数字信号光耦合器应用电路设计

较强的输入信号可直接驱动光耦的发光二极管,较弱的输入信号须经放大后才能驱动光耦.在光耦光敏三极管的集电极或发射极直接接负载电阻即可满足较小的负载要求;在光耦光敏三极管的发射极加三极管放大驱动,通过两只光电耦合器构成的推挽式电路以及通过增加光敏三极管基极正反馈,既达到较强的负载能力,提高了功率接口的抗干扰能力,克服了光耦的输出功率不足的缺点,又提高光耦的开关速度,克服了由于光耦自身存在的分布电容,对传输速度造成影响.最后给出了光耦合器在数字电路中应用示例.     

通用贴片式器件及应用电路(二) 光电耦合器及其应用(1)

光电耦合器(以下简称光耦)是一种发光器件和光敏器件组成的光电器件。它能实现电—光—电信号的变换,并且输入信号与输出信号是隔离的。目前极大多数的光耦输入部分采用砷化镓红外发光二极管,输出部分采用硅光电二极管、硅光电三极管及光触发可控硅。这是因为峰值波长900～940n     

浅谈三极管开关电路

三极管有三种放大电路,其中共发射极放大电路是构成数字电路的基本单元。数字电路中只有0和1两种状态,所以利用三极管截止时集电极输出的高电     

与标准Si工艺兼容的光电探测器的研制

提出采用Si基标准工艺进行研制与标准工艺兼容的光敏三极管,重点解决光敏三极管结 构与标准工艺兼容性问题,并实现对其结构、性能的优化设计。通过CADENCE软件,画出不 同光敏三极管的版图; 根据华润上华(CSMC)Si基标准工艺流程, 采用器件模拟软件Silvaco,对光敏三极管结构进行构建和仿真;基于理论分析结果,通过 设计改变结构优 化光敏三极管性能。采用CSMC标准Si工艺,实现了基区面积分别为40μm、50 μm×100μm×100μm和 100μm×100μm光敏三极管的流片、封 装和测试。结果显示,所设计的光敏三极管的响应度达到 2.02A/W,放大倍数β达到 60倍,最大带宽达到50MHz左右 。并且,标准Si工艺的低成本和放大集成电路的兼容性,使得制备的光敏三极管可以广泛 适用于快速光耦合器、光数据接收器等应用领域。     

浅谈“三极管放大电路的研究”

本文通过＂模拟电子技术实验＂中一个典型的三极管放大电路,测量了电路参数。笔者从实验的角度探讨了将三极管发射极与集电极反接时电路的状态,并从三极管的内部结构入手,从理论角度分析了实验结果。通过这个实例的实践与分析讨论,我们可以更加深入理解三极管的工作原理,掌握三极管在实际电路中的使用方法。     

电子线路学习方法(十一) 第五讲 三极管电路分析方法(上)

<正> 一、三极管电路等效理解方法三极管有三个引脚,在进行电阻等效理解时主要等效集电极与发射极之间的内阻,其他引脚之间的等效分析比较少。1.集电极与发射极之间内阻等效电路方法分析一些三极管控制电路中,需要将三极管集电极与发射极之间的内阻进行等效,如图1所示是三极管三种工作状态下的集电极与发射极之间内阻等效电路。(1)截止状态下等效电路。当三极管截止时,它的集电极与发射极之间内阻很大,许多电路分析中可以认为三极管集电极与发射极之间为开路状态。     

三极管放大了什么？

前不久有初学者问我关于三极管放大电路的问题。他认为根本不需要三极管放大电压、只需要在输出端直接给一个比较大的电压就行了。其实这是他对三极管放大的认识不够清楚。三极管放大电路的目的不是为了提高电压,电压升压是DC—DC电路模块的功能。三极管放大电路的功能是放大信号,信号是指电压波动的幅度。把小的波动幅度,变成较大的。例如,说话的声音波动幅度和“力量”较小,但在KTV的大音箱中播放出来,波动幅度很大,音量更大。理解了三极管放大的原理和意义,才能真正明白模拟电路。     

基于晶体开关管的双路控制驱动电路设计

开关管驱动电路已经广泛应用于快速开关动作的三极管的各种电子电路中,可提高电路可靠性,改善电路性能。驱动控制电路。它实际是一个通过控制信号对输入信号进行功率放大的电路,满足负载额定功率使得负载正常工作,可以对一定的输入信号进行驱动控制,虽然不同负载需要不     

光电耦合器使用常识

简易测试方法 由于光电耦合器的组成方式不尽相同，所以在检测时应针对不同的结构特点，采取不同的检测方法。例如，在检测普通光电耦合器的输入端时．一般均参照红外发光二极管的检测方法进行。对于光敏三极管输出型的光电耦合器．检测输出端时应参照光敏三极管的检测方法进行。     

怎样选用元器件讲座（六）：达林顿光电三极管

达林顿光电三极管是在普通光电三极管的基础上发展起来的光敏元件。它实质上是把光电三极管和普通双极型三极管组合在一起,构成一只具有光电效应的器件,当它受到光照时,等效光电三极管将光信号转换成电信号,此信号被双极三极管放大,其总放大倍数相当于两只三极管放大倍数的乘积。所以,灵敏度比普通光敏三极管更高,通常光电流可达十几毫安以上。但是,达林顿型光电三极管对光信号的响应速度却要慢     

光电耦合器总剂量辐照的噪声表征

 本文在研究光电耦合器工作原理、辐照理论及1/f噪声理论的基础上,分析了光电耦合器辐照噪声产生机理及特性,建立了光电耦合器总剂量辐照损伤噪声模型.研究结果表明,随着辐照总剂量增强, LED及光敏管氧化层中引入的氧化层陷阱密度增多,载流子数涨落增强,从而使电压噪声功率谱密度增加.实验结果验证理论分析的正确性,电压噪声功率谱密度可作为光电耦合器辐照损伤表征参量.     

