TAB器件的电特性分析

本文介绍了自动带焊（ＴＡＢ）器件的载带结构及其电参数，构造了集中参数的等效电路．用ＰＳＰＩＣＥ程序对ＴＡＢ器件和引线键合器件的高频特性进行分析和对比后，阐明了ＴＡＢ器件在高频特性方面优于传统封装形式的器件。通过长线模型，模拟了ＴＡＢ器件的延时特性；并分析了ＴＡＢ器件的热特性。     

GaAs MESFET大信号瞬态模拟

本文采用了大信号瞬态分析方法，从砷化镓（ＧａＡｓ）材料参数和器件几何参数出发，通过求解Ｐｏｉｓｓｉｏｎ方程和连续性方程，模拟出ＦＥＴ器件端口特性，得到了大小信号器件模型不同的定量依据，并在此基础上提取出了ＦＥＴ非线性模型参数．本文所开发的软件，其有效性在从材料器件物理参数出发，一步设计出微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）的ＣＡＤ过程中得到了验证．     

10 Gb/s电吸收调制器的微波封装设计

在高速光电子器件的微波封装过程中，需要综合考虑封装寄生参数和芯片寄生参数对器件高频性能的影响。利用封装寄生参数对芯片寄生参数的补偿作用，成功实现了10Gb／s电吸收调制激光器（EML）的高频封装。通过封装前后芯片和器件的小信号频率响应测试结果对比，器件的反射参数和传输参数有所改善，3dB带宽达到10GHz；并进行了10Gb／s速率的光纤传输实验，经过40km光纤传输后通道代价不到1dBm（误码率为10^-12），满足10Gb／s长距离光纤传输系统的要求。     

WDM器件的技术途径

介绍了用于WDM系统中的WDM器件的工作原理、结构和制作方法，分析了器件的特性参数，展望了器件的应用前景。     

多晶硅发射区晶体管的解析模型

在包括了更多的物理效应基础上，本文提出了一个新的多晶硅发射区晶体管的解析模型．把物理参数分为与多晶／单晶硅界面有关的界面物理参数和与纵向结构有关的纵向结构参数，建立了载流子传输机理的特征符号表示系统，给出了晶体管重要特性参数的解析表达式．应用这个模型详细分析了电流增益与两类物理参数之间的关系，并与部分实验结果进行了比较，得到了有关改善ＲＣＡ器件，ＨＦ器件和界面氧化层大面积破裂器件的电流增益的结论．     

内部电压箝位与智能自保护功率MOSFET及其应用

MOSFET器件是功能电路中的常用器件，同时也是在过流或过压情况下最易损坏的器件。文中介绍了多种电压箝位式功率MOSFET器件和智能型自保护功率MOSFET的特性参数和内部结构，给出了它们的电路连接方法。     

6H-SiCOI MESFET器件结构参数对其特性的影响

采用二维器件仿真软件Medici，模拟分析了SiCOI(绝缘衬底上SiC)MESFET器件的结构参数，如有源层掺杂浓度、栅长和有源层厚度等，对器件特性(阏值电压和跨导)的影响。结果表明，其结构参数对器件特性有较大影响。同时，对所得结果从内部物理机制上进行了分析。     

Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化

针对沟道长度为50nm的UTB SOI器件进行了交流模拟工作，利用器件主要的性能参数，详细分析了UTB结构的交流特性．通过分析UTB SOI器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的影响，对器件结构进行了优化．最终针对UTB SOI MOSFET结构提出了一种缓解速度和功耗特性优化之间矛盾的方法，从而实现了结构参数的优化选取，使UTB SOI MOSFET器件的应用空间更为广泛．     

结势垒控制肖特基整流管的优化设计

本文在分析结势垒控制肖特基整流管工作原理的基础上，详细讨论了器件特性与结构参数的关系；给出了器件优化设计的依据，建立了适用于ＳＰＩＣＥ电路分析程序的器件等效电路模型。     

一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件

高压集成电路是将高压器件和低压控制电路集成在同一芯片上的集成电路，高压集成电路的研究与发展，主要是高压器件、高压集成电路工艺以及设计技术的发展。文章提出了一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件，并对该器件结构进行了耐压分析，给出了该器件的击穿特性；等势线和电流线等模拟曲线。对不同参数模拟的曲线进行了分析和比较。结果表明，该结构具有比较高的击穿电压，并且工艺简单，受工艺参数波动的影响较小，不失为一种提高集成电路耐压的新途径。     

