益和所要求的功率输出;另外,还对元器件模型技术、GaAsMM IC测试技术等进行了相应描述。在芯片的研制过程中,利用ADS软件进行仿真及优化,利用电磁场仿真进行版图设计。在4英寸(100 mm)0.25μmGaAs PHEMT工艺线上完成芯片制作,在12.5~15.0 GHz的频率范围内,脉冲饱和输出功率Po大于34.7 dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益Gp大于19.7 dB,功率附加效率PAE大于30%,功率增益平坦度小于±0.4 dB。该芯片可以应用到许多微波系统中。 相似文献
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介绍了X波段砷化镓单片驱动功率放大器的结构设计、CAD设计、工艺制作及测试结果。该放大器工作频率高、增益高,同时具有一定的输出功率,适用于各种应用环境。X波段砷化镓单片驱动功率放大器工作在8~10 GHz,典型输出功率≥20.5 dBm,功率增益≥19 dB,工作电流≤100 mA。 相似文献
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<正>GaAs单片功率放大器是70年代末发展起来的.它可在卫星接收系统中作为后级放大;可作为VCO的后续放大器,从而组成新型的微波固态源;可用于无人值守微波中继站及雷达与其它电子工程中.这一广阔的应用前景使GaAs单片功放的研究引起了国内外的极大重视.本文在研究GaAs MESFET模型参数的提取拟合、放大电路的分析设计以及最终实现 相似文献
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两级GaAs单片功率放大器 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报道了两级GaAs单片功率放大器的设计和制作,着重介绍了利用MESFET的小信号模型和直流负载特性设计MESFET在大信号状态下的最佳功率匹配的方法,该方法大大简化了放大器匹配电路的设计.制作在1.9×0.9mm GaAs外延片上的两级放大器,1dB带宽800MHz(670~1470MHz)频带内,最大小信号增益24dB,最大输出功率300mW.功率附加效率17.8%. 相似文献
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采用GaAs PHEMT工艺,研究了PHEMT器件材料结构和大信号建模,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制了高效率Ka波段GaAs功率放大器MMIC。电路采用三级级联放大,各级选取合适的总栅宽,使用Wilkinson功率分配/合成网络,采用阻性网络消除奇模振荡,输入输出均匹配至50Ω。在36~40 GHz频带内测试,测试结果表明:饱和输出功率大于2 W,功率增益大于17 dB,功率附加效率大于20%,频带内最高效率高达25%,芯片尺寸3.7 mm×3.2 mm。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2017,(3)
报道了一款采用0.25μm GaAs功率MMIC工艺研制的Ku波段功率放大器芯片。芯片采用三级放大拓扑结构,末级输出匹配电路按照高效率设计,同时优化前后级推动比控制前级电流。级间采用有耗匹配电路设计,提高大信号状态下的稳定性。在16~18GHz频带范围内漏压8.5V、脉宽1μs、占空比40%的工作条件下线性增益大于25dB;饱和输出功率大于12 W,饱和效率大于32%,功率增益大于21dB,功率增益平坦度小于±0.5dB。芯片尺寸为3.5mm×4.6mm。 相似文献
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报道了一款采用0.15μm GaAs功率MMIC工艺研制的Ka波段功率放大器芯片。芯片采用四级放大拓扑结构,在29~32GHz频带范围内6V工作条件下线性增益25dB,线性增益平坦度小于±0.75dB;饱和输出功率大于5W,饱和效率大于20%,功率增益大于22dB;1dB压缩点输出功率大于36.5dBm,效率大于18%。 相似文献
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研制了X波段的InGaP/GaAs HBT单级MMIC功率放大器,该电路采用自行开发的GaAs HBT自对准工艺技术制作.电路偏置于AB类,小信号S参数测试在8~8.5GHz范围内,线性增益为8~9dB,输入驻波比小于2,输出驻波比小于3,优化集电极偏置后,线性增益为9~10dB.在8.5GHz进行连续波功率测试,在优化的负载阻抗条件下,P1dB输出功率为29.4dBm,相应增益7.2dB,相应PAE〉40%,电路的饱和输出功率Psat为30dBm. 相似文献
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报道了S波段低功耗单片前置放大器的研制结果。该单片电路采用1μm×600μmGaAsE-MESFET、源反馈电感以及具有平面结构的集总参数LC匹配元件。用离子注入技术保证电路具有较好的一致世。在2.3GHz频率点测试结果如下:Ga=80dB,NF=2.06dB/2.0V,2.2mA;Ga=10.5dB,NF=2.25dB/3.0V,4.8mA。测试结果与设计目标基本一致,这一结果说明在低功耗应用选取GaAsE-MESFET作有原器件是可行的。 相似文献
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研制了X波段的InGaP/GaAs HBT 单级MMIC功率放大器,该电路采用自行开发的GaAs HBT自对准工艺技术制作.电路偏置于AB类,小信号S参数测试在8~8.5GHz范围内,线性增益为8~9dB,输入驻波比小于2,输出驻波比小于3,优化集电极偏置后,线性增益为9~10dB.在8.5GHz进行连续波功率测试,在优化的负载阻抗条件下,P1dB输出功率为29.4dBm,相应增益7.2dB,相应PAE>40%,电路的饱和输出功率Psat为30dBm. 相似文献