荧光粉

伴随荧光灯的不断小型化,现在的重点是向紧凑型荧光灯方向发展。这种紧凑型荧光灯使用稀土三基色荧光粉,由于灯管管壁负荷高,还要进一步提高荧光粉的温度-亮度性能。而阴极射线管(CRT)却要求向大画面投影管或显示管方向迈进。下面对上述两种器件用荧光材料加以概述。三基色荧光粉中绿色成份之一是LaPO_4:Ce,Tb,它的缺点是温度猝灭严重,其原因是其中一部份Ce~(3 )被氧化成Ce~(4 ),导致200℃下的发光强度仅为20℃下的50％。若添     

发光材料发展近况

荧光灯进一步推行小型化,现在开发的重点放在紧凑型荧光灯。在这类荧光灯中采用了稀土三基色荧光粉,但因是在管壁高负荷下使用,所以正为着获得温度-亮度特性更为优化的荧光粉而努力。此外,在阴极射线管领域,对大屏幕投影管和显示管用的荧光粉的实用方面也进行了研讨。作为三基色型灯管绿色成分的重要荧光粉LaPO_4:Ce,Tb,在紫外线激发下的发光强度,当升到200℃时,由于温度猝灭而降到在20℃时的一半左右。桥木等人报导了     

化学共沉淀法合成YAG:Eu~(3+)红色荧光粉及其光致发光性质

采用化学共沉淀法合成YAG∶Eu3+红色荧光粉,利用XRD、荧光光谱和激光粒度仪等表征荧光粉晶体结构、光致发光、粒径分布等。结果表明,当煅烧温度为1000℃时,荧光粉YAG晶相趋于稳定,无中间相的形成,合成温度比传统高温固相法降低近500℃;随着煅烧温度升高,荧光粉光致发光峰强度增大,但峰值波长并不随煅烧温度升高而发生移动;前驱体中添加表面活性剂PEG后,荧光粉粒径为1.3μm左右,且粒径分布范围窄;助熔剂NaF能够显著提高荧光粉的光致发光强度,但过量则会出现浓度猝灭,其最佳添加量为4%。     

掺施主和受主的GaP:N发光的热猝灭

对GaP:N(Te,Zn)中束缚激子发光热猝灭的测量和分析表明,中性Te原子以“俄歇阻断”作用,在NN对发光猝灭温度相对于不掺施主和受主的GaP:N有所降低方面起了关键的影响。掺Te后孤立N发光峰的猝灭温度提高,则是由于增加了N原子上电子分布的几率。这支持了N束缚激子的Hopfield-Thomas-Lyneh模型。受主Zn的作用是使自由激子发光随温度升高而缓慢增强,对A峰猝灭的减缓可能也有贡献。     

NCl(a~1Δ)自猝灭对其生成和传输的影响

利用一维预混合反应模型,对全气相碘激光(AGIL)的储能粒子NCl(a1Δ)的自猝灭反应对其生成和传输的影响进行了模拟计算。计算结果表明,NCl(a1Δ)的自猝灭反应是影响其生成和传输的主要因素;采用最新测得的自猝灭反应常数,NCl(a1Δ)自猝灭反应对其生成和传输的影响程度有大幅度降低,但仍然是主要的影响因素。为了提高NCl(a1Δ)的生成传输效率和准确分析评估AGIL,有必要进一步深入开展NCl(a1Δ)自猝灭常数及其与温度关系的测定工作。     

NCl(a1△)自猝灭对其生成和传输的影响

利用一维预混合反应模型,对全气相碘激光(AGIL)的储能粒子NCl(a1△)的自猝灭反应对其生成和传输的影响进行了模拟计算.计算结果表明,NCl(a1△)的自猝灭反应是影响其生成和传输的主要因素;采用最新测得的自猝灭反应常数,NCl(a1△)自猝灭反应对其生成和传输的影响程度有大幅度降低,但仍然是主要的影响因素.为了提高NCl(a1△)的生成传输效率和准确分析评估AGIL,有必要进一步深入开展NCl(a1△)自猝灭常数及其与温度关系的测定工作.     

NCl（α^1Δ）自猝灭对其生成和传输的影响

利用一维预混合反应模型，对全气相碘激光(AGIL)的储能粒子NCl(α^1Δ)的自猝灭反应对其生成和传输的影响进行了模拟计算。计算结果表明，NCl(α^1Δ)的自猝灭反应是影响其生成和传输的主要因素；采用最新测得的自猝灭反应常数，NCl(α^1Δ)自猝灭反应对其生成和传输的影响程度有大幅度降低，但仍然是主要的影响因素。为了提高NCl(α^1Δ)的生成传输效率和准确分析评估AGIL,有必要进一步深入开展NCl(α^1Δ)自猝灭常数及其与温度关系的测定工作。     

显示器件用荧光粉

显示器件用荧光粉荧光粉多用于自发性显示器件，荧光粉的特性是直接决定显示器件性能的重要因素。荧光粉的化学组成由作为基体（称为因体）的结晶与加在结晶中的发光离子（称为活化剂组成。用Ｚｎ。ＳＩＯ。：Ｍｎ’”表示。１电视彩色ＣＲＴ用荧光粉目前电视彩管用３原色...     

