900MHZ低噪声晶体管放大器

一、引言微波晶体管放大器的历史也是微波晶体管器件的历史。40年代未,第一只晶体管问世,由于它的显著优点,很快成为固体电子器件的一个重要分支。60年代中期,由于平面外延工艺的发展,晶体管工作频率进入微波频段,相应产生了微波晶体管以及相应的放大器。微波晶体管具有体积小、重量轻、噪声性能较好,频带宽、稳定性好等优点,因此现在它已取代或部分取代了隧道二极管放大器,行波管放大器以及参量放大器。就目前我国来看,     

微波晶体管放大器的分析与设计

本文在分析微波晶体管线性有源网络的基础上,详细讨论了微波晶体管放大器的图解设计方法,给出了单级和双级微波晶体管放大器的设计实例与测试结果。文中给出的噪声系数测试系统与噪声系数计算公式便于一般实验室条件下采用。     

微波固态放大器的机辅分析

本文简述了微波固态放大器在雷达电子系统中所起的重要作用后,比较了微波晶体管放大器、萧脱基壁垒门型场效应管放大器及砷化镓场效应管放大器等的特点,评估了它们的性能,推导了分析和设计微波晶体管及场效应管放大器所需的一系列重要公式,并给出了用FORTRAN77之一种——PSU/WATFIV编写的程序.该程序已在IBM3081机上运行通过,亦可在其它各种常见中小型机器上运行。     

2.4GHz低噪声放大器的研究

低噪声放大器是对来自天线的微伏级信号进行放大的射频接收端的放大模块。该低噪声放大器主要由输入匹配网络、微波晶体管放大器和输出匹配网络组成。匹配网络采用微带线形式建立，微波晶体管采用NPN硅晶体管BFP420。利用Microwave Office进行电路仿真和优化。该放大器满足小信号放大器的指标要求，可以用于射频接入电路的前端。     

“微波宽带低噪声高增益场效应放大器优化设计研究”通过鉴定

“微波宽带低噪声高增益场效应放大器优化设计研究”通过鉴定微波宽带低噪声高增益场效应晶体管放大器是雷达、通信和电子对抗等电子系统中关键的微波前端，有广泛的军用和民用价值。我校八系陈开周教授最近完成并通过鉴定的电科院军事电子预研基金项目“微波宽带低噪声高...     

2GHz功率放大链的设计与实验研究

微波晶体管与微带电路技术相结合,开创了微波发射机系统固体化、小型化的新途径.本文介绍的具有增益高、结构简单、制作调测容易、维护方便、一致性强等特点的2GHz 功率放大链,可用于中小容量数模兼容微波系统的发射机及其它的应用中.1 方案该放大链由五级放大器组成,共分三个单元:前级放大单元,推动放大单元及末级放大单元.前级放大单元由两级放大器组成,使用两只3DG90E 组成共发甲类放大器,在整个工作     

微波FET放大器CAD的数学模型研究

建立了微波ＦＥＴ（场效应晶体管）放大器ＣＡＤ（计算机辅助设计）的数学模型．在建立数学模型时，考虑了不连续性和ＦＥＴ源极接地点等因素对放大器性能的影响，并加入了约束条件．对某些指标（如噪声、驻波比）采取了一种新型的数学模型形式．最后，以两级放大器为例，给出了８．５～８．７５ＧＨｚ两级放大器的测试结果．     

高增益微波低噪声微带集成化晶体管放大器

本文叙述2GC波段、增益70分贝以上的微带集成化晶体管低噪声放大器的设计制作。实验测试结果,放大器噪声系数为4分贝上下,3分贝带宽为200MC,放大器具有体积小、耗电量低工作稳定的特点,对于改进微波技术工作是很有意义的。     

微波晶体管放大器最优化设计中均方误差目标函数的探索

本文对微波晶体管放大器最优化设计的均方误差目标函数进行了探索,导出了在常用的几种匹配网络形式下进行最优化设计时的目标函数的数学模式,结合实例对优化结果作了分析。     

双极型晶体管的电荷控制参数及其在宽带放大器中的应用

本文提出双极型晶体管是一种电荷控制器件和它的电荷控制参数的概念;建立描述晶体管内部物理过程的微分方程;与外电路的Kirchhoff定律结合,导出各种基本晶体管宽带放大器的传递函数、输入和输出阻抗的解析表示,作为应用Bode反馈理论来设计宽带反馈放大器的基础.     

