IC卡中薄芯片碎裂失效机理的研究

薄/超薄芯片的碎裂占据IC卡早期失效的一半以上,其失效模式、失效机理亟待深入研究.本文分析了芯片碎裂的失效模式和机理,并结合实际IC卡制造工艺以及IC卡失效分析实例,就硅片减薄、划片、顶针及卡片成型工艺对薄IC芯片碎裂的影响进行深入探讨.     

第四届IC的先进光子学失效分析技术APFA05国际研讨会举行

由复旦大学国家微分析中心和日本滨松光子学株式会社联合举办的第四届“IC的先进光子学失效分析技术APFA05国际研讨会”于2005年11月29日在上海复旦大学成功举行。此次研讨会得到了微电子业界的热烈响应，来自上海及长三角地区的近40家IC设计和制造单位的80余名代表参加了会议。此次研讨会上共宣读了8篇论文，其中既有国内外资深专家对与IC设计、制造密切相关的先进失效分析技术的最新动态介绍和前瞻性论述，也有富有实际经验的技术专家对先进失效分析技术的应用报告。     

集成电路可靠性应用技术

本文主要论述集成电路加速寿命测试理论方法和IC常见失效模式.加速寿命测试包括定性高加速寿命HALT测试技术和定量加速寿命测试Arrhenius model等,该测试技术主要应用于IC设计前端识别失效模式和IC设计定型阶段估算IC正常使用条件下的寿命信息,及时有效的评估IC设计平均寿命;在电子产品制造系统中,常常有两种失效模式:ESD静电损伤和LATCH-UP失效现象,对以上可靠性指标和理论作简要的论述.     

简单类COG产品电显异常的一种成因分析

通过严格的失效分析步骤,借助于切片分析手段,找到了IC的一种设计或制造缺陷。原因是IC切割线外的测试焊盘在切割不良时会有毛刺,毛刺在COG邦定过程中通过ACF的导电粒子与ITO电极发生了短路,从而导致显示异常。     

塑封IC失效分析及对策

阐述了塑封IC(集成电路)常见的失效现象,对塑封IC失效的几种分析方法和分析技术做了叙述,然后提出塑封IC失效分析的步骤,并从设计、工艺和材料控制、包装、运输等方面提出改善塑封IC可靠性的措施。     

板上驱动封装LED的电源IC失效分析

通过基础电性测试确认了板上驱动（DOB）封装LED光源的失效现象,通过X射线无损探测内部的结构,得到了基本电路结构原理图。分别对LED光源电路上的各个分立部分做示波器测试,确认了失效部位为电源IC。通过物理开封并结合扫描电子显微镜（SEM）、聚焦离子束显微镜（FIB-SEM）和能谱仪（EDS）测试,分析出该LED光源亮度下降的根本原因是电源IC异常。而该电源IC失效的原因为Fe元素残留与污染引发蚀刻异常,含Fe元素异物镶嵌在芯片内部,导致芯片内部蚀刻线路异常,造成内部功能单元失效,最终使IC功能偏离设计,局部或全部失效。     

基于像素分布特性的IC晶片视觉检测方法

IC晶片制造过程存在多种致命缺陷,致使芯片失效,导致成品率下降.冗余物缺陷是影响IC晶片成品率下降的重要原因,主要造成电路短路错误.针对冗余物缺陷对版图的影响,提出了一种简单可行的缺陷视觉检测方法,以实现冗余物缺陷的识别及电路失效形式的确定.根据摄取的显微图像的图像特征,利用光线补偿技术及形态滤波方法消除干扰噪声,以提高图像质量,采用投影定理及基于像素分布特性的检测方法,实现电路短路形式或缺陷未导致电路失效的识别.     

SRAM故障模型的检测方法与应用

静态随机存储器（Static Random Access Memory,SRAM）的功能测试用来检测该集成电路（IC）是否有功能缺陷,而目前大部分测试程序都只是集中在如何提高IC测试覆盖度,却很少能够做到检测IC是否有缺陷的同时分析这些缺陷的物理失效机理。本文介绍了一种利用不同测试算法组合测试的方法,在检测IC是否有缺陷同时,还能进行失效故障模型的分析,进一步利用该故障模型可以推测出具体的物理失效机理。该方法能显著提高测试中电性失效分析（EFA）的能力,进而提高了物理失效分析和IC制程信息反馈的效率和能力。     

集成电路失效定位技术现状和发展趋势

集成电路(IC)失效分析包含了不同的分析流程,但所有的步骤都是以失效定位和故障隔离作为第一步工作。失效定位指的是不断地缩小半导体器件故障范围直至可以进行破坏性物理分析的过程。根据IC的结构特点和分析思路,将整个失效分析流程中失效定位分为封装级失效定位、器件级失效定位和物理分析失效定位。通过定位技术结合案例分析的形式,重点介绍了时域反射、X射线断层扫描、扫描声学分析、锁相红外成像、光发射分析、激光激发技术和电压衬度等关键的失效定位技术原理和方法。总结了不同失效定位技术的适用范围和面临的挑战。同时,也对未来失效分析技术发展趋势进行了展望。     

评价IC芯片质量与可靠性的关键技术研究

对CPK、SPC和PPM三项评价IC芯片质量和可靠性的关键技术进行了研究.使用这三项技术,实际评价了芯片制造工艺中的氧化工艺.实践证明,这三项技术在工艺生产能力评估、工艺过程控制和失效分析等方面具有广阔的应用前景,特别是在工艺过程中对特殊工艺的评估.     

