有机电致发光二极管的透明阴极的研制

介绍了利用LaB6材料制作透明有机电致发光二极管(TransparentOrganicLightEmittingDiode，TOLED)的透明阴极的特性；研究了80～250nm膜厚的透明阴极的光谱特性——在可见光范围内的透过率，其透过率在40％～70％之间，并对LaB6材料制作的透明阴极与利用Mg：Ag合金和ITO制作的透明阴极的性能进行了比较。LaB6作阴极的TOLED更利于实现高分辨率的彩色显示。     

强流静电会聚电子枪系统计算机模拟研究

轻、小型层流电子枪在电子束焊接,微波器件等方面具有广泛的应用,希望得到稳定的、环形分布且会聚良好的电子束.但传统电子枪的聚焦系统如磁聚焦或电磁混合聚焦存在结构复杂、重量大的缺点.我们采用具有优异电子发射和抗中毒能力的LaB6作为阴极材料,纯静电聚焦的方式进行仿真、设计.经过理论探讨和计算机模拟仿真,在5 000 V总电压下,输出300 mA强流电子束,导流系数达到了3.35 μA/V3/2.为下一步具体的结构设计提供了可靠依据.     

一种新型脉冲微束斑X射线源的研究

通过控制栅极电压技术,有效地控制LaB6阴极电子枪发射系统电子束发射的通与断,成功实现了新型台式微束斑X射线源的脉冲辐射。该X射线源主要由三部分组成：LaB6单晶阴极电子枪发射系统,静电聚焦系统以及金属靶材系统。通过对该微束斑X射线源输出的X射线束斑、亮度等特性的初步实验测试,表明这种脉冲式微束斑X射线源具有束斑小、亮度高的特点,其中X射线束焦斑仅为10μm左右。     

多层氧化物复合阴极透明OLED器件

制备了一种采用多层氧化物复合阴极的透明OLED,器件结构为:ITO/MoO3(10nm)/NPB(60nm)/Alq3(65nm)/Al(1nm)/MoO3(1nm)/Al(Xnm)/MoO3(30nm)。所采用的复合阴极结构为MoO3/Al/MoO3(MAM),同时在复合阴极(MAM)与电子传输层(Alq3)中间插入一层厚度为1nm的Al中间层,该薄Al层一方面提高了电极与有机层间界面的平整度,同时增强了电极的导电性;另一方面,在电子传输层与中间层Al薄膜之间形成了良好的欧姆接触,提高了电子的注入能力。改变MAM结构中Al的厚度,获得该透明OLEDs的最佳性能,在Al的厚度为18nm时器件亮度最高,为2 297cd/cm2。     

单晶和多晶LaB6阴极发射性能的实验研究

讨论了由国内外3个不同来源的六硼化镧（LaB6)制成的阴极的发射性能，用标号1^#,2^#,3^#表示，其中1^#是LaB6单晶阴极，2^#,3^#分别是国外和国产的多晶阴极。实验主要测试了它们的发射特性，并作了简单分析，同时运用扫描电子显微镜、扫描俄歇微探针，X射线晶格衍射分析等手段对LaB6材料进行了分析，比较了LaB6材料质量与发射性能的关系。文中还对部分阴极电子学的重要结信纸及典型数据处理方法作了补充。     

电子束蒸发法制备六硼化镧薄膜及其特性研究

用电子束蒸发的方法在Ta衬底上制备了LaB6薄膜,用电子显微镜、X射线光电子能谱仪对样品的表面状况、化学组分进行了分析.采用真空热电子发射法测出了LaB6薄膜的逸出功.结果表明,电子束蒸发的方法能够得到化学成分偏差较小、表面状况较好的LaB6薄膜,其逸出功为2.59eV,具有良好的电子发射性能.     

红光、绿光、蓝光、白光用高性能有机电子注入层和传输层

研制成功了一种新型提高有机电致发光器件效率、降低其功耗的新型电子注入层。本文讨论了这种新型电子注入层的性能及其与之相关的电子传输层的性能。与通常使用的LiF注入材料或Li掺杂的Alq3：BPhen电子传输层器件相比,使用新型电子注入层和电子传输层的性能更加优良。在20mA／cm2的电流密度下,红光器件的性能为：亮度为10．8cd／A,工作电压为3．9伏,色座标为（O．66,0．34）：绿光器件的性能为：亮度为18．4cd／A,工作电压为4．2伏,色座标为（0．29,0．62）;深蓝色器件的性能为：亮度为7．7cd／A,工作电压为3．70t,色座标为（0．14,0．13;蓝绿色器件的性能为：亮度为21．1cd／A,工作电压为3．8伏,色座标为（0．16,0．37）;白光器件的性能为：亮度为13．2cd／A,工作电压为3．80t,色座标为（0．34,0．34）。在同样的工作条件下,红光、深蓝色光和蓝绿光的外部量子效率分别为8．7％,6．6％和9．7％。迄今为止所报告单色发光器件中,这些器件是效率最高的器件。     