基于ADS的2GHz低噪声放大器设计

该文根据对晶体管结构和低噪声放大器原理的分析,利用ADS软件设计了一个低噪声放大器。通过采用HBT晶体管,设计偏置电路、负反馈电路和输入输出匹配电路,实现在2GHz频率下,低噪声放大器绝对稳定,增益大于13dB,噪声系数低于1．0dB,输出驻波比小于1．3,输入驻波比小于2．5。     

1-GHz微带功率放大器的研制

根据实际需要,研制稳定可靠、重复性好的1-GHz微带结构的功率放大器是件有意义的工作。作者用3DA89C三级管和微带电路(基片材料为环氧树脂玻璃纤维板)做实验在 28V馈电下,放大器达到如下指标:①采用同一图形复制了三个放大器(晶体管并未精心挑选),输入功率0.7瓦时,输出功率大于、等于2瓦。②3dB带宽21兆赫。③保留了一个可调电容,改变此电容,放大器增益大于3dB的频率范围为93兆,可用于不同的频率上进行放大。该放大器的独到之处是:一般微波三极管的输入阻抗极低,因而输入端匹配网络是个由高(信号源内阻50Ω)变到低阻抗(三极管输入阻抗)的匹配网络,又由于输入阻抗有电阻又有电抗(感抗),且每管而异,很难测准,这样匹配网络难作。即使用串联电容,使与晶体管输入阻抗的感抗在中心频率抵消,变为纯电阻,匹配网络也难制作,因阻抗变比太大。     

Ku波段微波放大器的计算机辅助设计和制作

本文简述了用计算机辅助设计微波放大器的基本原理和方法,编制了用可变多面体法、模式搜索法优化设计的计算机程序,利用该程序,优化设计,制作并调试出了Ku波段的微波放大器,介绍了测试结果和调试体会。放大器最大增益达22dB,噪声系数为2.9dB,     

高频宽带放大器的优化设计

本文提出利用晶体管的散射参数进行高频宽带负反馈放大器的优化设计方法,并详细讨论了所设计的放大器的特性。     

微波晶体管噪声参数CAT

介绍了一种测量微波晶体管噪声参数的方法,并用矢量网络分析仪和噪声系数测试仪组建了一套自动测试系统。在系统软件的控制下,该系统可对微波晶体管噪声参数进行快速、准确的测量;并给出了部分测试结果,还与厂家典型值进行了比较。     

40Gb/s光通信系统驱动放大器设计

针对40Gb/s光通信系统对高速芯片的需求,设计出一种微波单片宽带驱动放大器。该放大器基于0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,可用于驱动铌酸锂调制器。放大器的宽带实现方案选择分布式拓扑结构,增益单元选择带有耦合电容的共源共栅结构。利用ADS仿真软件进行设计仿真,结果显示,所设计的放大器在DC-35GHz的工作带宽内增益响应平坦,电压增益大于10dB,增益平坦度为±0.5dB,具驻波特性良好,其输入、输出反射系数在频带内的典型值均小于-10dB;在1dB压缩点的输出功率为20dBm,故设计方案可行。     

宽带晶体管放大器的低噪声优化设计

本文以文献〔1〕为基础,提出了低噪声晶体管宽带放大器的优化设计方法。文中研究并实现了国产晶体管噪声参数的测试,利用实测的国产晶体管参数进行了设计和实验验证,证明了本文提出的设计方法和测试方法是正确的。作者编制了Noise程序,使文中全部设计和计算由计算机完成。     

低失真超高频线性中功率晶体管

叙述了主要用于UHF频段CATV主电榄放大器的高增益、低失真、线性中功率晶体管的设计和实践。在对晶体管失真及增益与器件参数研究的基础上,给出了低失真晶体管的最佳设计,并使3DA300晶体管在IM_3=-60dB时Pout≥110dBμv,在500MHz时|S_(21e)|~2(?)10dB。     

1GHz微带有源带通滤波器

本文介绍了利用微波晶体管实现稳定、高 Q 电感的原理与方法。对由感性微波晶体管电路构成的1GHz 微带有源滤波器的特性进行了测试。实验表明,这种滤波器的插入损失接近0 dB,带宽可作得很窄,幅频特性比无源实现更为理想。     

低噪声宽带高频放大器的CAD设计

本文提出利用晶体管的散射参数进行低噪声宽带高频放大器的CAD设计方法,详细讨论了所设计的放大器的特性。此方法也适用于其它高频电路的设计。