反应温度对LiCoO2薄膜性能的影响

采用水热电化学法在Ni基体上制备了LiCoO₂薄膜.反应温度影响薄膜的择优取向,80℃时制备的薄膜具有(003)取向,100℃制备的LiCoO₂薄膜具有(101)和(104)取向,150℃时制备的薄膜取向性不明显.其中以100℃制备的(101)取向LiCoO₂薄膜的电化学性能最好,其容量为143mAh/g;10次充放电后,薄膜电极容量衰减小.     

软溶胶-凝胶法制备LiCoO2薄膜电极

采用软溶胶-凝胶技术在金属Ni基体一步合成LiCoO2薄膜电极。其合成条件是：含钴离子和锂离子的溶液、反应温度100℃、反应压力0.1MPa、电流密度0-10mA/cm^2、反应时间20h。XRD、XPS、SEM、循环伏安和恒电流充、放电等测试表明：薄膜电极LiCoO2晶体为R3^-m型结构；薄膜具有（101）方向的择优取向，其大小均匀、直径约为0.3μm的晶粒层状生长，层与层之间结合较紧密且有较多微孔；薄膜电极表现为多孔电极，具有良好的电性能。软溶胶-凝胶制备薄膜电极，工艺流程短、能耗低，具有很大的发展潜力。     

水热电化学法制备LiCoO2薄膜和粉末

采用水热电化学法同时制备出LiCoO2粉末和薄膜.LiCoO2粉末是由菊花状晶粒组成,LiCoO2薄膜由0.2～0.4μm左右的颗粒堆积而成.LiCoO2薄膜电极首次循环伏安过程在3.85V和4.3V左右出现强氧化峰,在3.6V左右出现还原峰;LiCoO2粉末的首次循环伏安过程在4.3V左右出现强氧化峰,在3.5V左右出现还原峰;在随后的循环中,氧化和还原峰对应的电位和强度衰减程度小,表明该方法制备的LiCoO2正极材料具有良好的循环伏安性能.     

LiCoO2正极材料的络合法合成及其电化学性能研究

采用络合法制备了锂离子电池的活性正极材料iCoO2纳米粉体，实验表明：合成的LiCoO2粉体结晶良好，层奖结构发育完善，平均粒径为60nm而且粒径分布窄，比表面积大、电池充放电测试表明，正极的电化学性能与LiCoO2粉体的合成温度有关，其中700℃合成得到的LiCoO2正极材料具有最优的电化学性能：首次放电比容量高达167mAh/g,30次循环后其可逆比容量仍高达144mAh/g，容量损失13．8％。     

喷雾干燥法制备LiCoO2超细粉

本文研究了一种新型的制备锂离子电池正极材料的工艺方法通过喷雾干燥法制备出 Ｌｉ Ｃｏ Ｏ２超细粉试验中, 进行了混合粉体的 Ｄ Ｔ Ａ Ｔ Ｇ Ａ 分析; Ｘ Ｒ Ｄ 谱分析显示, 所得 Ｌｉ Ｃｏ Ｏ２ 为具有α Ｎａ Ｆｅ Ｏ２ 层状结构的 Ｈ Ｔ Ｌｉ Ｃｏ Ｏ２ ; 从 Ｓ Ｅ Ｍ 照片可见, Ｌｉ Ｃｏ Ｏ２ 粉末元素分布均匀, 粒径为几百纳米;电化学性能测试结果表明, 其充电容量为１４８ｍ Ａ·ｈｇ , 放电容量为１３５ｍ Ａ·ｈｇ, 具有优良的电化学性能     

Pt元素添加提高LiCoO2的电化学性能

研究了Pt掺杂对LiCoO2电化学性能的影响．以氧化物形式将少量Pt元素引入到LiCoO2中，发现形成了LiCoO2-Li2PtO3-Pt混合化合物系统．比较了纯LiCoO2和该LiCoO2基复合材料的电化学性能，结果显示复合材料具有比纯LiCoO2材料优秀得多的倍率性能，表明Li离子在该复合化合物中有更快的扩散速率，恒电流滴定实验结果也证明了这一点．     

Pechini法制备LiCoO2机理的研究

以硝酸钴和氢氧化锂为原料，柠檬酸为络合剂，乙二醇为交联剂，用Pechini法制备了LiCoO2粉体，研究了反应体系的最佳pH值，用红外光谱研究了络合和酯化这两个关键步骤，结果表明pH=5时，溶液中柠檬酸主要以HCit^2-离子的形式存在．在络合过程中，Co^2 和HCit^2-生成络合物，而Li^ 均匀分散在柠檬酸溶液中．在酯化聚合过程中，乙二醇将不同的络合物分子聚合到一起，脱水而形成具有空间结构的凝胶．     