硼化镧薄膜的发射特性研究

LaB6阴极凭借其优良的发射特性已广泛应用于各种大电流密度的电子源，但是硼化镧薄膜的制备方法以及其发射特性还未得到深入的研究，本文对在Ta金属基底材料上使用电子束蒸发法得到的硼化镧薄膜表面型貌使用扫描电子显微镜进行了观测，使用XPS紫外光电子能谱仪测量了其原子比，薄膜显示出良好的发射特性，利用热发射测量逸出功，利用Richardson直线法计算得到薄膜材料的逸出功为2．64eV。     

微束斑X射线源的边界元法分析

本文详细的讨论了边界元法在处理微束斑X射线源的电子束发射系统是,LaB6阴极电子枪内部结构的剖分、计算公式的推导;为提高精度,并讨论了在求解间接边界元方程时,采用二次等参元插值方法等,在此基础上,通过Gauss消元法和三次样条插值法等解得了系统对称轴上电位分布以及内部场强分布,并利用四阶Runge-Kutta法追踪了电子从阴极开始到阳极入口处的运动轨迹且得到了合适的束斑大小。     

以陶瓷厚膜为绝缘层的绿色薄膜电致发光器件

首次报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ∶Ｅｒ作发光层的绿色薄膜电致发光器件（ＣＴＦＥＬ）。器件结构为陶瓷基片／内电极／陶瓷厚膜／发光层（ＺｎＳ∶Ｅｒ）／透明电极（ＺｎＯ∶Ａｌ）。发光层是用电子束蒸发制备的,透明电极是采用溅射法制备的。器件在市电频率驱动下发出明亮的绿光,研究了器件的亮度－电压和效率－电压等特性。     

Fully transparent flexible transistors built on metal oxide nanowires

Transparent electronics has attracted great research efforts in recent years due to its potential to make significant impact in many area, such as next generation displays, ultraviolet (UV) detectors, solar cells, charge-coupled devices (CCDs), and so on. Central to the realization of transparent electronics is the development of high performance fully transparent thin-film transistors (TFTs). One-dimensional (1-D) nanostructures have been the focus of current researches due to their unique physical properties and potential applications in nanoscale elec-tronics and optoelectronics. Among 1-D nanostructures, transparent metal oxide nanowires are one of the best candidates to make fully transparent TFTs. We provide in this paper the most recent development on the fabrication of fully transparent TFT using metal oxide nanowires as the device elements. First, the review article gives a general introduction about the development of transparent elec-tronics using different kinds of materials as the devices elements, including organic semiconductors, metal oxide thin films, and metal oxide nanowires. Second, the growth of metal oxide nanowires using vapor phase methods governed by two different growth mechanisms: vapor-solid mechanism and vapor-liquid-solid mechanism, respectively, are described. Third, the fabrication of transparent and flexible TFTs using different metal oxides nanowires is comprehensively described. In conclusion, the challenges and prospects for the future are discussed.     

采用碳纳米管导电薄膜作为OLED的阳极

采用碳纳米管(CNT)替代ITO作为OLED阳极可以 解决ITO薄膜存在的可弯曲性能差,可靠性低等缺 点,使得柔性显示成为可能。本文采用混合型CNT导电薄膜作为阳极,探讨了CNT薄膜的制备 工艺、掺 杂方式及表面修饰等因素对绿光OLED性能的影响。实验结果表明,P型掺杂对CNT薄 膜的导电性能影响 有限;而PEDOT修饰层可以很好的提高CNT导电薄膜的平整度;此外,采用“十字交叉 ”的阳极形状有助于降低 阳极拐角处毛刺。通过优化器件各参数,制备的PET/CNTs/PEDOT/NPB/ALq₃/LiF/Al绿光OL ED发光效率达 到了195 cd/m²,结果表明采用混合型CNT作为OLED阳极是可行的。     

可见-红外宽光谱的两种分色方法

空间光学遥感仪器的工作光谱往往覆盖从可见到长波红外的宽光谱范围,它们是利用数个甚至二十多个光谱通道获取信息的.因此通常需要一个覆盖全光谱的分色片将光谱一分为二,将不同光谱分配到透射和反射光路中.通过对基片材料、膜层材料、膜系结构的设计和分析,得到可见-红外宽光谱的两种分色方法.利用真空中的光学薄膜沉积技术,制备出了两类性能良好的可见-红外宽光谱分色片,光谱覆盖范围0.4μm～13μm,可见光区透射率大于80%,6μm ～13μm的长波红外反射率大于90%.     

