基于田口方法的微波组件金丝键合工艺优化

为了提高微波组件金丝键合的可靠性,采用楔形金丝键合工艺进行了金丝互连,通过田口试验方法设计 和试验验证,确定了金丝键合最优化的工艺参数组合。研究结果表明：键合金丝质量的影响因素依次是超声功率、键 合压力和键合时间,优化的工艺参数组合依次为超声功率、键合压力、键合时间,优化的工艺参数组合为超声功率 15、键合压力16、键合时间50;采用优化后的工艺参数进行金丝键合操作,获得了稳定性良好的互连金丝,完全满 足混合集成微波电路金丝键合互连应用的需求。     

基于正交试验的金丝键合工艺参数优化

金丝键合是实现微波多芯片组件电气互连的关键技术。介绍了引线键合技术的基本形式,分析了键合工艺参数对键合质量的影响。基于正交试验方法,通过对影响25μm金丝键合第一键合点质量的工艺参数优化进行试验研究,确定最优化的工艺参数水平组合,达到提高金丝键合工艺可靠性的目的。     

微组装技术中的金丝键合工艺研究

金丝键合是微组装工艺中的一道关键工艺,金丝键合质量的好坏直接影响微波组件的可靠性以及微波特性.对金丝键合工艺的影响因素进行了分析,并通过设计实验方案对25 μm金丝进行键合实验.对键合金丝进行拉力测试,测量结果全部符合军标GJB 548B-2005要求.根据测量结果寻求最佳键合参数,对实际生产具有一定的指导意义.     

软基板金丝键合可靠性提升方法研究

金丝键合[1]是利用热、压力、超声波能量使金丝与焊盘紧密结合，从而实现芯片与基板间的电气互联和芯片间的信息互通的一种技术。金丝键合是微组装的主流技术，也是一项关键技术。理想状态下，金丝和基板之间会发生原子间的相互扩散，从而使金与金之间实现原子量级上的键合。基板的金表层和金丝的可靠键合是非常关键的质量控制点。微波组件组装过程中，常常因为金丝键合出现缺陷而导致整个产品的失效。对软基板的金丝键合改进方案进行了研究，对比分析了改进前后的实验数据，得出了最优方案，优化了软基板金丝键合工艺的可靠性。试验结果表明，采取了有效的措施之后，消除了失效隐患，对提高软基板键合点的可靠性具有指导意义。     

T/R组件中金丝键合的仿真与优化

金丝键合是微波多芯片T/R组件中实现IVRvlIC芯片电气互连的关键技术,键合的金丝直径,跨距、拱高和数目对组件的微波传输特性具有很大的影响.本文对金丝键合的等效电路模型进行了分析,并采用三维电磁场仿真软件HFSS对金丝键合进行建模分析和仿真优化,最终得出最优结果.     

微波组件细间距金丝键合工艺的可靠性分析

细间距小尺寸的焊盘键合工艺是微波组件自动键合工艺面临的关键技术瓶颈.针对具体产品,分析了细间距小尺寸焊盘的球焊键合的工艺控制要点,提出了改进劈刀结构、改进焊线模式、优化工艺参数等方面的工艺优化手段,采用该优化方法后,焊接的可靠性和稳定性得到了很大的提高,达到了提升自动球焊键合质量和提高金丝键合工艺精度的目的.     

金丝楔形键合强度的影响规律分析

金丝楔形键合是一种通过超声振动和键合力协同作用来实现芯片与电路引出互连的技术。现今,此引线键合技术是微电子封装领域最重要、应用最广泛的技术之一。引线键合互连的质量是影响红外探测器组件可靠性和可信性的重要因素。基于红外探测器组件,对金丝楔形键合强度的多维影响因素进行探究。从键合焊盘质量和金丝楔焊焊点形貌对键合强度的影响入手,开展了超声功率、键合压力及键合时间对金丝楔形键合强度的影响研究。根据金丝楔焊原理及工艺过程,选取红外探测器组件进行强度影响规律试验及分析,指导实际金丝楔焊工艺,并对最佳工艺参数下的金丝键合拉力均匀性进行探究,验证了金丝楔形键合强度工艺一致性。     

基于Rogers 5880复合介质基板的金丝楔焊键合工艺参数研究

运用正交试验法对键合效果进行了工艺参数优化方案设计和试验验证,以金丝键合强度为目标分别考察了键合功率、键合压力和键合时间3个工艺参数对键合金丝压点形态变化的影响,最终获取最优工艺参数组合为键合功率100 mW,键合时间220 ms,键合压力18 g,达到了提高金丝键合工艺可靠性的目的.     

微组装金丝键合工序统计过程控制技术

金丝键合质量是影响微波多芯片组件(MMCM)可靠性的一个主要因素,有效识别和控制键合过程的波动,是保证工艺稳定性和合格率的有效手段。SPC技术是定量判断工艺是否处于统计受控状态的核心技术。文中对某型号产品中抽取的金丝拉力数据进行正态分布拟合及正态性检验,采用均值-标准差、均值-极差控制图对金丝拉力数据稳定性进行分析,讨论了不同波动异常情况下的影响因素及解决方法。另外对金丝键合工序能力指数Cpk进行计算、评价,着重分析了提高Cpk值的有效方法。     

统计过程控制用于金丝键合质量控制研究

金丝键合是多芯片模块微组装的关键工序,概述了统计过程控制用于金丝键合质量的控制研究。主要对金丝键合前键合规范校验的10根金丝键合拉力进行统计分析,得出了金丝键合操作人员与设备间的适应性结论,有助于操作人员提高键合技能和保持稳定的工作状态,优化配置设备和人员,稳定多芯片模块产品微组装的键合质量。     

基于LTCC微波多层基板的双面微组装技术研究

传统的微波组件通常在低温共烧陶瓷(LTCC)微波多层基板上单面组装裸芯片和片式元器件,组装密度难以进一步提高.文中采用了LTCC微波多层基板双面微组装技术以提高组装密度,重点研究了高精度芯片贴装技术和芯片金丝键合技术,实现了LTCC微波多层基板双面高精度芯片贴装和金丝键合,大大提高了微波组件组装密度.实验结果表明:裸芯片的双面贴装精度均达到了±20 μm;双面金丝键合强度(破坏性拉力)均大于5 g,满足国军标要求.     

