ZnO／Ag纳米复合材料光催化性能研究

通过XRD、TEM测试研究了自制ZnO／Ag纳米复合材料的结构和形貌，通过UV检测确定了以该纳米复合材料为光催化剂，在不同条件下对甲基橙的光催化降解率。结果表明：与空气煅烧相比，真空煅烧所得纳米复合材料的光催化降解效果更好，且光催化降解率随纳米复合材料用量增加而增大：甲基橙溶液的pH在5左右时，光催化降解率最高：H2O2浓度为0．9g／L时，光催化降解率可达100％。     

纳米银/环氧树脂复合材料的制备及其介电性能的研究

采用紫外辐照还原的方法制备了纳米银粒子，研究了保护剂的添加、辐照强度和溶液配比等因素对纳米银粒子尺寸的影响。TEM反映出银粒子分散均匀，其粒度约为20nm。将制备出的纳米银与环氧树脂混合固化形成纳米复合电介质，研究了这种复合材料的介电性能：室温下复合材料的体积电阻率和工频击穿场强随着纳米银粒子的加入有所提高，介质损耗略有降低，而介电常数变化不大。结果表明，纳米银粒子能够提高基体聚合物的介电性能。这一现象可用库仑阻塞机制解释。     

AlN／聚乙烯复合材料的介电性能

利用模压法制备AlN/聚乙烯复合基板,研究了AlN的添加量和形态对复合基板的介电性能的影响,结果表明,随AlN含量的增加,介电常数及介质损耗均增加,在同一添加量下,纤维AlN的介电常数最大,晶须AlN次之,粉体AlN最小,而粉体AlN的介质损耗最大,纤维AlN次之,晶须AlN最小,复合材料介电常数的计算模型可描述为：ε^k=ψ1ε^k1 ψ2ε^k2 ψ3ε^k3。     

Ag/TiO_2纳米复合材料的制备及结构研究

首先采用化学氧化在块体Ti表面制备出多孔纳米TiO2,随后通过高能离子束轰击实现Ag纳米粒子在TiO2表面的有效固定,最终在Ti表面制备出Ag/TiO2纳米复合材料。采用XRD、SEM及TEM手段对其进行了结构表征。结果表明,化学氧化法可制备出多孔纳米TiO2,其晶粒尺寸为10 nm左右;通过调节高能Ar离子束轰击的时间,可对TiO2晶粒尺寸进行小范围有效控制。     

NiO／BaTiO3陶瓷复合材料制备与介电性能研究

以纳米NiO和BaTiO3粉为原料，在1100～1200℃烧结温度条件下，制备了NiO／BaTiO3陶瓷复合材料，研究了复合材料的介电性能。结果表明，随NiO加入量的增加，复合材料的介电常数和介电损耗随之降低，而且在10MHz频率附近，复合材料出现了较强的共振吸收现象。     

纳米ZnO的制备及其微波介电性能

用均匀沉淀法合成纳米ZnO粉体。经XRD和SEM分析表明产物为纤锌矿结构，呈球状或类球状。对所得粉体进行高温热处理。分析结果表明：热处理温度达600℃时，ZnO粉体颗粒小且分布均匀，平均粒径26nm。对所得产物在8．2～12．4GHz范围进行电磁参数的测量，表明：纳米ZnO粉体磁损耗很小，属于介电损耗材料，600℃热处理后，粉体与石蜡组成的复合体不仅具有良好的频响特性，且介电常数实、虚部和损耗值都较大。     

高性能Al/PVDF复合材料制备及介电性能

以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体,选用普通的铝粉为填充组分,采用一种简单的溶液共混的方法制备了两相复合厚膜材料,运用TEM、SEM 手段对复合物的微观形貌进行了表征,并研究了不同添加量的铝粉对复合材料的介电性能(介电常数、介电损耗和电导率)的影响.结果表明:铝粉的加入不仅提高了材料的介电常数,而且还具有很低的介电损耗,材料并未出现明显的渗流效应.     

Ag/TiO2纳米复合材料的结构及抗菌性能研究

采用化学氧化法在金属Ti表面制备出了多孔纳米TiO2,通过离子束溅射在TiO2表面沉积纳米Ag,最终在Ti表面制备出Ag/TiO2纳米复合材料.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM),电子探针(EPMA)等分析手段分析了500℃热处理条件下,不同Ag含量对TiO2晶型转变的影响及结构变化.同时,采用细菌生长的抑菌圈法进行测试,研究了Ag/TiO2纳米复合材料对不同菌种的抗菌性能的影响.结果表明:通过化学氧化法和离子束溅射相结合的方法可以得到具有优异抗菌性能的Ag/TiO2纳米复合材料.     

SiO2陶瓷复合材料高温介电性能研究

在室温至1000℃范围内,采用谐振腔法测试SiO2陶瓷复合材料介电性能随频率、温度的变化规律,根据电介质理论,并结合材料本身的成分及结构特征,讨论了SiO2陶瓷复合材料介电性能变化的物理本质.利用高温XRD分析了SiO2复合材料从室温至1500℃之间的相组成变化,推测出SiO2复合材料介电性能受相变影响的温度为1500℃.     

