低温应力退火Fe基合金薄带巨磁阻抗特性的研究

通过同步辐射X射线衍射技术,观测Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带经过不同温度和不同应力退火60 min后样品的微观结构,利用HP4294A型阻抗分析仪测量相应样品的巨磁阻抗比与磁各向异性。研究结果表明,在450℃下施加不同应力退火的样品仍然处于非晶结构状态,并且在应力为112.1 MPa的条件下产生优异的磁性能,样品的最大巨磁阻抗比达到了1818.7%,是自由退火条件下最大巨磁阻抗比的1.9倍,同时能够改变巨磁阻抗曲线的形状,使Fe基合金薄带的巨磁阻抗曲线具有宽线性的特性。对实验数据进行拟合后发现,样品的最大巨磁阻抗比和磁各向异性场与外加应力都具有线性关系,磁感灵敏度与外加应力具有负指数关系。通过探究发现具有非晶结构的Fe基合金薄带的磁学性能对应力敏感,可以作为研究非晶纳米晶合金材料应力敏感问题的另一个新方向。     

玻璃包裹Fe基纳米晶丝的高频巨磁阻抗效应

采用高频感应加热熔融拉引法制备玻璃包裹Fe73.0Cu1.0Nb1.5V2.0Si13.5B9.0纳米晶丝,细丝直径D约为3～20μm,玻璃层厚度d在1～2μm之间,其中玻璃层厚度占细丝总直径较小.研究结果发现,玻璃包裹Fe73.0Cu1.0Nb1.5V2.0Si13.5B9.0纳米晶细丝具有良好的高频巨磁阻抗效应,细丝磁阻抗的变化主要由电阻部分的变化决定,同时出现最大磁阻抗变化时对应的外磁场值Hm随频率的增加向高场方向移动.系统研究了不同条件细丝在趋肤效应开始明显时的起始频率f0变化情况,讨论了影响f0的各种可能因素.     

焦耳-应力退火对Co基薄带巨磁阻抗的影响

采用焦耳-应力退火处理了Co_83.2Fe_5.2Si_8.8B_2.8非晶薄带,利用阻抗分析仪和磁光克尔效应显微镜分析了焦耳-应力退火前后Co基薄带的巨磁阻抗效应和磁畴结构。结果表明,经焦耳-应力退火后,薄带的GMI效应得到提高,24.5 MPa焦耳-应力退火后,0.4 MHz时,薄带的最大阻抗变化率达到47.6%,1 MHz时,其磁场响应灵敏度达到280.2%/(kA/m)。磁畴观察发现,随退火过程中拉应力的施加,薄带表层横向带状畴内部逐渐形成细小纵向畴,同时横向带状畴逐渐向纵向偏转,表明对于具有负磁滞伸缩系数的Co基薄带,焦耳-应力退火可以促进薄带内衍生纵向细畴,且纵向拉应力的施加,增强了薄带的纵向各向异性。因此,焦耳-应力退火改善了薄带的低频纵向驱动GMI效应,磁场响应灵敏度也大幅度提高。     

应力作用下电流退火对钴基非晶薄带的巨磁阻抗效应的影响研究

采用应力作用下的直流电流退火处理Co68.2Fe2.3Mo2Si12.5B15非晶薄带，详细讨论了应力退火前后Co基薄带的巨磁阻抗效应的变化，以及退火时间对巨磁阻抗效应的影响，研究表明：应力作用下的电流退火有利于巨磁阻抗效应的提高，并可以通过控制退火时间控制阻抗与外场变化关系曲线形状。     