沉积时间对LiCoO2晶须有序阵列电极的影响及其电化学性质

在溶胶溶液中通过PAA模板沉积不同时间制备出LiCoO2品须有序阵列．电子显微镜结果显示，沉积较长时间，所得晶须长度较长，分布更均匀，并且结晶程度更好．XRD分析表明得到了层状的LiCoO2结构，电化学测试表明LiCoO2晶须有序阵列电极具有很好的电化学可逆性和较高的容量。     

溅射功率对LiCoO2薄膜结构及性能的影响研究

采用射频磁控溅射技术,在不锈钢衬底上沉积制备了(003)取向的LiCoO₂薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电镜、拉曼及电化学测试探究了溅射功率对LiCoO₂薄膜结构及电化学性能的影响。结果表明在80-160 W功率范围内,适当增加功率有助于Co与O的键合,提高薄膜的结晶度。功率为120 W时,首次放电比容量为40.9μAh cm^-2μm^-1,循环100圈后容量保持率为61.2%;但当功率提高到160 W时,由于过快的沉积速率难以与粒子在衬底表面的扩散速率相匹配反而会造成LiCoO₂结晶度下降,晶格产生畸变,阻碍了Li+在材料内部的扩散,循环100圈后容量保持率只有54.2%。     

泡沫镍负载TiO2和TiO2/Al2O3薄膜的光催化性能研究

以泡沫镍为载体，Al2O3作为过渡中间层，用溶胶-凝胶法在泡沫镍上负载锐钛矿相的TiO2薄膜，制成泡沫金属基的TiO2和TiO2／Al2O3光催化剂，利用XRD和FE-SEM等测试手段对其性质进行表征，用乙醛气体的光催化降解测试其活性．研究表明：泡沫镍负载的TiO2和TiO2／Al2O3薄膜具有良好的光催化活性，特别是TiO2／Al2O3薄膜具有更高的催化活性．这是由于负载的Al2O3过渡中间层增大了载体的比表面积，具有吸附浓缩作用，同时也增加了负载光催化剂的活性位数量．实验表明：TiO2／Al2O3薄膜的光催化活性和稳定性较单一的TiO2薄膜有非常显著的提高．     

自蔓延高温合成锂离子电池正极材料LiCoO2

以四氧化三钴、碳酸锂为原料,尿素为燃料,用自蔓延高温合成法制备层状正极材料LiCoO2,并考察了尿素与钴摩尔比、预制炉温、热处理温度、热处理时间及锂与钴摩尔比等工艺条件对合成产物的结构、微观形貌和电化学性能的影响.结果表明,制备LiCoO2的工艺条件为:锂与钴摩尔比1.05:1.00,尿素与钴摩尔比1:1,预制炉温和热处理800℃、热处理时间2h.所得LiCoO2的放电比容量达155mAh/g,循环10次后容量保持率为95%.     

超亲水TiO2/SiO2复合薄膜的制备与表征

通过sol-gel工艺在普通钠钙玻璃表面制备了均匀透明的TiO2/SiO2复合薄膜,实验结果表明：在TiO2薄膜中添加SiO2,可以抑制薄膜中TiO2晶粒的长大,同时薄膜表面的羟基含量增加,水在复合薄膜表面的润湿角下降,亲水能力增强,当SiO2含量为10－20mol%时获得了润湿角为0度的超亲水性薄膜。     

Ti/SnO2+Sb2O3+MnO2/PbO2阳极的性能研究

制备了一种非贵金属阳极－Ｔi/SnO2 Sb2O3 MnO2/PbO2,并用ＸＲＤ、ＳＥＭ进行了表征,计算出了电极的分形维数,测定了该电极在硫酸中的使用寿命和动力学参数,把该电极用于处理含酚废水和Ｐb电极进行对,结果表明,节电３３％,转化率达９５％,是一种优良的电化学催化剂。     

退火温度对Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结微观结构与性能的影响

采用sol-gel工艺制备了Pt/SrBi₂Ta₂O₉/Bi₄Ti₃O₁₂/p-Si异质结. 研究了退火温度对异质结微观结构与生长行为、漏电流密度和C-V特性等的影响. 研究表明: 成膜温度较低时,SrBi₂Ta₂O₉、Bi₄Ti₃O₁₂均为多晶薄膜, 但随退火温度升高, Bi₄Ti₃O₁₂薄膜沿c轴择优生长的趋势增强; 经不同退火温度处理的Pt/SrBi₂Ta₂O₉/Bi₄Ti₃O₁₂/p-Si异质结的C-V曲线均呈现顺时针非对称回滞特性, 且回滞窗口随退火温度升高而增大, 经700℃退火处理后异质结的最大回滞窗口达0.78V; 在550～700℃范围内, Pt/SrBi₂Ta₂O₉/Bi₄Ti₃O₁₂/\\p-Si异质结的漏电流密度先是随退火温度升高缓慢下降, 当退火温度超过650℃后漏电流密度明显增大, 经650℃退火处理的异质结的漏电流密度可达2.54×10^-7A/cm²的最低值.     