单片电路应用的超低功耗E型GaAs MESFET研究

本文从器件的几何、材料和工艺参数出发，获得了低功耗低噪声增强型ＧａＡｓＭＥＦＥＴ模型的等效电路元件值。研究了器件的几何、材料和工艺参数及ＲＦ性能和直流功耗的关系，给出了ＥＦＥＴ物理参数的最佳取值范围，可为超低功微订成电路中有源器件的设计提供依据。     

钝化层在LCD中的作用

本文研究了钝化层在LCD中的作用，实验结果表明，采用钝化层工艺不仅提高了液晶显示器件的耐严酷环境的能力，而且有助于改善器件的光电参数性能。     

MOS器件的最高工作温度及潜力开拓

本文根据半导体材料物理参数、ＭＯＳ器件电学参数在高温下变化的理论分析和实验结果，提出了影响ＭＯＳ器件最高工作温度的主要因素及潜力开拓的途径。     

具有高量子效率、低暗电流、高可靠性的平面InGaAs PIN光电二极管

本文详细讨论了量子效率和响应时间两个重要参数与器件结构参数的关系，为器件设计提供了依据，并提出了器件的设计方案。根据设计方案研制出的平面ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电二极管，量子效率高达９０％以上，暗电流为１００ｐＡ。在－１０Ｖ偏置下，１８０°Ｃ时ＭＴＴＦ大于３０００ｈ，２３０°Ｃ时ＭＴＴＦ为５００ｈ。     

三维多芯片组件的散热分析

建立了一种叠层多芯片组件结构，应用计算流体动力学方法(CFD)，对金刚石基板的三维多芯片结构进行了散热分析，模拟了器件在强制空气冷却条件下的热传递过程和温度分布。此外，还探讨了各种设计参数和物性参数对3D-MCM器件温度场的影响。     

分立器件时间测量单元的研制

分立器件的时间参数测量是分立器件参数测量的重要组成部分,随着分立器件设计技术的不断提高,如何高效准确地测试分立器件的时间参数是分立器件交流参数测试研究的重点。本文介绍了时间参数测量电路,从频率可调的方波产生电路,到时间测量电路做了一个系统的描述,此时间测量单元的测试结果在JC90分立器件测试仪器上得到了正确的验证。     

分立器件时间测量单元的研制

分立器件的时间参数测量是分立器件参数测量的重要组成部分,随着分立器件设计技术的不断提高,如何高效准确地测试分立器件的时间参数是分立器件交流参数测试研究的重点。本文介绍了时间参数测量电路,从频率可调的方波产生电路,到时间测量电路做了一个系统的描述,此时间测量单元的测试结果在JC90分立器件测试仪器上得到了正确的验证。     

7.5cm 372×276象素a-Si TFT有源矩阵的优化设计及制作工艺研究

研究了7.5cm372×276象素a－SiTFT有源矩阵的优化设计理论，讨论了材料物理参数和器件结构参数时器件性能的影响，并对其制作工艺进行了系统研究。     

GaAs MESFET和HEMT的中子辐射效应研究

本文介绍了ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ和ＨＥＭＴ的中子辐射效应。依据中子辐射损伤机理，分析了器件参数与中子辐射剂量Φ的依从关系，其中，器件参数包括物理参数ＮＤ、ＮＳ、ＶＳ，μ和电参数ＩＤＳ、ｇｍ、Ｖｐ、Ｇ等。     

背景辐射对长波HgCdTe光电导探测器性能的影响

分析了背景辐射影响长波HgCdTe光电导探测器性能的基本原理，分析中考虑了器件上下两表面的表面复合速度和不同器件的具体参数。在MTD标准测试杜瓦上改装了一视场角可连续变化的冷屏（110～10°），用光电导衰退测量了不同视场角下载流子有效寿命，用红外探测器的标准测试方法测量了不同规场角下器件的黑体响应率，单位带宽的均方根噪声电压，黑体探测率，实验结果表明所研制的长波器件已经达到低温背景限的性能。降低背景辐射量可使器件性能有很大提高，用测试过的器件的参数经理论计算得到的结果同实验数据基本一致。