Si3N4陶瓷与钢的真空钎焊研究

本文研究了Cu—Sn—Ti,Cu—In—Ti,Cu—Cr,Cu—Ge—Ti铜基活性钎料钎焊Si_3N_4陶瓷与钢。结果表明,四种铜基无银钎料均可实现Si_3N_4陶瓷与钢的连接,Cu—Sn—Ti,Cu—In—Ti的钎焊接头的剪切强度较高,它们合适的钎焊工艺参数分别为1373K×600s,1323K×600s。钎焊接头的X射线衍射分析,波谱分析表明活性钎料连接陶瓷与金属的机制是钎料中活性元素(Ti、Cu)向陶瓷界面扩散并与之发生化学反应而实现接合。     

Si3N4陶瓷与金属的真空扩散焊

本文在对多种合金系统的中间层广泛试验的基础上,着重对几种铝合金用作Si_3N_4/钢真空扩散焊的中间层进行了筛选试验,认为Al—5％Si作为中间层的接头强度最好。较适当的焊接工艺条件是:扩散焊温度823K,压力60MPa,保温时间1800s。此时,接头中基本上不存在脆性相,剪切试验时是Al—5％Si层本身被剪断,说明两侧连接界面都是有较高的强度。通过SEM接头元素分析,断口X光衍射分析和热力学计算确认中间层与Si_3N_4之间的连接是通过:4Al+Si_3N_4=4AlN+3S_i这一化学反应实现的。     

Si3N4膜对MOS电容器存储时间影响的研究

Si3N4薄膜淀积速率对MOS电容器存储时间影响很大。在850℃下，栅介质SiO2膜厚度100nm，MOS电容器存储时间420s。在50Pa真空压力下，通过淀积70nm厚Si2N4薄膜后，MOS电容器无存储时间。经900℃O2气氛退火40min，MOS电容器的存储时间也不到2s。采用声7孔径降低气体流速，从而降低淀积速率，在840℃下，栅介质SiO2膜厚度100nm，MOS电容器存储时间420s；在60．71Pa真空压力下，淀积70nm厚Si3N4薄膜后，MOS电容器存储时间曲线不正常，经900℃O2气氛退火40min，曲线恢复正常，MOS电容器存储时间达到400s以上。     

非晶纳米Si3N4对POM的增强与增韧研究

本文报导了非晶纳米Ｓｉ３Ｎ４对聚甲醛的改性，使聚甲醛手冲击哟闰伸强度分别提高了１６０％和２５％，给出了强度与填充量的对应关系并分析了增强与增韧的机理。     

晶态Si3N4／非晶SiO2同轴纳米线的电子显微学研究

Si3N4是一种用途广泛的功能材料，Si3N4纳米线有望在电子、光学和机械领域展现其特殊性能：在没有催化剂情况下，我们在硅衬底上直接合成了Si3N4／SiO2同轴纳米线。生长条件：氮气氛．生长温度1250℃．1.5h，自然冷却。利用电子衍射、高分辨像和电子X射线能谱技术，我们用Tacnai F30场发射电子显微镜研究了Si3N4／SiO2同轴纳米线的微观组织结构，探讨了这种纳米线的生长机制。     

碳氟等离子体中CF2对SiO2，Si3N4和Si刻蚀的作用

The CF2 density and etch rate of SiO2, Si3N4 and Si are investigated as a function of gas pressure and O2 flow rate in fluorocarbon plasma. As the pressure increases, the self-bias voltage decreases whereas the SiO2 etch rate increases. Previous study has shown that SiO2 etch rate is proportional to the self-bias voltage. This result indicates that other etching parameters contribute to the SiO2 etching. Generally, the CF2 radical is considered as a precursor for fluorocarbon layer formation. At a given power, defluorination of fluorocarbon under high-energy ion bombardment is a main source of fluorine for SiO2 etching. When more CF2 radical in plasma, SiO2 etch rate is increased because more fluorine can be provided. In this case, CF2 is considered as a reactant for SiO2 etching. The etch rate of Si3N4 and Si is mainly determined by the polymer thickness formed on its surface which is dominated by the CF2 density in plasma. Etching results obtained by varying O2 flow rate also support the proposition.     

聚甲基丙烯酸对STI CMP中SiO2和Si3N4去除速率选择比的影响

在浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)中,需要保证极低的Si₃N₄去除速率,以及相对较高的SiO₂去除速率,并且要达到SiO₂与Si₃N₄的去除速率选择比大于30的要求。在CeO₂磨料质量分数为0.25%,抛光液pH=4的前提下,研究了聚甲基丙烯酸(PMAA)对SiO₂与Si₃N₄去除速率以及二者去除速率选择比的影响,分析了PMAA在影响SiO₂与Si₃N₄去除速率过程中的作用机理。结果表明,PMAA的加入可以降低SiO₂与Si₃N₄的去除速率,当PMAA的质量分数为120×10^-6时,SiO₂和Si₃N₄的去除速率分别为185.4 nm/min和...     