SiO2/TiO2催化剂的制备及其光催化性能

利用钛酸四丁酯、正硅酸乙酯、乙酸和水为原料, 通过溶剂热方法制备得到SiO₂/TiO₂催化剂. 产物经XRD、Raman、TEM、BET、FT-IR和XPS表征, 结果表明: 所制备的SiO₂/TiO₂催化剂为比表面积大、结晶度高的锐钛矿TiO₂, SiO₂与TiO₂之间通过Si-O-Ti键结合. 另外, 以亚甲基蓝降解为探针反应, 考察了SiO₂/TiO₂催化剂在紫外光照射下的光催化性能. 结果表明: SiO₂/TiO₂催化剂具有比纯TiO₂更优越的光催化性能, 65min可以将亚甲基蓝(MB)彻底降解.     

Y2O3-SnO2常温气敏薄膜的Sol-Gel制备及性能研究

以无机盐ＳnCl2.2H2O,Y(NO3)3.6H2O为原料,无水乙醇为溶剂,采用溶胶－凝胶工艺制备了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳnO２薄膜,采用差热－失重分析研究了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳnO2干凝胶粉末的热分解、晶体过程。研究了Ｙ２Ｏ３－ＳnO2薄膜的电学和气敏性能,从实验中得到了Ｙ２Ｏ３掺杂份量对ＳnO2薄膜电学及气敏性能的影响。实验表明Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳnO2薄膜在常温下对ＮＯx具有较好的灵敏度的选择性,并具有较好的响应恢复性能,在常温下对Ｈ２Ｓ气体也具有一定的灵敏度。     

非晶Er2O3高 k栅介质薄膜的制备及结构特性研究

采用高真空反应蒸发法在未加热的P型Si(100)衬底上实现了非晶Er2O3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比. X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜足非晶结构,而且高真空700℃退火30min后样品仍保持了良好的非晶稳定性.原子力显微镜检测显示高真空退火有利于改善薄膜的表面形貌.退火后,Er2O3薄膜获得了平整的表面.电容.电压测试得到薄膜的有效介电常数为12.6,EOT为1.4nm,在1MV/cm时漏电流密度为8×10-4A/cm2.这些特征表明非晶Er2O3薄膜是一种较好的高k栅介质候选材料.     

Ca0.3(Li1/2Sm1/2)0.7TiO3微波介质陶瓷的低温烧结研究

采用传统陶瓷制备工艺, 制备了掺杂Na₂O-CaO-B₂O₃(NCB)氧化物的Ca_0.3(Li_1/2Sm_1/2)_0.7TiO₃(CLST)陶瓷, 研究了NCB掺杂量与晶相组成、显微结构、烧结性能及微波介电性能的关系. 研究结果表明: 复合氧化物NCB掺杂量在1wt%～15wt%范围内没有杂相生成, 晶相仍呈斜方钙钛矿结构. 随着NCB添加量的增加, 陶瓷致密化温度和饱和体积密度降低, 介电常数ε_r、无载品质因数与谐振频率乘积Qf值也呈下降趋势, 频率温度系数τ_f向正方向增大. NCB氧化物掺杂能有效地将CLST陶瓷的烧结温度由1300℃降低至900℃. 添加12.5wt% NCB的CLST陶瓷在低温900℃烧结5h仍具有良好的微波介电性能: ε_r=73.7, Qf=1583GHz, τ_f=140.1×10-6/℃, 满足高介多层微波器件的设计要求.     

ZrO2及ZrO2:CdS薄膜的制备和表征

利用ｓｏｌ－ｇｅｌ方法合成了ＺｒＯ２薄膜,并通过在ＺｒＯ２薄膜中复合ＣｄＳ纳米粒子成功地制备了ＺｒＯ２：ＣｄＳ制得的ＺｒＯ２薄膜透明并具有较好的光透射性,而ＺｒＯ２的含量及膜厚是影响其光透射性的主要因素,分散在ＺｒＯ２：ＣｄＳ薄膜中的ＣｄＳ纳米粒子为六方相结构,并具有较好的分散性,其平均尺寸为４～６ｎｍ。实验结果表明,ＺｒＯ２颗粒的晶化会对薄膜的光学豚表面形貌产生影响,但ＣｄＳ的形成可以抑制薄膜表