反应压力对MOCVD法沉积ZnO薄膜性质的影响

研究了反应压力对金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.X射线衍射(XRD)和扫描电子镜(SEM)的研究结果表明,随着反应压力的降低,ZnO薄膜(002)择优峰的强度呈现相对减弱趋势,并且出现了较强的(110)峰;Hall测量表明,低的反应压力有助于提高薄膜电学特性.200 Pa时制备出的ZnO薄膜具有明显的"类金字塔"状绒面结构,电阻率为1.28×10-2 Ω·cm.实验中沉积的ZnO薄膜在600～2 600 nm内平均透过率超过80%,而短波长范围由于光散射作用,ZnO薄膜的垂直透过率有所下降.     

Wafer bonding of 75 mm diameter GaP to AlGaInP-GaP light-emitting diode wafers

The AlGaInP/GaP wafer-bonded transparent-substrate (TS) light-emitting diodes (LEDs) have been shown to exhibit luminous efficiencies exceeding many conventional lightning sources including 60 W incandescent sources. This paper will demonstrate the feasibility of scaling wafer bonding technology to 75 mm diameter wafers and some of the unique challenges associated with this scaling. The quality and uniformity of bonding were characterized via scanning acoustic microscopy, white light transmission measurements, full-wafer mapping of parametric performance, and operating life tests. High bonding yields over large areas facilitate low-cost, high-volume fabrication of TS AlGaInP/GaP LEDs, and thus, further enable these devices to compete with other lighting sources.     

Frontier of transparent oxide semiconductors

Recent advancements of transparent oxide semiconductors (TOS) toward new frontiers of “oxide electronics” are reviewed based on our efforts, categorized as “novel functional materials”, “heteroepitaxial growth techniques”, and “device fabrications”. Topics focused in this paper are: (1) highly conductive ITO thin film with atomically flat surface, (2) p-type TOS material ZnRh₂O₄, (3) deep-ultraviolet (DUV) transparent conductive oxide β-Ga₂O₃ thin film, (4) electrochromic oxyfuolide NbO₂F, (5) single-crystalline films of InGaO₃(ZnO)_m grown by reactive solid-phase epitaxy, (6) p-type semiconductor LaCuOS/Se epitaxial films capable of emitting UV- and purple-light, (7) p–n homojunction based on bipolar CuInO₂, (8) transparent FET based on single-crystalline InGaO₃(ZnO)₅ films, and (9) UV-light emitting diode based on p–n heterojunction.     

基于银纳米线的柔性透明电极的制备及性能研究

有机发光二极管(organic light emitting diodes, OLEDs)可以柔性制备,在未来的可穿戴应用上有广阔的发展前景,而柔性透明电极(flexible transparent electrode, FTE)的性能直接影响着柔性OLED的性能。本文基于银纳米线(AgNWs)和聚(3,4-乙烯二氧噻吩)∶聚苯乙烯磺酸(PEDOT∶PSS)制备了FTE,并采用甲醇浸渍、氩等离子处理、紫外辐射3种不同的方式对该电极进行处理,优化FTE的光电性能。研究发现：甲醇浸渍,可减少AgNWs上聚合物的包覆;等离子体处理和紫外辐射,可对AgNWs进行焊接;而两种方式的协同作用则可以对FTE的光电性能进一步优化。实验获得最优FTE的方阻为14.18Ω/sq,在550 nm处的透过率可达到84%以上。经过500次弯曲测试后,FTE的方阻变化率低于15%。本文的工作对FTE的制备及优化提供了可行性方案。     

透明吸波体综述北大核心CSCD

吸波体是一种带有损耗特性的周期结构,能够吸收电磁波,将电磁能转化为热能,降低反射的电磁波能量。随着应用场景的特殊化,吸波体朝着特殊领域、特定功能、更具针对性的方向发展。由于各类含有光学窗口的应用环境对抗电磁干扰需求的不断提高,吸波体光学透明化成为研究的重点方向。为了对透明吸波体的发展状况有系统的认识,文章以制造材料为脉络梳理了近年来可见光透明吸波体的研究现状,包括氧化铟锡(ITO)、金属网栅、石墨烯等,综述了以它们为材料制备的透明吸波体优缺点以及发展趋势,最后对透明吸波体的未来发展进行了展望。