VB法生长CdZnTe晶体的放肩角度优化北大核心CSCD

基于有限元法构建了CdZnTe晶体生长模型,分析了不同放肩角度下固液界面的形态演变。模拟结果表明,放肩角度变化导致了放肩区域内温度梯度分布的变化,进而改变了该区段的固液界面形态。在60°/90°/120°/150°四种放肩角度中,120°能在放肩段得到最平坦的固液界面。随着生长进行,不同角度下固液界面的形态差异逐渐减小,在主体生长中所有界面形状趋于一致。根据模型参数进一步实施了CdZnTe晶体的生长实验,结果表明,在90°/120°/150°三种放肩角度中,120°放肩时晶锭头部的单晶率更高。     

Crystal anomaly at the center of S doped InP wafers grown by the LEC method

Crystal quality of 2′ Φ S doped InP substrates grown by the conventional liquid encapsulated Czochralski method was studied by the photoluminescence mapping technique and double crystal x-ray diffraction method. Dark currents of InGaAs/InP PIN-photodiodes (PIN-PDs) fabricated on them showed the existence of an anomaly at the center of the substrate. Photoluminescence intensity abruptly decreased at the center of the substrate. An abnormal curvature of the lattice plane was found at the center of the substrate by the double crystal x-ray diffraction measurement. We discuss the correlation between crystal quality of the substrate and dark currents of PIN-PDs.     

SiC单晶生长界面形状计算机模型的建立及验证

利用多物理场耦合模拟软件研究了3英寸(1英寸=2.54 cm)碳化硅(SiC)单晶生长中感应线圈位置对单晶生长系统温度场的影响.分析了感应线圈位置变化对晶体表面径向温度、晶体内部轴向温度以及晶体生长界面形状的影响.同时分析了不同生长时期晶体的界面形状和各向温差的变化规律,建立了3英寸SiC单晶生长界面形状计算机模型,进而将计算机模拟得到的晶体界面形状与单晶生长对照实验获得晶体的界面形状相对比,验证了该模型的可靠性.以此为依据,优化了单晶生长工艺参数,获得了理想的适合3英寸SiC单晶生长的温度场,并成功获得了高质量的3英寸SiC单晶.     

Nd∶YAG晶体生长过程中温度场的数值模拟研究

采用有限差分法对使用Cz(Czochralski)法生长Nd∶YAG激光晶体过程中熔体和晶体中的温度场进行数值模拟研究。首先给出了Nd∶YAG晶体生长系统的数学模型 ,然后对上述数学模型进行无量纲化处理 ,最后给出相应的边界条件 ,使用有限差分法求解上述方程。应用上述方法编制仿真程序 ,仿真了改变工艺条件后熔体和晶体温度场的变化情况 ,分析了各种工艺条件对温度场变化的影响。     

Nd∶YAG晶体生长过程中Nd3+浓度场的数值模拟

采用有限差分法 (FDM)对使用Cz(Czochralski)法生长Nd∶YAG激光晶体过程中熔体内和晶体内Nd3+ 浓度场进行数值模拟研究。首先给出了Nd∶YAG晶体生长系统的数学模型 ,然后对上述数学模型进行无量纲化处理 ,最后给出相应的边界条件 ,使用有限差分法求解上述方程。应用上述方法编制仿真程序 ,仿真了改变工艺条件后熔体内和晶体内Nd3+ 浓度场的变化情况 ,分析了各种工艺条件对上述场量变化的影响。     

Nd:YAG晶体生长过程中Nd3+浓度场的 数值模拟

采用有限差分法(FDM)对使用Cz(Czochralski)法生长Nd:YAG激光晶体过程中熔体内和晶体内Nd 3+浓度场进行数值模拟研究。首先给出了Nd:YAG晶体生长系统的数学模型，然后对上述数学模型进行无量纲化处理，最后给出相应的边界条件，使用有限差分法求解上述方程。应用上述方法编制仿真程序，仿真了改变工艺条件后熔体内和晶体内Nd3+浓度场的变化情况，分析了各种工艺条件对上述场量变化的影响。     

基于CFD的电子器件散热最优间距的数值研究

为研究高发热功率电子器件散热的机理,采用CFD技术对小空间内电子器件的散热状况进行了研究,模拟了以空气为冷却流体多种电子器件间距条件下小空间的温度场及速度场.以电子器件冷却后的温度水平、平均换热系数、流动阻力为主要因素,并结合场协同理论提出一种评价电子器件冷却效果的评判公式,进而以它为指标得出电子器件散热效果的最优间距.     

基于面阵CCD与CPLD实现的位移实时监测系统的研究

介绍了一种基于面阵CCD与CPLD的位移实时测量方法,它利用光学成像原理测定位移并实时显示,解决了用现行其他电测法对被测物体位移长期测量过程中的时间温度漂移问题。另外一方面,光挚测量具有重复性好、滞后小的优点,所以测量精度高。调节CCD镜头放大倍数,既适用于近距离观测又适用于远距离观测,应用前景十分广泛。     

CTM俘获层材料选取的模拟研究

电荷陷阱存储器(CTM)由于其分离式电荷存储原理,可以使存储器件尺寸持续小尺寸化,理论上解决了传统浮栅存储器小尺寸化瓶颈的限制。基于第一性原理,从理论上对CTM材料及相关结构进行了模拟计算,采用Material Studio软件包,对多种电荷俘获材料进行改性,引入陷阱,并对其能带、状态密度、缺陷态密度等方面展开模拟研究。为CTM实验提供了非常有效的理论依据与方法,从该角度出发研究存储器是一个全新的视角,提出可以通过陷阱态密度曲线的部分积分来确定CTM的存储窗口等衡量指标。     

Research on the packing algorithm for anti-SEU of FPGA based on triple modular redundancy and the numbers of fan-outs of the net

Static Random Access Memory （SRAM） based Field Programmable Gate Array （FPGA） is widely applied in the field of aerospace,whose anti-SEU （Single Event Upset） capability becomes more and more important.To improve anti-FPGA SEU capability,the registers of the circuit netlist are tripled and divided into three categories in this study.By the packing algorithm,the registers of triple modular redundancy are loaded into different configurable logic block.At the same time,the packing algorithm considers the effect of large fan-out nets.The experimental results show that the algorithm successfully realize the packing of the register of Triple Modular Redundancy （TMR）.Comparing with Timing Versatile PACKing （TVPACK）,the algorithm in this study is able to obtain a 11％ reduction of the number of the nets in critical path,and a 12％ reduction of the time delay in critical path on average when TMR is not considered.Especially,some critical path delay of circuit can be improved about 33％.