3D-TSV技术——延续摩尔定律的有效通途

对于堆叠器件的3-D封装领域而言,硅通孔技术(TSV)是一种新兴的技术解决方案.将器件3D层叠和互连可以进一步加快产品的时钟频率、降低能耗和提高集成度.为了在容许的成本范围内跟上摩尔定律的步伐,在主流器件设计和生产过程中采用三维互联技术将会成为必然.介绍了TSV技术的潜在优势,和制约该技术发展的一些不利因素及业界新的举...     

高真空场发射三极显示器的制作

三极结构的场致发射显示器是一种新型的真空平板显示装置,高真空的实现与维持是确保显示器件正常工作的必要条件.通过采用低熔点玻璃粉烧结工艺和玻璃定位片装置,实现了场致发射显示器的高真空平板封装.从器件封装结构、器件烧结、器件排气和器件烤消等方面进行了工艺改进.综合采用这套技术,已经研发出三极结构的、具有高真空度的碳纳米管阴极场致发射显示器样品.     

采用注入隔离制造的AlGaN/GaN HEMTs器件

对AlGaN/GaN HEMT器件采用离子注入技术注入氦离子进行隔离,应用该技术制造出的器件在室温下具有很好的特性.器件的阈值电压在-3V左右时,源漏间电流为几十nA.肖特基势垒的反向漏电流在-10V下约为几百nA.与采用干法刻蚀技术进行隔离的器件相比,采用离子注入技术不但可以获得全平面化的HEMTs器件而且还有效地抑制了场区漏电.研究还表明氦离子注入的温度稳定性大于700℃.     

一种光开关集成可调衰减器的设计与应用

介绍了一种兼具光开关功能、低成本、小体积的静电驱动微电机系统(MEMS)可调光衰减器件.器件采用了静电驱动微反射镜和光纤三芯准直器,具有良好的光学性能和可靠性指标.给出了器件的衰减量和驱动电压的关系、光学性能的分析以及相关试验结果.对于该器件的灵活应用,介绍了一种PLC技术的,新型、实用、低成本的ROADM设计方案.     

AlN阻挡层对AlGaN/GaN HEMT器件的影响

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN异质结和AlGaN/AlN/GaN异质结二维电子气材料,采用相同器件工艺制造出了AlGaN/GaN HEMT器件和AlGaN/AlN/GaN HEMT器件.通过对两种不同器件的比较和讨论,研究了AlN阻挡层的增加对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响.     

AlN阻挡层对AlGaN/GaNHEMT器件的影响

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN异质结和AlGaN/AlN/GaN异质结二维电子气材料,采用相同器件工艺制造出了AlGaN/GaN HEMT器件和AlGaN/AlN/GaN HEMT器件.通过对两种不同器件的比较和讨论,研究了AlN阻挡层的增加对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响.     

采用注入隔离制造的AlGaN/GaN HEMTs器件

对Al Ga N/Ga N HEMT器件采用离子注入技术注入氦离子进行隔离,应用该技术制造出的器件在室温下具有很好的特性.器件的阈值电压在- 3V左右时,源漏间电流为几十n A.肖特基势垒的反向漏电流在- 1 0 V下约为几百n A.与采用干法刻蚀技术进行隔离的器件相比,采用离子注入技术不但可以获得全平面化的HEMTs器件而且还有效地抑制了场区漏电.研究还表明氦离子注入的温度稳定性大于70 0℃.     

三星推出采用堆栈技术的512MbSDRAM器件

三星半导体公司推出了两款采用堆栈式封装技术的512Mb SDRAM存储器件.它主要应用于高端服务器、基站和网络产品,是唯一的满足1 GB DIMMS要求的产品. 它们采用0.15微米处理技术,具有两种512Mb制式.其中K4S510632B采用4倍制式,而K4S510732B采用8倍制式.两款器件现已投入量产,采用54管脚 TSOP(II)堆栈式封装,工作电压为3.3V,与现有的由K3S560432 (x4)和K3S560832 (x8)构成的256M SDRAM器件相同.它们也兼容于JEDEC PC100 & PC133规范,最大带宽为133MHz(CL=2 或CL=3). 这些堆栈式器件为用户提供了一种更为经济高效、更高存储容量的系统设计,不会对热障和稳定性能造成损害.     

八路高速光电耦合器的研制

研制了一种独特的八路高速光电耦合器.器件采用混合集成电路方式,将24个芯片运用二次集成技术封装在20引线双列直插陶瓷管座中.设计中采用独立腔体分隔技术,将8个光路完全从物理上分离,彻底杜绝多路光信号间的相互干扰.文章重点描述了器件的结构特性、工作原理、参数设计以及特性曲线分析,并简要概括了在研制过程中采用的一些技术方法和制作工艺.     

采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管的性能

研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管.采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气桥等技术,成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件.该器件的共射直流增益达到170,残余电压约为0.2V,膝点电压仅为0.5V,而击穿电压超过了2V.器件的截止频率达到85GHz,最大振荡频率为72GHz,这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用.     