激光诱导萘醌激发三重态猝灭反应的TR-ESR研究

利用时间分辨电子自旋共振（TR-ESR）方法,研究了稳定自由基TEMPO和生物抗氧化剂维生素C（VC）对萘醌（NQ）激发三重态 的猝灭机理和猝灭动力学。光解NQ/EG体系, 从EG上抽氢生成萘醌中性自由基 和乙二醇碳自由基。当体系中加入稳定自由基TEMPO时,TEMPO对3NQ* 有明显的猝灭作用,猝灭速率常数为1.14*106Lmol-1s-1。对于NQ/VC/EG-H2O溶液,3NQ*不仅可以从EG上夺氢,还从VC上夺氢,VC对3NQ*也有明显的猝灭作用,猝灭速率常数为1.11*107Lmol-1s-1。TEMPO和VC对3NQ*的猝灭反应都受扩散控制。     

抑弧层结构对高压熔断器熔断效果的影响

将不同结构的抑弧层使用在相同熔断器基片上,研究了不同结构对熔断器高压电弧猝灭效果的影响。结果表明:熔断器动作时高压电弧的猝灭与抑弧层结构密切相关,多孔的抑弧层结构更有利于电弧的及时猝灭,对抑弧层中孔洞结构进行优化后熔断器电弧猝灭时间能够缩短至3 ms以内,电弧猝灭后的绝缘电阻大于500 M?,能达到较好的切断电流的目的。     

乙酸溶液荧光猝灭的机理研究

从理论上对紫外光激励乙酸产生荧光及荧光猝灭机理分别进行了分析研究.结果表明,乙酸溶液在253.7nm紫外光照射下可以发出明显的荧光,而且随着溶液浓度的变化产生了荧光猝灭的现象.分析认为,荧光猝灭的主要原因是动态猝灭过程-由最低激发单重态(n,π)转入三重态(π,π)所致,并对淬灭常数进行了计算.研究乙酸本体荧光特性及荧光猝灭机理可为其作为猝灭剂、溶剂、催化剂和食品添加剂时其它分子荧光光谱的研究提供参考.     

ZnS系荧光粉

在用 Cu、Au、A g中至少一种元素作激活剂、用Cl或者Al作共激活剂的ZnS或/和(Zn,Cd)S系荧光粉中,本专利是把稀土元素Nd(钕)、Gd(钆)、DY(镝)和Ho(钬)中至少一种元素、按重量比3—50ppm的含量掺入 ZnS系荧光粉。本发明主要涉及电视显像管用荧光粉,也是适用于电视显像监视器用的具有优良性能的ZnS系荧光粉。     

电致发光聚合物在外电场中行为的动力学研究

用电子－晶格耦合的紧束缚模型和求介实时牛顿动力学方程的方法研究了具有额外电子和空穴的电致发光高分子在外电场中的行为。发现外电场注入的额外电子和空穴使电致发光高分子晶格弛豫,形成双极化子激子;并存在一个临界电场,当外电场大于或者等于临界电场时,双极化子激子解离成正、负极化子,导致发光猝灭．该结果与电致发光高分子的光荧光被强电场猝灭的实验现象一致．这个一致性反映了双极化子激子是电致发光高分子中的一种发光实体,说明了电致发光高分子在强电场下光荧光猝灭的物理原因是在强电场作用下电致发光高分子中的双极化子激子被解离成正、负极化子     

红外猝灭非线性砷化镓光电导开关产生太赫兹的实验研究

在实验上对光激发电荷畴进行有效的猝灭,是利用具有雪崩倍增效应的非线性砷化镓光电导开关作为太赫兹辐射源的关键问题之一。提出了基于双光束红外激光来猝灭砷化镓光电导开关的非线性模式的初步实验方法,两束激光时延为100 ps,其中第二束为猝灭光。实验中,12 mm间隙的砷化镓光电导开关偏置电压可达到32 kV,输出电流为900 A。同时,14 mm间隙开关在20 kV偏置、毫焦光能触发条件下,可连续工作230次,输出波形具有较好的重复性。结果表明,双光束红外激光能够猝灭非线性模式,重复工作性能稳定,对高重复频率触发下光电导方法产生高功率太赫兹辐射的研究奠定了前期实验基础。     

灯泵染料激光器增强预燃泵浦系统的研究

闪光灯泵浦染料激光器结构简单且能得到很高的泵浦能量。但由于灯的脉冲上升时间较长,要避免染料分子能级系际交叉的影响,提高器件转换效率,往往要对三重态采用化学猝灭或机械猝灭。这些方法有利有弊,且不易推广。我们选择了另外的途径解决这一问题。在没有采用化学猝灭,机械猝灭作用亦较差的情况下,研究了新型的增强预燃泵浦技术及系统,取得了明显的效果:使用若丹明6G激光染料,宽带激光输出能量大于140mJ,激光脉冲半宽度不大于0.3μs,峰值功率大于400kW,放电回路用火花开关,重复频率高于20次/s。泵浦系统中用上增强预燃泵浦技术,激光输出能量最大能提高六倍多。     

