含FET的双晶体管结构微分负阻单口器件

本文实现了微分负阻单口实现定理从仅含双极型晶体管到包含场效应管的重要过渡。文中给出了两个方法,借以可系统地生成仅含两个晶体管及若干线性正电阻的具有S型或N型v—i特性的微分负阻单口器件。这里,两个晶体管可以是双极型的(HT),结型(JFET)或MOS型(MOSFET)场效应晶体管,或是它们的任意组合。由于不含内电源,这类电路可以方便地集成封装。文中列举了作者用SPICE程序模拟生成的大量这类电路,可供读者选用。     

双晶体管结构的微分负阻单口器件

仅用两个双极型晶体管和若干线性正电阻,不需内偏置电源,即能合成S型(电流控制)或N型(电压控制)微分负阻单口器件。本文给出了系统生成所有这类负阻器件的两个通用设计方法.以此为基础,用计算机模拟方法巳模拟出数以百计的微分负阻单口电路。文中列举了少数典型电路,并附有相应的计算机模拟伏安特性。计算机模拟结果已得到广泛实验的证实和支持。     

微分负阻双口器件实现定理补遗

本文将文献[4]中关于微分负阻双口的实现理论进一步发展为基于节点分裂法的两个实现定理。迄今为止的有关实现定理均可作为其特例而囊括其中。据此,推演出若干示例性的用电压或电流作为控制最的S型及N型微分负阻器件。由于这类器件结构简单,负阻特性又灵活多变而便于控制调节,可以预料其广阔的应用前景。     

用分段线性原理设计微分增益网络

给出了用分段线性逼近原理设计短距离光纤模拟传输系统中的微分增益予失真网络的方法和计算程序。该法在更换发光二极管器件时能迅速计算出调整电阻的阻值。设计只涉及相邻网络的外特性,易于进行模块化设计。     

多功能单片集成负阻器件

本文描述一种基于电路合成法研制而成的新型多功能微分负阻器件SN8601。文中首先提出了具有多功能、易于集成化实现的电路方案,继而分析其静态与动态特性和工作原理。对所提出的电路方案,采用常规双极集成电路生产工艺制得了该器件。最后给出了此器件在放大、脉冲等电路中的应用实例。     

斜率可调微分负阻双口的设计

本文提出了一种用两个场效应管实现的压控线性电阻电路。借助于该电路,在微分负阻单口电路的基础上实现了斜率可调压控微分负阻双口。理论分析与实验结果具有良好的吻合。     

具有负阻微分特性的NDR-MOS电路模型及应用

该文介绍了基于MOS管构成具有负阻微分特性的网络,仿真了网络中各种参数改变对特性曲线的影响,负阻微分MOS网络可以模拟共振隧穿二极管的I—V特性。根据实际的InGaAs／A-1As／InP异质结共振隧穿二极管测试结果,通过设置合理的参数和偏置,给出了适用于蔡氏电路的非线性特性曲线,对今后设计基于共振隧穿二极管的混沌系统以及硬件电路的构建提供了理论基础。将共振隧穿二极管应用于混沌系统的设计中,相比于传统的基于运放构成的非线性网络,具有结构简单、功耗低、工作频率高等特点。     

双负阻区微分负阻器件的实现

本文探讨具有两个负阻区的微分负阻器件的电路合成法实现问题。文中介绍了用两个N型负阻单口并联,实现一个具有两个负阻区的压控双N型负阻单口;和用两个S型负阻单口串联,实现一个具有两个负阻区的流控双S型负阻单口的方法。文章还给出了若干电路示例及其实测结果。     

普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT

负阻型HBT既保持了原HBT高频、高速的特点,同时又具有负阻、双稳、自锁等特性,是一种极具研究价值的新型负阻器件。该文从Early效应造成超薄基区穿通,器件由双极工作状态向体势垒管工作状态转变从而形成负阻特性的思路出发,通过对材料结构的特殊设计,采用普通台面工艺研制出了基区厚度为8 nm的负阻型HBT。该器件具有独特且显著的可变电压控制型负阻特性,其电流峰谷比大于1000,并伴有电流控制型负阻。     

用Ebers—Moll方程模型分析l~2L注入逻辑

一、前言集成注入逻辑I~2L(integrated-injecton logic)又称并合晶体管逻辑MTL(merged-transistor logic 是72年以来发展起来的双极型大规模集成逻辑电路的最新电路形式。由于它具有工艺过程简单、集成度高以及功耗低等许多优点,目前已日益被广泛地应用到数字电路的各个领域。I~2L 比较理想地解决了普通双极型电路在实现大规模集成中难以克服的困难。尤如MOS器件一样,I~2L 单元本身不需要隔离和免去了高值电阻,其集成密度达到了和MOS 型     

Negative differential resistance behavior in doped C82 molecular devices

By using the first-principle calculations and nonequilibrium Green functions method, the electronic transport properties of molecular devices constructed by C₈₂, C₈₀BN and C₈₀N₂ were studied. The results show that the electronic transport properties of molecular devices are affected by doped atoms. Negative differential resistance (NDR) behavior can be observed in certain bias regions for C₈₂ and C₈₀BN molecular devices but cannot be observed for C₈₀N₂ molecular device. A mechanism for the negative differential resistance behavior was suggested.     

电力系统低频低压减载装置测试研究

针对电力系统新型低频低压减载装置测试的难题——不能定量地、准确地校验频率下降率ｄｆ／ｄｔ、电压下降率ｄｕ／ｄｔ定值,作者提出了一种解决方法：用单片机控制技术定量产生电压幅值、频率、ｄｕ／ｄｔ和ｄｆ／ｄｔ信号,用这些量来模拟电力系统电压、频率的静态与动态特性,并用以对减载装置的性能进行测试。文中详细介绍了实现方案、技术特点、产生电压频率以及它们的变化率的原理和硬软件构成。     

一类时滞分数阶差分方程边值问题解的存在性

研究一类时滞分数阶差分方程边值问题解的存在性.首先,根据边值问题的特点,给出上下解的定义,并证明了比较定理; 然后,利用上下解方法和单调迭代技术获得了边值问题解的存在性定理和唯一性定理; 最后,利用拓扑度理论获得了该边值问题的多解性定理.     

以太网自动拓扑发现算法

提出并证明了以太网设备连接判定定理. 以此为基础提出了一种高效的以太网自动拓扑发现算法 . 与已有的以太网拓扑测量技术相比 ,该算法不要求网桥具有完备的转发表信息 ,也不需要网桥满足转发表的最小知识要求 ,具有适用范围广的优点 . 基于该算法实现的拓扑发现程序在实际网络中可以准确获得不同网络环境下的拓扑图 ,验证了算法的正确性 .