化学镀镍钯金电路板金丝键合可靠性分析

在微组装工艺应用领域，为保证印制电路板上裸芯片键合后的产品可靠性，采用化学镀镍钯金工艺（ENEPIG），可在焊接时避免“金脆”问题、金丝键合时避免“黑焊盘”问题。针对化学镀镍钯金电路板的金丝键合（球焊）可靠性进行了研究，从破坏性键合拉力测试、第一键合点剪切力测试以及通过加热条件下的加速材料扩散试验、键合点切片分析、键合点内部元素扫描等多方面分析，与常规应用的镀镍金基板键合强度进行了相关参数对比，最终确认了长期可靠性满足产品生产要求。此外，对镍钯金电路板金丝键合应用过程中需要注意的相关事项进行了总结与说明。     

φ18μm金丝引线键合工艺参数正交试验研究

金丝引线键合是在目前的混合集成电路组装工艺过程中应用最为广泛的：苍片连接技术,而细直径金丝键合对提高混合集成电路组装密度和键合可靠性是十分必要的。本文通过对影响φ18μm金丝引线第一键合点质量的键合工艺参数进行分析,采用正交试验法对键合参数进行试验研究,为φ18μm金丝引线键合的应用提供实验依据。     

微波组件硅铝丝键合工艺参数的优化

通过控制单一变量的试验方法,研究了超声功率、超声时间、键合压力等参数对硅铝丝键合一致性和可靠性的影响,分析了每个参数对硅铝丝键合的影响规律.通过正交试验方法,优化了键合参数组合,并进行试验验证.通过环境试验对微波组件中硅铝丝键合的可靠性进行评价,在某产品上进行验证,并抽样对其可靠性进行评价.产品键合点形貌良好,一致性高...     

芯片剪切力、键合强度改进案例

本文介绍了某微波组件芯片剪切力和键合强度的改进案例，通过正交试验优化了粘片和键合两个关键工序，保证了产品批量生产的可靠性和工艺一致性。     

一种提升电路板键合可靠性的前处理方法

为解决微波组件生产过程中多次使用钎焊与胶粘工艺,带来的助焊剂氧化残留、导电胶油剂沾污镀金焊盘和电路板加工生产过程引入的油墨沾污镀金焊盘等问题。对键合焊盘的前处理方法进行研究,提出一种激光微刻蚀键合焊盘的前处理方法,对电路板键合界面进行100%激光微刻蚀处理,使得键合界面“归一化”,提升键合焊点质量。彻底消除由于键合界面清理不彻底,导致虚焊、脱焊、键合强度偏低的现象,确保引线键合的可靠性,以期为微波组件生产工艺人员解决键合界面沾污问题提供参考。     

金丝键合工艺技术研究

金丝键合是芯片组装的关键工序。分析了金丝键合的工艺控制要点：键合时间和键合功率,通过工艺实验总结出了键合时间和键合功率对键合强度的影响规律：（1）在小超声功率条件下,键合强度对键合时间敏感,键合强度随时间增加迅速增大;在大超声功率条件下,键合强度对键合时间的敏感性下降。（2）超声功率过小不能形成足够的键合强度,超声功率过大使得键合成功后的键合强度被破坏,即过高的超声功率将不利于键合强度的提高。     

镀钯铜丝芯片键合工艺控制和可靠性研究

随着金价的不断上升,集成电路封装成本越来越高。为此,集成电路封装厂商纷纷推出铜线键合来取代金丝键合,以缓解封装成本压力。但是纯铜丝非常容易氧化,为了提高键合生产效率及产品可靠性,目前封装厂商主要采用镀钯铜丝作为键合丝。对集成电路镀钯铜丝键合生产技术和工艺控制方法进行了探讨,并和金丝及纯铜丝工艺控制进行了比较分析。对镀钯铜丝键合工艺主要失效模式进行了介绍和说明,并就弹坑检测试验方法进行了比较分析和总结。特别是对特殊产品的弹坑检测试验如何才能确保结果准确,进行了实例分析。     

3D模块金丝键合在线检测技术研究

对金丝键合后键合质量的在线自动快速光学检测的原理、建模和检测成功率进行了概述,同时通过具体案例对金丝键合质量在线检测技术进行了研究。解决了键合质量的自动化在线检测的工程应用,对稳定3D微组装的键合质量起到积极的作用。     

提高基板键合可靠性的等离子清洗工艺研究

通过等离子轰击可以有效提高金丝键合的可靠性。氩气等离子清洗后,基板容易金丝键合,破坏性拉力测试后键合点留压点,键合力有明显提高。5880基板最优的清洗参数是功率200 W,清洗时间600 s,气体流量150 ml/min,并且等离子处理之后2 h内完成键合,效果最佳。