激光冲击强化对镁合金摩擦磨损性能的影响

为了研究激光冲击对镁合金摩擦磨损性能的影响,采用Nd:glass脉冲激光对AM50镁合金表面进行冲击强化处理,对强化区的表面形貌、粗糙度、微观组织、显微硬度、摩擦磨损性能进行了测试与分析.可知激光冲击强化后,试样表面粗糙度略有增加,强化层内含有大量位错与孪晶,强化层显微硬度明显提高,表面的显微硬度值(约67HV)明显高...     

基于氮化硅的压力传感器以及算法补偿

MEMS技术制造的传感器具有体积小、重量轻、成本低等特点。用于测量大气气压的传感器,主要材料是硅、氮化硅和铂金,氮化硅薄膜形成了传感器的主要结构。这种压力传感器与一般传感器相比具有结构简单、工艺易于实现以及精度高等优点。设计了工艺过程,制作了器件样片,并算法补偿了温度对传感器的影响。     

氮化硅的反应离子刻蚀研究

采用CHF3、CHF3＋CF4和CHF3＋O2三种不同气体体系作氮化硅的反应离子刻蚀（RIE）实验,研究了不同刻蚀气体对刻蚀速率、均匀性和对光刻胶的选择比三个刻蚀参数的影响。通过优化气体配比,比较刻蚀结果,最终获得了刻蚀速率为119nm/min,均匀性为0.6%,对光刻胶选择比为3.62的刻蚀氮化硅的优化工艺。     

铝基复合材料-刹车材料摩擦磨损特性研究

非连续纤维增强铝基复合材料(DRMMC)具有比重小、导热性好和耐磨损等优点在汽车发动机活塞、连杆和制动盘等摩擦运动部件方面显示了广阔的应用前景。DRMMC摩擦磨损特性研究成为研究热点之一,但该方面研究主要集中在DRMMC与钢摩擦副在各种外加条件(载荷、速度、润滑等)下的摩擦磨损特性。为推进DRMMC在高速机械制动系统中应用,开展DRMMC与刹车材料摩擦副的摩擦特性研究具有实际和理论意义,但此方面的报道极少。南非Howell[1]研究了20%SiC增强铝复合材料与有机刹车材料的摩擦特性,认为在摩擦表面生成约250μm厚的石墨转移层,从而…     

润滑油添加剂对PTFE复合材料摩擦磨损性能的影响

利用MM-200型摩擦磨损试验机考察了液体石蜡中的二烷基二硫代磷酸锌(ZDDP)对聚四氟乙烯(PTFE)复合材料摩擦磨损性能的影响，然后用EMA-8100电子探针对摩擦表面进行了分析，进而探讨了润滑油添加剂对PTFE复合材料摩擦磨损性能的影响机理。     

LIVCD法制备纳米氮化硅粉末工艺参数对粉体特征影响的研究

激光诱导气相沉积法是制备纳米氮化硅粉末的主要方法之一。在制备纳米粉体过程中，各工艺参数的变化对粉体特征有很大的影响。在激光制Si3N4纳米粉中基本的运行参数有：激光强度(I)，反应池压力(P)，反应火焰温度(T)，反应气体配比(ΦSiH4/ΦNH3)，反应气体流速(V)等。通过实验研究了各个工艺参数对粉体特征的影响并分析了其影响的原因。     

氮化硅的选区激光烧结成型研究

应用陶瓷粉末的选区激光烧结(SLS)成型原理,以氮化硅(Si3N4)和环氧树脂(EP)为材料,采用机械混合的方法制备SLS用Si3N4陶瓷粉末,测试其流动性和松装密度,进行选区激光烧结实验并制备试件。采用扫描电子显微镜观察烧结件的微观形貌,测试其三点抗弯强度。结果表明,优化Si3N4和EP粉末的粒径级配可有效增大铺粉密度、烧结件的致密度和强度。粉末粒径接近单层厚度时烧结件易发生移动和翘曲,粒径＜40 μm时,粉末易于粘附铺粉辊。     

Effect of Si3N4 encapsulation on the laser-annealing behaviour of GaAs

When semi-insulating GaAs samples are coated with pyrolytically deposited Si3N4 layers and subsequently irradiated with a Q-switched ruby laser with energy densities > 0.3 J/cm2, it is found that a thin layer (0.1?0.25 ?m) of the underlying GaAs substrates becomes n-type. This phenomenon may be the reason why, in previous work on laser annealing of donor implanted GaAs samples, the percentage electrical activity increased when samples were coated with Si3N4.     

几种自润滑镍基合金显微组织的研究

由于自润滑镍基合金提供的转移膜润滑，明显改善了镍基合金／陶瓷配副的高温摩擦学性能，因此镍基合金／陶瓷摩擦副在热动力机械系统中显示了良好的应用前景。自润滑镍基合金必须在高温下制备，固体润滑剂可能与基体发生固相反应，从而引起润滑剂的失效以及材料显微组织的改变，但是目前关于自润滑镍基合金显微组织的研究还有待于进一步深入。