新开发的千兆位级DRAM用高介电常数膜成膜装置

为制成千兆位级ＤＲＡＭ ,人们期望可实现单元电容器微细化的高介电常数膜材料。为此 ,开发了ＳｉＯ2 ,膜 /氮化膜、Ｔａ2 Ｏ5膜等。而且 ,也期待开发高介电常数电容器材料———钛酸钡锶氧化膜 (ＢＳＴ :(ＢａＳｒ)ＴｉＯ3)成膜技术。此时 ,ＮＥＣ便开发了低温成膜和台阶覆盖性良好的ＥＣＲ—ＣＶＤ法形成的ＢＳＴ成膜装置。开发的装置特点如下 :( 1)Ｂａ、Ｓｒ、Ｔｉ各种材料为挥发性金属化合物 ,Ｂａ、Ｓｒ采用ｄｅｃａｔｎａｔｅ系络合物材料 ;Ｔｉ采用醇盐系材料。靠着精密原料输送系统的温控可控制原料化合物的蒸气压 ,进而控制原料输…     

一款适用于高速读出电路的输出级运算放大器设计

〖JP+1〗CMOS运算放大器是红外探测器系统读出电路的重要模块,其性能直接影响红外读出电路性能。本文设计了一款适用于高速读出电路的输出级运算放大器,在负载电阻100 kΩ,负载电容25 pF的条件下,使读出电路的工作频率大于20 MHz。输出级运算放大器由折叠共源共栅差分运放和甲乙类推挽反相运放级联构成。折叠共源共栅差分运放可以实现电路高增益、大输出电压范围和高输出阻抗,同时可以有效减小放大器输入端的米勒电容效应。甲乙类推挽反相运放具有高电压电流转换效率,可以灵活地从负载得到电流或者向负载提供电流,实现高电流增益,驱动大负载。两级运放之间通过米勒电容实现频率补偿,保证运放的稳定性。本文设计的高速输出级运算放大器基于SMIC 018μm工艺设计,最终实现指标:功耗不大于10mW,运放增益>84dB,相位裕度79°,单位增益带宽>100 MHz,噪声78 μV(1～500 MHz),输出电压范围1～5 V,建立时间<15ns。通过设计高速输出级运算放大器,红外读出电路的读出速率和帧频得到有效提高。     

适用于高速网络设备的H级VDSL线路驱动器

THS6226线路驱动器通过提供数字可调静态电流,可在实现高线性度与低失真的同时,最大限度地节省电源。此外,THS6226还具有一个可满足所有VDSL方案需求的线路驱动器,可简化产品采购与设计。     

千兆位以太网技术

随着多媒体、因特网应用等各种信息业务的不断发展,速度更高更快的计算机、服务器等的大量涌现,以及越来越多的入网用户,局域网的业务量急剧增加,对带宽的要求也越来越高。虽然100BASE-T等主干局域网技术目前还具有极大优势,但随着对带宽越来越高的要求,人们同时也在寻求将ATM等革命性的技术引入局域网领域。由于ATM技术的复杂性、昂贵的建网费用以及额外的管理工具、培训和修改设计等因素,尽管它是一个非常优秀的解决方案,但对于大多数网络管理者来说它并不是一个性能价格比最优的方案。幸运的是,现在的以太网用户又多了项千兆位以太网技术可以选择了。     

千兆位以太网技术

在计算机局域网中,以太网属于中、低速率的网络。目前,在构筑大规模LAN时,100Mbit／s的高速以太网已作为主干网得到普及。从用户角度来看,LAN将从单一的数据通信用的专用网扩展成为同时传送数据,话音和图像的多媒体通信网络。因此,网络必须向提供更高的带宽,更高的带宽利用率及更加灵活的扩展与升级能力方向发展,随着交换式以太网,100Mbit／S高速以太网技术的完善与成熟,网络业界对局域网技术进行了更深入的开发与研究,1996年5月成立的千兆位以太网联盟,帮助IEEE将以太网标准向千兆位速度扩展,推出了作为下一代主干网的…     

千兆位以太网技术

介绍了千兆位以太网出现的背景，阐述了千兆位以太网技术的特点及优势，并提出了千兆位以太网技术的应用方案。     

适用于高速CML双极电路的精确解析传播延迟模型

适用于高速ＣＭＬ双极电路的精确解析传播延迟模型＝Ａｎａｃｃｕｒａｔｅａｎａｌｙｔｉｃａｌｐｒｏｐａｇａｔｉｏｎｄｅ－ｌａｙｍｏｄｅｌｆｏｒｈｉｇｈ－ｓｐｅｅｄＣＭＬｂｉｐｏｉａｒｃｉｒｃｕｉｔｓ［刊，英］／ｓｈａｒａ，Ｒ．Ｍ．…ＩＥＥＥＳｏｌｌｄ－Ｓ...     

