用晶体管结构图示法解析BV_(CEO)=BV_(CBO)

1.前言普通晶体管的BV_(CEO)遵从如下经验公式:我们在制作超高频低噪声晶体管中,由于其结构不同,往往BV_(CEO)=BV_(CEO)或者BV_(CEO)接近BV_(CEO).本文就这一问题,试从晶体管的结构入手,用图示法进行解析.分析表明,晶体管结构不同,BV_(CEO)和BV_(CEO)将有不同的关系.2.事本结构为满足超高频低噪声晶体管的参数要求,     

双极晶体管hFE低温失效分析及使用可靠性

论述了影响双极晶体管电流增益ｈＦＥ低温下降的重掺杂效应，结合具体器件测试计算出了ｈＦＥ的低温下降值，并对实测值与计算值的差异进行了分析，最后指出了改进ｈＦＥ温度特性的具体途径。     

硅双极晶体管的hFE温度相关性分析及其应用

本文对硅双极晶体管的h_(FE)温度相关性进行了全面的分析,指出它主要受发射区重掺杂效应支配,也与载流子不同温度下的析出率及载流子迁移率和E_g随温度变化而变化有关。导出了h_(FE)相对变化率的表达式,并由此设计制造了一种低温度变化率的晶体管。     

高频双极晶体管工艺特性研究

高频双极晶体管由于具有高频、电流放大等特性,已广泛应用到放大器电路、电动机、高频雷达、航空航天工程等领域。对目前典型的高频双极晶体管制作工艺进行了分析与探讨,重点研究了制作工艺中的难点,包括集电极深N阱工艺、多晶硅刻蚀工艺、多晶硅发射极工艺。设计并试制了工程样品,对于关键工艺对器件结构及参数的影响进行了详细的研究,可为实际的生产制造提供理论指导。     

双极模式静电感应晶体管(BSIT)

一种具有常关型特性的新型功率器件已经研究成功了,该器件称为双极模式静电感应晶体管,器件阻断电压达600V,漏极电流1.5A,开通时间120ns,关断时间320ns。     

可靠控制双极器件hFE和BVceo的工艺技术

在半导体器件的制作中可靠控制双极器件 h_(FE)和 B Vceo 是涉及其成品率以及器件性能与可靠性的一项重要的工艺课题。在提高工艺系统与设备控制精度以减小性能偏差的同时,更为重要的还需要增大 h_(FE)和 B Veco 规范值所允许的工艺偏差范围。本研究通过双极器件性能与结构之间关系的分析说明,提高较宽基区下的 h_(FE)可加大 h_(FE)和 B Vceo规范值所允许的器件结构偏差,而通过工艺模拟与实验则进一步表明,还需要工艺技术的合理设置,尤其是较低温度下高斯型磷工艺的实施,方能增大规范值所允许的工艺偏差,从而实现对器件性能的有效控制。     

高速双极晶体管工艺条件的优化研究

报道了一种使用深槽隔离和注入基区及快速热退火(RTA)，同时为发射极扩散和Ti硅化物退火的双层多晶硅双极技术。对内基区注入、选择性注入集电极(SIC)以及RTA等主要工艺条件对器件特性的影响进行了研究和优化。根据优化结果，制作出了性能优良的高速双极晶体管。     

双极大功率晶体管背面工艺优化

针对双极大功率晶体管批量生产时,存在的晶体管基极-集电极(BC)之间正向压降偏大且一致性较差的现象,对影响功率晶体管BC正向压降的因素进行了分析,并进行了相应的工艺实验,优化了工艺条件。实验结果表明,影响功率晶体管BC结正向压降的是背面减薄工艺和背面金属化工艺前的清洗工艺,芯片背表面的状态是影响器件BC正向压降的主要因素,优化后功率晶体管的BC正向压降优于指标要求,提高了批次间芯片参数的一致性,确保了双极大功率晶体管的工作稳定性。     

硅双极晶体管的低温h_(FE)

低温下hFE主要决定于发射效率γ和集电区倍增因子M．影响γ的是禁带收缩和基区费米能级．M则主要由中性杂质被碰撞电离而造成的电流倍增效应决定，并且这是一种自抑制效应，以上观点与实验结果基本相符合。     

绝缘栅双极晶体管(IGBT)及其应用

绝缘栅双极晶体管(IGBT)是电力电子技术中的关键器件。本文介绍了IGBT国内外发展简况,较详细地说明了IGBT的重要特性及其应用基础技术,列出了在家用电器、电焊机、电动机等方面应用的一些基本电路。     