巨磁阻抗效应研究的最近进展

本文简要介绍最近几年来有关巨磁阻抗效应理论的研究概况,并综述巨磁阻抗材料的研究进展,指出为了更好地理解巨磁阻抗效应对其微观机理的研究是必要的。     

铁基纳米微晶玻璃包裹丝的软磁性能及巨磁阻抗效应

采用高频感应加热熔融拉引法制备Fe73.0Cu1.0Nb1.5V2.0Si13.5B9.0玻璃包裹合金非晶细丝，经不同温度下退火处理得到玻璃包裹纳米微晶丝，并对其软磁性能及其巨磁阻抗效应的特点进行了研究。结果表明，样品在退火温度为540～570℃时具有最佳软磁性能，并在570℃得到最大磁阻抗变化为253％．是目前国际同类材料的玻璃包裹丝中观察到的最大值。     

钴基软磁非晶合金的巨磁阻抗效应研究进展

介绍了钴基软磁非晶合金丝与薄带的制备方法,重点讨论了频率、磁各向异性等因素对巨磁阻抗效应的影响.对非晶合金的巨磁阻抗效应传感器的应用进行了展望.     

FeSiB薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应研究

软磁材料中存在巨磁阻抗 (giantmagneto impedance ,GMI)效应以及与之相同来源的应力阻抗 (stress impedance ,SI)效应 ,利用这两种效应可以制成具有高灵敏度的微型化的磁场和应力 应变传感器。本文基于传感器的实际应用 ,对图形化的、较大磁致伸缩的FeSiB单层和多层薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应中频率和退火的影响进行了研究。结果表明 ,对于两种效应 ,经过退火处理的单层和多层膜均可在较低的频率下得到较高的灵敏度 ,而多层膜中的应力阻抗效应将为新型高灵敏传感器的设计和研制开辟一条崭新的途径     

铁基巨磁阻抗薄膜的研究

溅射方法制备的非晶Ｆｅ６８Ｃｕ０．５Ｃｒ４Ｖ５Ｓｉ１３．５Ｂ９薄膜,通过适宜的退火处理得到具有纳米ａ－Ｆｅ（Ｓｉ）和非晶母相的混合结构和最佳的软磁性能,相应的巨磁阻抗值最高可达７２％。本着重研究了热处理条件、薄膜组织结构、较磁性能以及驱动电流频率对Ｆｅ６８Ｃｕ０．５Ｃｒ４Ｓｉ１３．５Ｂ９薄膜磁致阻抗的影响。     

非晶带巨磁阻抗效应磁场测量仪

利用退火处理后的Co66.3Fe3.7Si12B18非晶带作为敏感元件,研制出一种基于非晶带巨磁阻抗效应的磁场测量仪。设计了传感器的信号处理电路及测量仪的硬件电路,并给出实验结果。实验表明,该测量仪能够检测-260—+260A/m范围内的微弱磁场,可应用于地球磁场、环境磁场等微弱磁场检测领域。     

纳米晶铜膜的原位拉伸研究

用磁控溅射在醋酸纤维基片上获得纳米晶（２０～３０ｎｍ）铜膜，在透射电镜下原位拉伸的结果表明，在加载裂尖前存在由局部塑性变形引起的减薄带，微孔洞在减薄带中形核。导致主裂纹扩展的孔洞长大和连接过程也与局部塑性变形有关。     

ZnFe2O4纳米晶的性能

用ＰＥＧ凝胶法合成出不同平均粒径的ＺｎＦｅ２Ｏ４纳米晶。用ＴＥＭ和ＸＲＤ分析其结构、粒径和形貌。用磁天平仪和红外光谱仪（ＩＲ）等手段研究其性能。结果表明ＺｎＦｅ２Ｏ４纳米晶在室温下有磁性，表面不饱和离子配位数降低。     