适用于64M DRAM的亚微米CMOS晶体管

<正>据日本《电子材料》1989年第1期报导,日本松下电器产业半导体研究中心已开发成功能适用于亚微米器件新的P沟道晶体管结构LATIPS(LArge Tilt angle IMplanted Puch-     

适用于无人机图像传输的位同步技术

对利用Farrow内插滤波、Gardner算法、Ted定时误差算法实现的位同步技术进行研究与仿真分析。该方法可用于实现全数字的接收机,其结构包括定时误差检测、插值滤波器、环路滤波器和插值控制电路等。在无人机数据链常用的pi/4-QPSK调制的仿真系统中,通过仿真可以得出利用该方法实现的位同步技术具有良好的性能,可以满足无人机图像传输数据链路的要求。     

一种适用于高速电路和表面安装的印刷电路板材料

美国Roger公司开发了一种新型聚四氟乙烯/陶瓷印刷电路基板.这种称为RO-2800的基板不但可提高超高速多层印刷电路板应用的电性能,而且还比常规印刷电路板材料更适合表面安装技术.随着高速电子计算机更多地采用发射极耦     

适用于64M DRAM批量生产的缩小投影曝光设备

适用于６４ＭＤＲＡＭ批量生产的缩小投影曝光设备日本尼柯恩公司研制出适用于６４ＭＤＲＡＭ批量生产的ｉ线步进光刻机ＮＳＲ２２０５ｉ１２Ｄ。产品具有０．３５μｍ以下的高分辨率，并采用适用批量生产的变形照明。由于采用机械手，缩短了圆片搬送时间和提高了曝光效率...     

千兆赫级厚膜混合电路SAW振荡器

本文介绍了工作频率范围为750—1500MHz的厚膜混合电路声表面波振荡器的设计、研制和性能。     

一种适用于射频电子标签的低电压低功耗振荡器

提出了一种适合射频电子标签应用的振荡器设计方法．针对低电压低功耗的要求，选择了比较简单的振荡器结构，通过调节电流的方法来调节振荡器的输出频率．输出电流与电源无关的偏置电路设计保证了振荡器输出频率的稳定，低功耗的二进制权电流电路提供了很小的寄生参数、较高的电流精度和很小的芯片面积．芯片在Chartered 0.35μm CMOS工艺流片，电源电压为1.2～2V，环形振荡器消耗的平均电流约为6.5μA．     

一种适用于射频电子标签的低电压低功耗振荡器

提出了一种适合射频电子标签应用的振荡器设计方法.针对低电压低功耗的要求,选择了比较简单的振荡器结构,通过调节电流的方法来调节振荡器的输出频率.输出电流与电源无关的偏置电路设计保证了振荡器输出频率的稳定,低功耗的二进制权电流电路提供了很小的寄生参数、较高的电流精度和很小的芯片面积.芯片在Chartered 0.35μm CMOS工艺流片,电源电压为1.2～2V,环形振荡器消耗的平均电流约为6.5μA.     

一种适用于低电压模数转换器的新型采样开关

提出了一种适用于低电源电压的新型高线性度采样开关.与传统低电压采样开关相比,这种新型采样开关不仅消除了MOS开关由于栅源电压随输入信号变化所引入的非线性,而且进一步消除了MOS开关由于阈值电压随输入信号变化引入的非线性.这是通过采用一个与采样MOS开关具有相同阈值电压的"复制"开关得以实现的.基于Chartered 0.35μm标准CMOS工艺,文中设计了一个此类新型MOS采样开关,在输入信号为0.2MHz正弦波,峰峰值为1.2V,采样时钟频率为2MHz时,无杂散动态范围达到111dB,比栅压自举开关提高了18dB;同时导通电阻的变化减小了90%.这种新型采样开关特别适用于低电压,高精度模数转换器.     

低电压大电流变换器电路技术

介绍抽头电感器方式降压型变换器、推娩式正向变换器和两段式DC/DC变换器所采用的电路技术。     

千兆位以太网技术及应用

千兆位以太网技术是目前计算机高速网络的一个新的发展方向。文章对该技术及其应用进行了比较深入的论述，并介绍了它与ＡＴＭ技术的异同点。     

San Suny推动千兆位技术

SanSuny电子公司表示在ZopZ年实现0．13pm工艺技术,并达到千兆位芯片的水平,比预期提早3-4年。该技术包括光刻工艺,高效晶体管制造工艺和三层金属布线工艺。在一块只有拇指甲大小面积的单片4GbDRAM芯片上将容纳40亿位信息或相当于32000页标准报纸的信息量。该新技术可望降低较低容量DRAM成本。由于采用超微技术,对于IGbDRAM而言,SanSully公司将能制造出的电路量比采用0．18Urn工艺技术制造出的多刀叽。该公司采用了新的条宽技术,已成功地生产出了0．13pm技术的16MbDRAMo现有的16MbDRAM一般采用035尸m技术,如改用0．13pm…