S波段介质稳频调制器

本文介绍了一种采用A_7介质谐振器制成的S波段介质稳频调制器的设计和实验结果。采用加载带阻滤波稳频获得了良好的稳频效果。在-40℃～+50℃温度范围内,输出功率为10毫瓦时,频率稳定度为±0.4×10~(-4)～±1.46×10~(-4),输出功率≥40毫瓦时,频率稳定度为±3×10~(-4)。调频范围大于600千赫,电调灵敏度为200千赫/伏,调频非线性<6％;体积仅有(60×60×30)立方毫米,可以同时传送遥控(遥测)和话音。     

无源与分立器件

Saelig公司表面贴装晶体Saelig公司推出x42系列表面贴装晶体,微型封装,尺寸为4×2.5×0.6毫米。频率范围从12到50MHz,该新型X42系列晶体采用镀金陶瓷基座和缝焊金属盖,性能稳定,老化效应很低。X42系列晶体是专门为小型手持通信设备如PDA、GPS和蓝牙产品等应用而设计的。在-10℃到+60℃温度范围内,频率稳定度±5ppm;在-30℃到+85℃温度范围内,频率稳定度为±10ppm。技术规格包括:AT-ct基频从12到50MHz,校准容限在25℃时为±5pp(m标准为±10,±20或±30ppm),25℃时老化小于每年±3ppm,最大驱动水平为100uW,寄生电容(CO)典型值为2到4pF…     

X波段介质稳频电调FET振荡器

本文介绍了X波段介质稳频电调FET振荡器(FET DR VCO)的研制。采用反馈型电路结构,获得振荡频率为7774MHz,输出功率Po>10dBm,线性电调带宽>42MHz(功率变化△P<1dB),电调灵敏度为3.0MHz/V,在-20℃～+60℃范围内,频率温度稳定度<±5.7ppm/℃。     

导航原子钟

一、前言本文介绍用于宇宙飞行器上的超稳定原子钟的研制。其要求为体积小、重量轻、功率消耗低并在-54°至+71℃温度范围内具有±5×10~(-14)长期稳定度。由此要求可以看出,其稳定度要比现有原子钟高一千倍,而且在宇宙飞行器的恶劣环境下要保持这样高的稳定度。     

电子数显式温度控制器

本文介绍的电子数显式温度控制器,温度控制范围为-9.99～+99.9℃,灵敏度为10mV/℃,分辨率为0.1℃,温度误差约±0.5℃。     

一种实用的大频偏调频振荡器

介绍实用小型11.5MHz调频振荡器,它在调制线性度小于3％的条件下频偏可达200kHz;在-40～+50℃的环境温度下,其频率稳定度可达±3×10~(-3)。本文给出了其设计原理、构成及测试结果。该振荡器线路简单、体积小、性能稳定可靠,目前已成功地应用于某通信设备中。     

集成温度传感器LM94022及其应用

LM94022是一种模拟输出的集成温度传感器,主要应用于手机、无线收发器、电池管理、汽车、办公室设备及家用电器等。该传感器主要特点包括工作电压低,可在1.5V电压下工作;工作电压范围宽—1.5～5.5V;末级为推挽输出,有±50μA输出电流的能力;有四种灵敏度供用户选择;测量范围为-50～+150℃;静态电流低,典型值为5.4μA;精度(与测量范围有关):20～40℃为±1.5℃;-70～-50℃为±1.8℃;-50～90℃为±2.1℃;-50～150℃为±2.7℃;采用小尺寸SO70封装。管脚排列与功能LM94022的管脚排列如图1所示,各管脚功能如表1所示。灵敏度选择端GS0及GS1L…     

X波段360°模拟移相器的设计

介绍了变容管反射式360°模拟移相器的设计,对相位与调制电压的线性关系作了分析。制成的模拟移相器采用计算机辅助设计,使用了超突变结变容管管芯和微波集成电路工艺。在9.3～9.7GHz范围内可获得360°连续可变相移,调相电压20V,线性偏离优于±5％,中心频率上的偏离优于±3％,插入损牦随相位的变化3dB。     