Ag/ZnO复合体系的介电特性研究

制备了银质量分数分别为1%、5%、7%、10%和20%的Ag/ZnO复合体系试样,测量其非线性特性和介电特性,研究不同银含量对试样电性能的影响.结果表明,样品的击穿场强随银含量的增大先增大后减小;根据介电频谱和温谱发现,在20℃、1 kHz时,样品的损耗随着银含量的增大而增大;样品的介电常数先减小后增大.从理论和样品的显微结构两个方面对其进行了解释.     

SiCp尺寸及含量对SiCp/Cu基复合材料电学和力学性能的影响

以纳米级、亚微米级、微米级三种粒径SiCp和微米级铜粉为原料，采用冷压烧结和热挤压方法制备出三种粒径SiCp／Cu基复合材料，分析和对比了复合材料显微组织的变化，研究了SiC。尺寸及含量对SiCp／Cu基复合材料导电性能和力学性能的影响。结果表明，不同尺寸及含量的SiCp在基体中有不同的分布形式，SiCp／Cu基复合材料具有良好的导电性能，其导电性随SiCp尺寸的增大而增高，随SiCp含量的增高而降低；其力学性能随SiCp尺寸及含量有着复杂的变化规律。     

Si_P/ZA40复合材料的制备与力学性能研究

采用复合Na盐变质处理法制备了硅颗粒增强高铝锌基复合材料,应用金相显微镜、扫描电镜、拉伸试验和冲击试验等手段研究了复合材料的组织特点、断口形貌和力学性能。结果表明:通过复合Na盐变质处理,含硅高铝锌基复合材料中硅颗粒分布细小均匀、形状规则;随硅含量的增加,材料的硬度逐渐增大,抗拉强度逐渐减小,冲击韧度逐渐降低;含6.0%硅的高铝锌基合金的拉伸断口具有脆性断裂特征。     

Ni/ZrO_2复合材料力学及介电性能研究

采用热压烧结方法,以氧化钇部分稳定氧化锆(Y-PSZ)粉体及不同粒径的金属Ni为原料,制备了Ni/ZrO2复合材料,研究了其力学和介电性能,探讨了烧结过程中Ni形貌的变化对复合材料介电性能的影响.结果表明,随不同粒径Ni粉的掺入,复合材料的抗弯强度减小,且较大粒径的Ni使材料抗弯强度减小更快.随Ni含量增加,复合材料断裂韧性增强.复合材料的介电常数和损耗与Ni粉含量和粒径有关.Ni含量相同时,较大粒径Ni粉的掺入使复合材料具有较高的介电常数和损耗,这是由于在烧结过程中Ni粉形貌发生变化引起的.     

成形温度对SiCP/Al复合材料性能的影响

采用粉末冶金的方法制备12%SiC_p/6066Al(体积分数)复合材料,研究了热压与热挤压成形温度对复合材料性能的影响。结果表明,热挤压有利于SiC颗粒在基体中的再分布且是粉末冶金法制备SiC颗粒增强铝基复合材料的必要工艺,而热压则有利于提高增强颗粒与基体的界面结合强度;在高于基体固相点温度热压烧结而低于固相点温度热挤压时,金属基体强度高且界面结合牢固,复合材料的性能最佳。本工艺中12%SiCp/6066Al的最佳热压温度为560℃,热挤压温度为430℃。     

铸造SiCp／Al复合材料耐磨性能研究

研究了利用液态搅拌铸造法所制备的SiC_p/ZL101复合材料的耐磨性。着重探讨了SiC颗粒的预处理状态及磨损试验载荷。路程对材料耐磨性的影响。结果表明,与基体合金或原始态SiC颗粒增强的SiC_p/ZL101复合材料相比,SiC_p经一定方法预处理后所增强的复合材料的的耐磨性显著提高,提高的幅度随磨损载荷或路程的增加而增大,而且其增大的幅度随SiC_p预处理状态的变化而存在显著差异。     

热处理条件对Au合金／19Ni复合材料性能的影响

采用一种新颖、独特的方法制备了Au合金/19Ni纤维复合材料。考察了热处理温度和时间对材料性能和结构的影响。结果表明，热处理温度对Au合金/19Ni纤维复合材料性能的影响大于热处理时间对其的影响。     

石墨烯/生漆复合抗静电涂层的制备与性能

分别以碳系材料石墨烯、炭黑、石墨为导电填料,生漆复合物为基材制备生漆复合抗静电涂层,讨论了导电填料含量对涂层导电性与力学性能的影响,并用扫描电镜(SEM)和热重分析仪(TGA)对涂层进行分析。结果表明:当导电填料石墨烯、炭黑、石墨的添加量分别为0.6%、15%、15%时,涂层具备抗静电能力。石墨烯复合涂层的附着力为0级、柔韧性1mm、耐冲击性50cm,优于未加填料的涂层以及添加石墨、炭黑为导电填料的复合涂层。同时,石墨烯复合涂层的耐介质性能以及耐热性能均表现优异。