LED用KZn_4(BO_3)_3∶Eu~(3+)荧光粉的合成与发光性能研究

荧光粉转化法是目前制备白光LED的主流技术。但是商业化的荧光粉由于缺少红色部分或红色不稳定,使得制备出的LED灯泡颜色偏冷,因此研制低成本、性能稳定的红色荧光粉具有重要的意义。本项目以化学性质稳定、合成工艺温和的硼酸盐KZn4(BO3)3为基质,掺杂稀土离子来研究荧光粉的发光性能。通过高温固相法合成了一系列不同掺杂浓度的KZn4(BO3)3∶Eu3+,并测试了XRD衍射图谱,发射和激发光谱。研究表明Eu3+离子倾向于占据Zn2+格位。同时,KZn4(BO3)3∶Eu3+的最佳激发波长(393nm)位于近紫外波段,适于用近紫外LED芯片激发来制备LED。KZn4(BO3)3∶Eu3+的最强发射峰位于590nm,属于5 D0-7F1跃迁。当发生浓度猝灭时,Eu3+-Eu3+离子间的临界距离为3nm。该荧光粉的色坐标为(0.629 7,0.369 9),色饱和较高。该物质是一种潜在的可被用于LED照明用的红色荧光粉。     

多孔硅发光二极管的载流子传输特性研究

制备AI／多孔硅／c-Si／Al结构的多孔硅发光二极管，利用其I-V特性关系，以及在不同温度下其I-V特性的变化，结合多孔硅的特殊微结构及性质，分析了多孔硅发光二极管中载流子的产生和传输过程；通过比较其发光猝灭前后I-V特性的变化，解释了发光猝灭的原因。提出了如果在低电场下能够实现大量载流子在限制性Si微粒中复合．是提高多孔硅电致发光效率的一个途径。     

NCl(a~1Δ)自猝灭对NCl(a~1Δ)/I激光能量提取的影响

利用连续流平面型光腔动力学模型对NCl(a1Δ)/I 激光体系进行了模拟计算,探讨了温度在300 K 时NCl(a1Δ)自猝灭对NCl(a1Δ)/I激光能量提取的影响。计算结果表明,NCl(a1Δ)自猝灭反应对光腔位置的选取、功率密度沿流动方向的分布和总输出功率都有较大的影响。其中,光腔位置的可选范围大大缩短,在较小的初始HI粒子数密度和适当的输出镜反射率下总输出功率大幅度降低,而随着HI粒子数密度的增加,NCl(a1Δ)自猝灭对总输出功率的影响逐渐减小。     

Eu3+掺杂Na2La2Ti3O10红色荧光粉的光谱性质

采用传统高温固相法制备了不同Eu³⁺浓 度掺杂的Na₂(La1－xEux) ₂Ti₃O10荧光粉,研究了Eu³⁺浓度 对样品结构及发光性质的影响。X射线衍射(XRD)结果表明Eu³⁺掺杂浓度不大于40%的 样品为四方相Na₂La₂Ti₃O10;当 Eu³⁺浓度达到60%时,出现了正交相NaEuTiO₄。对样品进行 激发、发射光谱的 测试发现,样品可被较 宽波段的紫外光有效激发,获得明亮的红橙色光发射,且Na₂La₂Ti₃O₁₀到Eu 3+存在有效的能量传递。利用 Van模型,证实了Eu³⁺间的交换相互作用是引发浓度猝灭的主要原因。利用Auzel模型 ,解释了Eu³⁺发光的自猝 灭行为。测试了样品在不同温度下的发射光谱和时间衰减曲线,确定样品发光产生 温度猝灭的主 要机理是Crossover过程。利用Arrhenius公式对实验数据进行拟合,确定激活能值约为0.26eV,说明Na₂(La1－xEux)₂Ti₃O₁₀荧光粉具有较好的发光热稳定性。     

NCl(a1△)自猝灭对NCl(a1 △)/I激光能量提取的影响

利用连续流平面型光腔动力学模型对NCl(a1△)/I激光体系进行了模拟计算,探讨了温度在300 K时NCl(a1△)自猝灭对NCl(a1△)/I激光能量提取的影响.计算结果表明,NCl(a1△)自猝灭反应对光腔位置的选取、功率密度沿流动方向的分布和总输出功率都有较大的影响.其中,光腔位置的可选范围大大缩短,在较小的初始HI粒子数密度和适当的输出镜反射率下总输出功率大幅度降低,而随着HI粒子数密度的增加,NCl(a1△)自猝灭对总输出功率的影响逐渐减小.