Si/Si_(1-x)Ge_x异质结双极晶体管和Si双极晶体管高频性能的比较分析

本文介绍了对Si/Si_(1-x)Ge_x异质结双极晶体管(HBT)和硅双极结晶体管(BJT)高频性能进行模拟比较的结果,其结构参数是为获得最高f_T≈f_(max)设计的。模拟研究表明,(1)Si/Si_(1-x)Ge_xHBT具有64GHz的峰值f_T(=f_(max)),它比Si BJT提高了16.4％;(2)发射极充电时间对高频性能有相当大的影响,即使电流密度高达80kAcm~(-2)时也是如此;(3)SiGe基区组分梯度和基区掺杂分布强烈影响着f_T和f_(max)。研究发现高斯梯度分布具有最高的峰值f_T=f_(max),据估计其峰值截止频率比均匀掺杂分布高30％;(4)高频性能对集电极设计的依赖关系表明,要在f_T、f_(max)和BV_(CBO)间进行折衷处理;并且(5)通过降低发射区或基区掺杂浓度,可设计出f_T超过100GHz的Si_(1-x)Ge_xHBT。同样,通过提高基区掺杂浓度和降低非本征电容和电阻,可实现100GHz的f_(max)。     

测试BV_(EBO)的简便方法

在试制、生产晶体三极管过程中,或者晶体三极管在使用之前,一般都要测其BV_(EBO)特性.按BV_(EBO)的定义,以npn管为例,其测试原理图如图1所示.待测晶体三极管的基极(B)接负电位,其发射极(E)按正电位.使用JT-1或QT-2等仪器仪表进行测试,为叙述方便,我们称此法为“定义法”.不过,在实践中更为广泛应用的一种测试方法如图2(图2～7测试原理图仅标出三极管各电极所接电位的极性,其余部分同图1)所示,其待测三极管的C极(集电极)按负电位,三极管的E极接正电位,使用JT-1等仪器进行测试.我们规定此法为“通用法”.     

场效应晶体管和双极晶体管热特性的差异

砷化镓场效应晶体管(GdAs FET)具有与硅双极晶体管不同的热性能。砷化镓的热导率比硅低些,因此需要对场效应晶体管结构的热分析作不同的研究。     

微波双极晶体管和微波场效应晶体管线性放大器

1.引言近年来,由于微波双极晶体管和微波场效应晶体管在制造工艺上所取得的成就,使得使用电真空器件的一些无线电设备单元完全可以用半导体器件代替。用线性放大器作为无线电发射设备的输入,输出极和中放、以及作为无线电测量仪器的某些单元是     

双极晶体管关键参数的研究

本文基于双极晶体管的工艺,就如何对电流增益和特征频率两个参数进行优化研究.首先对其进行了器件工艺模拟分析优化,得到模拟特征频率在10 GHz,电流增益为160,而后进行了流片,通过测试得到特征频率为9.5 GHz,电流增益在160以上,最后进行了测试结果和模拟结果的比较分析.     

双极晶体管的进步

尽管MOSFET已经成为众多电源管理设计者默认的选择,但是双极晶体管也一直是媒体关注的焦点,并且在某些电源开关应用中是更好的选择.近几年来,双极晶体管发展很快,并经历了几代技术上的进步.如图1所示. 本文首先综述当前双极晶体管的特性,然后说明它们不可或缺的优越性如何在实际中得到应用.     

非线性双极晶体管模型的研究

本文对非线性双极晶体管的模型进行了研究,非线性晶体管模型对微波CAD和无线电系统仿真都是非常关键的。本文采用等效电路模拟非线性双极晶体管,给出了等效电路模型及模型参数,并用这些参数描述了非线性双极晶体管工作过程中的直流特性和各种效应:基区宽度调制效应、电荷储存效应;正向电流增益(BF)随电流的变化以及温度的影响等。为准确地建立不同用途双极晶体管的模型提供了依据。     

一种新型电子节能灯用晶体管—双极型静电感应晶体管(BSIT)

本文简要叙述了开发和研制BSIT的市场背景和技术现状；对BSIT（BipolarStaticInductionTransistor）器件模型进行了理论分析；对BSIT器件的设计和制作工艺进行了探讨，并分析了BSIT器件的工作原理和特性；介绍了BSIT器件的应用和上灯试用情况。     

双极型晶体管中子辐照研究

航天技术的飞速发展对电子系统的固体化、小型化提出越来越高的要求。在宇宙空间工作的电子器件将受到各种射线及高能粒子的辐照。本文主要研究双极型晶体管在高能中子辐照下电参数的变化情况及提高器件抗中子辐照能力的措施。