等温退火Fe_（73．5）Cu_1Mo_3Si_（13．5）B_9合金的纳米晶结

本文用ＸＲＤ和ＴＥＭ研究了Ｆｅ_（７３．５）Ｃｕ_１Ｍｏ_３Ｓｉ_（１３．５）Ｂ_９非晶合金在５２０℃，２０－１２０ｍｉｎ退火后形成的纳米晶结构。结果表明，晶化相为局部具有ＤＯ_３超结构的α－Ｆｅ（Ｓｉ），尺寸约为１４ｎｍ，α－Ｆｅ（Ｓｉ）晶粒由ＤＯ_３有序区和无序区组成。随退火时间的延长，α－Ｆｅ（Ｓｉ）的体积分数，Ｓｉ含量及ＤＯ３有序区尺寸增加。在退火时间为６０ｍｉｎ时，残余非晶相处于一特殊结构状态。α－Ｆｅ（Ｓｉ）相和残余非晶相结构对合金的起始磁导率均有影响。     

Fe—SiO2颗粒膜中的磁电阻效应和霍耳效应

利用射频共溅射方法制备了一系列不同金属体积分数fv的Fe-SiO2金属-绝缘体颗粒膜.系统地研究了薄膜的微结构、磁性、隧道磁电阻效应(TMR)和巨霍耳效应(GHE).在fv=0.33处得到最大磁电阻值为-3.3%,fv=0.52处饱和霍耳电阻率达最大值,为18.5μΩ·cm.在300℃以内的不同温度下将Feo0.52(SiO2)0.48颗粒膜回火,霍耳电阻率随温度的变化不大,即样品具有良好的热稳定性.这表明Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜在工作于300℃下的磁场传感器方面有很好的应用前景     

Co／Cu／Co三明治膜的巨磁电阻效应研究

采用超高真空电子束蒸发方法在硅单晶衬底上制备了Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜,研究了衬底晶向、过渡工层材料和生长室温度对三明治膜中巨磁电阻效应的影响;结合原子力显微镜表面形貌观察,探讨了三明治膜表面（界面）组糙度与其巨磁电阻效应的内在关系;还分析了三明治膜经高温热退火后巨磁电阻效应退化的物理机制。     

NiTiCu合金相变过程的研究

本文用差示扫描量热法研究了 Cu 对 NiTi 记忆合金马氏体相变点及相变潜热的影响。结果表明,以 Cu 代替 Ni 至30 at.%,合金仍具有良好的记忆性能;合金相变温度及相变潜热值略有变化,相变滞后明显减小;Cu 含量对合金相变类型没有影响。相变潜热值△H 与 T_0=1/2(A_s+M_s)并不存在严格的直线关系。Cu 含量超过7.5at.—%时,合金的热加工性能变差。     

聚合物增韧机理研究进展

详细总结了聚合物曾韧机理研究的进展及前景，并讨论了分散相橡胶粒子形态，结构对增韧效果的影响，概括了橡胶增韧聚合物及其加工的基本原则。     

磁控溅射沉积NiCrAlY涂层中的氩及其对氧化行为的影响

用直流磁控溅射沉积NiCrAlY涂层。发现使用较高的负偏压时,涂层中掺有氩,其含量与负偏压的立方成正比。用SEM和TEM观察,发现高偏压下沉积的涂层中有微孔和微裂纹。因此,过高的负偏压导致涂层的氩含量激增,以至严重降低涂层的周期氧化性能。     

反应磁控溅射工艺中的滞后效应研究

研究了反应磁控溅射的动力学过程。理论分析与试验结果表明:反应气体流量随其压力的变化呈滞后效应,最佳镀膜工艺位于滞后区域。给出了金属靶阴极表面溅射清洗效果的伏安特性评价法,为克服"靶中毒"提供了有效的技术途径。     

近距离爆破引起的隧道周边振动场

首先分析了近距离爆破造成的隧道周边振动场分布规律 ,指出最大振动速度出现在爆破振动波正入射部位的墙壁和拱部 ,墙脚点振动速度较小 ,背爆侧振速只有迎爆侧的 1 / 2 5。其次 ,根据大量测试数据分析 ,论述了爆破性质、地质条件对振动衰减的影响 ,并作了进一步的理论解释。最后根据振动分析 ,提出了有关降低爆破振动的措施