基于自由空间耦合技术的窄带滤波器实验研究

提出了一种基于自由空间耦合技术的新型窄带滤波器的制作方法.该器件是利用以LiNbO3晶体为电光材料的双面金属包覆波导激发出的高阶导模具有强的波长选择特性而设计出的一种全新结构器件.其具有插入损耗低、制备简单、成本低廉以及稳定性高等特点外,还一显著优点是采用自由空间直接耦合技术,与传统棱镜耦合方式的聚合物器件相比更易实现阵列化集成.目前,实验室通过优化技术参数,样品的线宽已做到了0.2nm.     

Performance of a Self-Aligned InP/GaInAs SHBT with a Novel T-Shaped Emitter

研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管.采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气桥等技术,成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件.该器件的共射直流增益达到170,残余电压约为0.2V,膝点电压仅为0.5V,而击穿电压超过了2V.器件的截止频率达到85GHz,最大振荡频率为72GHz,这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用.     

阵列波导器件封装中机器视觉系统的光源分析与设计

为采用机器视觉实现对阵列波导器件的光路对准,需要设计合理的照明方式观测到阵列波导器件的光路.介绍了照明技术,通过实验比较了不同光源照明,最终发现采用平行光从背面进行照明才能观测到阵列波导器件的光路.按照明要求设计了一种新型的平行光源,通过对光源的光照度分布进行建模仿真,仿真结果显示在光照面积固定时,采用大焦距的透镜可以得到更均匀的光照度.实验结果显示,采用新设计的光源进行背面照明可以清晰观测到阵列波导器件的光路.     

一种宽输入范围高精度频率计的设计

数字频率计设计一般都是采用分立数字器件和集成模拟芯片来实现,其精度不太高,而且输入信号范围常常受到限制.一种采用可编程数字逻辑器件CPLD,将数字器件进行集成化,并配备高稳定度时钟,对输入模拟信号采用多路程控精密放大整形的技术,利用等精度测频法,实现了对频率的高精度测量.使得频率测量范围达到数十兆,精度超过10-7,输入信号最小到10 mV.     

用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计

给出了一种用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计,针对MEMS惯性器件大多采用电容量输出等特点,设计了一个低噪声运算放大器,利用该运放,设计了一种基于开关电容的电荷转移电路来将电容量转换为电压量,以便后续电路处理.采用了相关双采样(CDS)技术,较大地减少了电路和MEMS惯性器件的1/f噪声、热噪声,抑制了零漂.采用HHNEC 0.35 μmCMOS工艺制造,面积为1 mm×2 mm,与MEMS器件封装在一起,并进行了实际测试,结果表明,该读出电路基本满足要求,并具有较低的噪声.     

L波段350W AlGaN/GaN HEMT器件研制

基于高纯半绝缘碳化硅衬底,采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料.室温下霍尔测试结果表明,外延层二维电子气迁移率为1 950cm2/ (V·s),方块电阻为350 Ω,电阻均匀性为3％.通过优化工艺降低了欧姆接触电阻,提高了器件工作效率.采用源场板结合栅场板的双场板技术和增大源漏间距,提高了器件击穿电压.优化了背面减薄和背面通孔技术,提高了器件散热能力.采用阻抗匹配技术提升了芯片阻抗.最终采用预匹配技术和金属陶瓷封装技术成功制作50 mm栅宽的AlGaN/GaNHEMT器件.直流测试结果表明,器件击穿电压高达175 V.微波测试结果表明,在50 V工作电压、1.3 GHz下,器件输出功率达350 W,功率附加效率达81％,功率增益大于13 dB.     

应用单片机的手持式RFID读卡器设计

介绍一种采用单片机技术和基站器件EM4095的手持式低频RFID读卡器方案.首先对整个系统框架进行说明,然后介绍主要功能模块的设计,给出了各模块的原理图.重点描述了基站器件EM4095的性能参数和功能原理.最后描述了该系统的主程序流程图.     

基于CPLD的虚拟信号发生器的设计

从虚拟仪器的概念出发,运用数字波形合成技术,采用CPLD器件作为控制核心,实现一种虚拟信号发生器.重点阐述了CPLD的控制逻辑设计.     

有机电致发光的研究及其进展

介绍了有机电致发光器件的优点,器件的几种结构,有机电致发光的机理,以及评价有机电致发光器件的一些主要参数.阐述了有机发光二极管是一种很有前途的显示技术.     

表面电场对3DK9开关晶体管可靠性影响的研究

针对3DK9开关晶体管在应用中出现表面漏电失效的具体案例进行分析研究.该器件的设计在基极场板边缘处同时出现金属化台阶和表面尖峰电场,这是影响器件可靠性的重要因素.针对原器件结构的缺陷,提出了一种新的器件结构,即采用结终端扩展技术代替基极场板.新结构不仅大大降低了表面尖峰电场,而且避免了金属化台阶与高电场出现在同一区域的情况,从而提高了器件可靠性.