影响IC可靠性的几个典型因素

通过对几种IC失效样品失效分析结果的展示,叙述了这些结果的内在原因及其对可靠性的影响;针对出现的失效提出了相应的控制和纠正措施。     

第三届"IC的先进光子学失效分析技术"国际研讨会召开

<正>2004年11月25日,由复旦大学国家微分析中心、日本HAMAMATSU光子学株式会社共同主办的第三届"IC的先进光子学失效分析技术"国际研讨会(ThirdInternational Workshop on Advanced Photonics failureAnalysis Technology in IC)胜利召开。近40个单位的80位代表参加了会议,和世界一流的IC失效分析专家进行了交流,并对相关技术和市场进行了前瞻性分析。     

由版图引起的CMOS ESD保护电路失效的分析

ESD保护电路已经成为CMOS集成电路不可或缺的组成部分,在当前CMOS IC特征尺寸进入深亚微米时代后,如何避免由ESD应力导致的保护电路的击穿已经成为CMOS IC设计过程中一个棘手的问题.光发射显微镜利用了IC芯片失效点所产生的显微红外发光现象可以对失效部位进行定位,结合版图分析以及微分析技术,如扫描电子显微镜SEM、聚焦离子束FIB等的应用可以揭示ESD保护电路的失效原因及其机理.通过对两个击穿失效的CMOS功率ICESD保护电路实际案例的分析和研究,提出了改进ESD保护电路版图设计的途径.     

电迁移导致的塑封IC失效

一个八脚小型晶体管封装的商业CMOS数字电位器IC在工作大约1个月后出现了场失效。系统失效分析结果证实了失效机制：制造完成后,塑料封装内部发生金属迁移。引线框架上的镀银已溶解,重新沉积至封装内部的黏晶环氧树脂和塑料壳之间的界面边界上,成为金属“梁”。这些金属梁在邻近的引线框架脚间形成低阻电气连接,可以传输数百微安的电流（图1）。     

集成电路在要害系统应用的相关技术

介绍了IC在要害系统的应用现状。对IC在要害系统的应用特点、应用策略、相关支持技术、IC的失效分析及故障测试技术进行了探讨。该技术对在要害系统IC的使用者会有很大的帮助。     

GaAs集成电路的金属化缺陷失效定位研究

介绍了一种针对砷化镓集成电路(GaAs IC)金属化缺陷的失效定位方法。首先分析了GaAs IC不同金属化结构(如金属化互连、MIM结构、肖特基接触电极)的光发射显微及光致电阻变化(EMMI/OBIRCH)效应,再结合典型的电路原理,得到可能的电路缺陷模型与EMMI/OBIRCH结果之间的对应关系,从而快速、准确地由EMMI/OBIRCH图像得到金属化开路或者短路失效位置。案例研究结果表明,该方法可用于GaAs IC的失效定位,例如放大器、高速数字驱动电路、射频开关等,适用的失效模式包括基极金属化台阶断裂、源极金属通孔开裂形成的开路或MIM金属化桥连形成的低阻等。     

失效分析技术的趋势点

缺陷相关分析是IC失效分析技术的新趋势 通常,失效分析过程包括多种破坏性和非破坏性的测试,以识别失效的位置和机理,随后对零件进行剖析以进行验证.这种方法很昂贵、费时,并经常得出“找不到故障”（NTF）的结论.     

塑封IC常见失效及对策

本文探讨了塑封IC常见失效分析步骤、失效分析手段以及提高可靠性采取的措施：     

钽电容失效分析研究

本文介绍了钽电容的基本结构和制造工艺,并深入剖析了钽电容的常见失效模式和失效机理。通过一些技术手段结合钽电容失效的内外因分析,寻找钽电容失效的根本原因,重点对钽电容失效进行了分析归纳,提出了一些预防措施,为今后钽电容的设计、制造和应用等方面的改进提供了可靠依据。     

贴片电容器失效分析

采用外观检查、金相切片、SEM和EDS分析等手段,通过对贴片电容器失效实例的分析,介绍了对贴片电容器失效的分析过程与方法,得出了内部电极间的陶瓷介质裂纹存在并联电阻特性,这是导致电容器产生漏电失效的主要原因,该裂纹属制造缺陷。失效分析对贴片电容器制造工艺有质量控制作用。