锗烷浓度对非晶/微晶相变区硅锗薄膜结构及光电特性的影响

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了一系列从非晶到微晶相变区硅锗合金薄膜,研究了锗烷浓度对相变区及相变边缘硅锗薄膜微观结构和光电特性的影响.结果表明,锗烷的加入抑制了晶态硅的生长,使硅锗合金薄膜发生从晶态到非晶结构的转变.相变区硅锗薄膜为富硅合金薄膜,表现为纳米硅晶粒镶嵌于非晶硅锗网络的微观结构.随着锗烷浓度增加,合金薄膜光学带隙Eopt逐渐减小,表征薄膜结构有序性的结构因子F,呈先减小后增加趋势.当锗烷浓度为9%时,硅锗合金薄膜处在非晶/微晶相变边缘,薄膜具有较高的致密性,光敏性接近104,适用于叠层薄膜太阳能电池器件吸光层应用.     

掺锗直拉硅单晶中锗杂质的纵向分布

测量了掺锗ＣＺＳｉ中锗的纵向分布形式，发现硅中锗的分布是头部低尾部高，其有效分凝系数Ｋｅ≈０．６６±０．０１．     

锗金属单晶材料性能及加工技术研究

根据锗金属单晶材料的物理性能特点,在大量试验的基础上,探索出一套行之有效的锗金属单晶整盘加工工艺.对影响锗金属单晶零件表面光洁度的磨盘、磨料、加工条件等因素作了详细分析和论述,其结果可用来指导锗金属单晶零件的生产.     

锗晶体管

德国宣布研制成锗晶体管,电子在其中的运动速度是在硅晶体管中的2～3倍。这种晶体管不仅在速度方面创造了新的世界纪录,还可能成为未来高速计算机的核心部件。硅半导体晶体管是当前集成电路的基础,但电子在硅晶体管中的移动速度较慢,特别是随着芯片和晶体管的小型化,电子在硅半导体中的移动速度几乎达到极限。科学家指出,在目前阶段,指甲大小的芯片包含了数百万个晶体管,电子在晶体管中的运动速度稍有提高,就能大幅提高整个芯片运算和存储的速度。电子在锗半导体中的运动速度比在硅半导体中快得多,因此,研制锗晶体管一直是半导体工业的重点…     

水热沉积锗纳米棒的生长机理

以锗、二氧化锗为锗源,于400℃和7.1～8.0MPa的水热条件下在铜片上沉积出了单晶锗纳米棒。对不同金属基片作为衬底的实验结果表明铜片衬底在纳米棒的形成过程中起到了重要作用,对二氧化锗、锗分别作为原料的实验结果表明二氧化锗在锗纳米棒的形成过程中起到了关键作用,提出了锗酸铜辅助生长机理,初步解释了水热沉积锗纳米棒的生长过程。     

金刚石车削单晶锗和硅

本文研究了金刚石车削单晶锗、硅时表面粗糙度随切削方向的变化规律。研究表明：表面粗糙度与切削方向和解理面的夹角有关，夹角越大，切削力在垂直于解理面方向上的分力越大，材料越倾向于产生解理破坏，表面粗糙度越大；反之，材料越倾向于滑移变形，表面粗糙度越小     

聚光型太阳能系统用 锗衬底片产业化技术

技术开发单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所 技术简介该研究所采用垂直梯度凝固（VGF）锗单晶生长技术制备超薄锗片,突破了4英寸超薄锗单晶片的切割、研磨、抛光、清洗、测试和封装等关键技术,     

快速热处理下镍对锗单晶电学性能的影响

采用磁控溅射法在n-Ge表面镀镍薄膜,通过改变快速热处理时间研究镍对锗单晶的导电型号、电阻率和少子寿命的影响,以及镍在锗中的扩散行为。结果表明：镍在锗中具有向内扩散和向外扩散两种行为,并以受主状态存在,改变了锗内部的载流子的分布;775℃热处理后,镍受主完全补偿原有的施主,使锗由n型转变为P型,随着热处理时间的增加,电阻率下降,镍受主浓度增加。即使微量的镍就可以使锗的少子寿命直线下降至零点几微秒,这表明镍在锗中会引入深能级。     

锗硅合金单模光波导的设计与制备

本文介绍了锗硅合金光波导的设计方法,根据锗硅光波导的单模条件,成功地制备出低损耗锗硅合金单模光波导,并通过腐蚀和抛光工艺的改进,使波导的传播损耗最低达到了0.3dB/cm.     

分光光度法用于枸杞、当归中锗含量的测定

采用分光光度法在505 nm处测定锗的含量(质量浓度ρ),实验结果表明,锗的含量在0.25～1.10 μg/mL范围内,吸光度与含量成线性关系.实验测定了枸杞、当归等实际样品,回收率为92.0％～103.5％.该方法不需对样品进行分离,适用于对实际样品中微量锗含量的测定.     

光学晶体材料的各向异性对金刚石车削表面粗糙的影响

单晶脆性光学晶体材料是各向异性材料,在进行切削加工时,已加工表面的粗糙度将随晶向的变化发生改变.本文研究了金刚石超精密切削加工单晶材料时已加工表面粗糙度的变化规律,提出了解理面上的正应力与滑移面沿滑移向上的剪应力哪一个占主导地位正是加工表面的粗糙度呈各向异性分布的原因.最后,本文通过对单晶Ge(110)晶面、(111)晶面的切削试验验证了本文所提出的理论.     