Lateral phototransistor with low intensity light sensitivity

A lateral phototransistor with stable sensitivity to a light input of the order of 10?3lx was fabricated by a single selective diffusion of boron in n on n+ epitaxial wafer. An extended emitter electrode on SiO2, over a whole emitter-base surface junction is employed to obtain stable low-level current gain.     

The amorphous Si/SiC heterojunction color-sensitive phototransistor

An amorphous Si/SiC heterojunction color-sensitive phototransistor was successfully fabricated by plasma-enhanced chemical vapor deposition. The structure is glass/ITO/a-Si(n⁺-i)/a-SiC(p⁺-i-n⁺)/Al. The device is a bulk barrier transistor with wide-bandgap amorphous SiC emitter and base. The phototransistor revealed a very high optical gain of 40 and a response speed of 10 µs at an input light power of 5 µW and a collector current of 0.12 mA at a voltage of 14 V. The peak response occurs at 610 nm under 1-V bias and changes to 420 and 540 nm under 7- and 13-V biases, respectively.     

Optical characteristics of InGaP/GaAs HPTs

In this paper, we examined the optical characteristics of InGaP/GaAs heterojunction phototransistor (HPT) directly compared with AlGaAs/GaAs HPT for the first time. Because of its inherent good electrical properties, the InGaP/GaAs HPT produced a high optical gain of about 61 at V_C=3 V, I_B=2 μA, for an input optical power of 1.23 μW. This is 2.5 times as high as that of the AlGaAs/GaAs HPT. In the transient response, the InGaP/GaAs HPT was a little inferior to the AlGaAs/GaAs HPT. This is due to the longer time delay caused by the photo-generated hole accumulation at the interface of heterojunction. The extended response time can be overcome by using a small load resistance in conjunction with the advantage of the superior optical gain     

高灵敏度光波通信系统

本文采用小功率红外发光管作光源,用光敏二级管作光接收器件,建立了高灵敏度的光波通信系统。文中研究了光敏二极管的频响特性,合理地设计出发送和接收电路,解决了接收灵敏度和带宽的矛盾,使系统具有较高的灵敏度和较宽的频带。系统采用光滤波器,大大降低了杂散光的干扰,具有较高的信噪比。     

Ultrahigh-sensitive AlGaAs-GaAs punchthrough heterojunction phototransistor

An avalanche enhanced AlGaAs-GaAs punchthrough heterojunction phototransistor with an improved guard-ring emitter structure has been proposed. It has demonstrated a record high sensitivity of 5790 A/W and optical conversion gain of 10810 at 400-nW incident optical power level. Its novel guard-ring emitter structure can suppress peripheral recombination current more effectively, provide capability to enhance and tune the optical conversion gain at low-incident optical power and reduce the effective emitter area.     

Heric逆变器驱动电路研究与设计

传统Heric逆变器各个桥臂采用相同的驱动电路,造成保护功能的重复,文章针对Heric逆变电路上下桥臂的导通状态,对逆变器上、下桥臂驱动电路的功能进行了划分,分别设计了上、下桥臂驱动电路,使其实现互补配合的保护功能,并针对驱动电路中光耦隔离芯片输出失真的问题,在光耦输入侧加入驱动增强电路。对驱动电路进行测试,实验结果表明该驱动电路可靠性较高,在占空比变化范围较宽时失真度小,逆变器输出波形较好。     

基于Si9979Cs的无刷直流电动机驱动电路设计

设计了一种实用的无刷直流电动机驱动电路。采用Vishay Siliconix公司的Si9979Cs无刷直流电动机控制芯片进行设计。为抑制系统噪声,提高控制系统稳定性,使用高速光耦HCPL-2630对控制信号进行隔离。电机三相霍尔信号通过上拉电阻直接送入Si9979Cs的逻辑电路,控制由Si9936DY组成的三相桥式电路换相,采用三相全桥驱动。实验表明,该电路在实际运行中稳定可靠,能正常驱动Maxon 283867型高速无刷直流电动机。     

Analysis and Design Optimization of Magnetic-Feedback Control Using Amplitude Modulation

In offline ac–dc and high-voltage dc–dc power supplies, galvanic isolation between the input and output is often implemented with optocoupler feedback. However, several disadvantages exist when implementing optocoupler feedback, such as a variable loop gain due to optocoupler tolerance and sensitivity to temperature, as well as a relatively high cost. An alternative to optocoupler feedback is to use magnetic feedback, which can be designed to have insensitivity to component tolerance, and good temperature stability. Although magnetic feedback has been in use for many years, a detailed analysis and clear design procedure has not been presented in the literature. This paper presents a thorough analysis of a magnetic-feedback implementation, and provides a comprehensive design procedure that is verified on a 7-V/15-W experimental prototype.      

三种耦合方式下放大电路交流负载线的特性

通过对常见的阻容耦合、变压器耦合及直接耦合方式下共发射极放大电路交流负载线特性的研究,给出了三种耦合方式下放大电路交流负载线的共同形式,以及常见三种耦合方式下共发射极放大电路交流负载线的具体形式,阐述了这三种耦合方式下放大电路交流负载线的相同和不同之处,以及三种耦合方式直流负载线方程与交流负载线方程的关系。