DKDP晶体快速生长条件的研究

研究了ＤＫＤＰ溶液的性质，测定了四方相与单斜相各自溶解度曲线及溶液中两相平衡相变点温度，测定了四方相与单斜相的稳定区．同时，系统地研究了溶液稳定性、溶液ｐＤ值、温度、焦磷酸根等因素对ＤＫＤＰ晶体生长的影响，快速地生长出ＤＫＤＰ晶体．晶体消光比的测定结果表明，快速生长的ＤＭＰ晶体的光学均匀性并未降低．     

稀土磁致冷Gd5Ge2(Si2-xMnx)化合物的结构及微观机制

利用X射线衍射和扫描电镜对Gd5Ge2(Si2-xMnx)结构及表面形貌进行了研究.并利用差示量热法对Gd5Ge2(Si2-xMnx)的磁热性能进行了研究.x射线衍射(XRD)测量分析表明Mn的替代不会影响母体Gd5Si2Ge2的晶体结构,样品中的主相仍然具有单斜结构(P1121/a),其晶体对称性不会随Mn含量的增加而改变.随着Mn含量的增加,晶粒逐渐变大,晶常数增大,体积膨胀,同时Mn和杂质相的析出量也在增加.少量的Mn元素替代Si可以提高Gd5Si2Ge2化合物的居里温度.     

Original position statistic distribution analysis study of low alloy steel continuous casting billet

Due to the difference in the casting technologies, the equiaxed crystal with differentratios of the columnar crystal will be formed in the center part of the castings, castingingots and casting billets. By enhancing the ratio of the equiaxed crystal, namely, byextending the region of the equiaxed crystal, the macro segregation and the porosity inthe center of the casting can be greatly decreased and thus the property of the casting canbe possibly improved. Original position statistic distribut…     

钬镱共掺钨酸钆钠单晶生长及光谱性能

采用中频感应提拉法,生长钬镱共掺钨酸钆钠[Ho,Yb：NaGd（WO4）2,Ho,Yb：NGW]单晶;获得了合适的Ho,Yb：NGW晶体生长工艺参数：拉速1~2mm/h,转速20~22r/min,降温速率10℃/h。测试了晶体的红外光谱和拉曼光谱,对晶体振动进行了归属。研究了Ho,Yb：NGW晶体的荧光光谱,结果表明：Ho,Yb：NGW晶体的荧光光谱波长位于1.90~2.05mm范围内,呈带状连续分布,其中最强峰的发射波长为2043nm,对应Ho3+的5I7→5I8能级跃迁,半峰宽约为100nm。     

合成石英晶体Q值的快速分析方法

对合成石英晶体Q值快速分析方法进行了研究。利用红外分光光度计吸收系数α与光强之间的经验公式建立了α~Q的工作曲线;固定红外2785 nm波长测量Z块和Y棒晶体的红外吸收;采用化学光谱分析,测量了合成石英晶体Z块和Y棒中所包含的杂质。对比分析结果表明,晶体中杂质含量多的部位,红外2785 nm波长吸收较大,该部位晶体的Q值低;而晶体所含杂质少的部位,对红外2785 nm波长的吸收也小,其Q值高。由此得到了用红外分光光度计快速测量合成石英晶体Q值的新方法。     

降温模式对磷酸一铵结晶动力学的影响

冷却结晶是磷酸一铵生产过程中重要的分离提纯步骤. 研究了线性降温、自然降温、先恒温再降温以及阶梯降温四种不同降温模式下磷酸一铵的结晶过程,建立了描述该过程的模型,并通过测定结晶过程的浓度衰减数得到了四种模式下的磷酸一铵的生长动力学参数. 结果表明,不同降温模式下的磷酸一铵的生长级数都为1,但是质量沉积常数受降温模式影响较大,其中自然降温下质量沉积常数的值最大. 所得晶体的粒径分布结果也表明线性降温模式下磷酸一铵晶体的平均粒径最大.     

洗衣粉水分含量测定方法的探讨

用不同方法测定洗衣粉中的水分含量会得出不同数值,与理论值相比均存有一定差异.除测定误差外,其主要问题是能否将洗衣粉中的结晶水全部测出.经用不同方法多次检测表明,现行工业用传统烘箱法不能完全将洗衣粉中的游离水和结晶水测定出来,运用卡尔-费休法和二甲苯蒸馏法则能将其中水分全部测出.     

Study on buoyancy convection phenomenon in the crystal growth process

Real-time phase shift Mach-Zehnder interference technique, imaging technique, and computer image processing technique were combined to perform a real-time diagnosis of NaClO₃ crystal, which described both the dissolution process and the crystallization process of the NaClO₃ crystal in real-time condition. The dissolution fringes and the growth fringes in the process were obtained. Moreover, a distribution of concentration field in this process was obtained by inversion calculation. Finally, the buoyancy convection phenomenon caused by gravity in the crystal growth process was analyzed. The results showed that this convection phenomenon directly influences the growth rate of each crystal face in the crystal. Supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 10672171 and 10432060) and Knowledge Innovatiou Program of CAS (Phase III)