CMOS硅集成压力传感器

首次研制出了CMOS硅膜压力传感器。它包括有一个四臂压阻桥电路,一个放大器和一个新设计的桥式激励电路。这种电路是用来稳定由温度和电源电压的变化引起的敏感度变化的。制作传感器采用的是自对准双层多晶硅栅p阱CMOS工艺和一种电化学腐蚀终止技术,用N_2H_4·H_2O各向异性腐蚀剂来形成薄的方形膜。为了尽量减少热应力,制作好的硅片是用静电方法粘附在玻璃板上的。在0～70℃范围内的压力敏感度为1V/kg/cm~2,敏感度漂移小于±0.5,失调电压漂移小于±5mV。使用新的激励技术后,当电源电压变化为±10％时,敏感度变化小于±1.5％。     

国外简讯

1.2GHz的SAW器件 英国STC元件公司声称:该公司研制的SAW谐振器、振荡器和滤波器已经适用于70MHz—12.5GHz的频率范围。 STC元件公司的新型振荡器产品适用的工作频率为100MHz—1.2GHz。器件不需补偿,在-40—+85℃温度范围内稳定性可达±0.01％。 传统的包封可以满足特殊规格和环境要求。最新设计和制作的器件的技术指标为:电源12V;输出功率电平+5dBm;在1.0GHz载频偏置2.5kHz下SSB噪声为-100dBc/Hz;工作温度范围-55—+105℃;稳定性±0.03％。     

新器件简讯(17)

<正> 片状陶瓷调谐器 三引出端的片状陶瓷调谐器(内部有负载电容器)可简化印制板设计,扩展频率范围,并提高安装密度。该器件可以采用回流焊。 片状陶瓷调谐器的频率范围为2.0MHz到33.86MHz,精度(25℃)为±05％,度稳定性(—20～+80℃)为±0.3～±0.4％。 该器件的阴抗及相位特性如图1所示,其外形如     

一种适用于单片集成DC-DC变换器的带隙基准电路

文章设计了一种用于单片集成DC-DC变换器的高性能带隙基准电压电路。当温度从-40℃～125℃变化时,温度系数为23ppm/k,其电源抑制比(PSRR)为54dB。当输入电压在2.5V～6V变化时,基准电压的变化范围为±0.055mV。     

原子束激光诱导荧光法测锂原子2~2P←2~2S跃迁的超精细结构和同位素位移

我们使用的原子束发散角为4.7×10~(-3)弧度,残余多谱勒宽度7兆赫;一束线宽为6兆赫的可调谐染料激光与它正交。激光诱导荧光信号经调制接收放大后予以记录,使激光频率在30GHz范围扫描。测得~6Li 和~7Li 的2~2P 能级的精细结构分裂分别为9.7±0.4和10.5±0.5GHz;2~2P_(1/2)能级的同位素位移为10.7±0.6GHz。激光频率作2.5GHz 扫描。光强4毫瓦/厘米~2时,测得~7Li 的2~2P_(1/2)←2~2S_(1/2)跃迁的四条超精细结构谱线的间距依次为88±11,730±73,92±7MHz,     

可提供4～20mA输出的温度传感器

图中所示电路输出正比于温度的电流(4～20mA)。该电路工作电压8至40V。电路经调整后,PSR指标超过0.0003％/V,在-50℃到+150℃温度范围内精度可达±1％。IC1输出电压V_(TEMP)正比于温度变化使电路作为温度传感器,并相当于一个2.5V参考信号。V_(TEMP)在25℃时等于0.55V,温度系数为1.9mV/℃。微功耗,单电源运算放大器IC_2缓冲了V_(TEMP)端上的漏电流,该运放功耗电流不大于50nA,     

一种新颖的PLZT系独石瓷介电容器

<正> 一、概述以BaTiO_3系材料为介质的独石电容器,其介质的烧结温度高于1200℃,在-55～+125℃温度范围内,容量的变化为±15%。为了进一步提高独石瓷介电容器的电性能,降低材料成本,在七十年代中,曾研制出一种由玻璃-BaTiO_3系为介质的独石电容器。但是,由于BaTiO_3系介质具有铁电特性,     

高精度自动温度控制器及在流延机上的应用

研制出一种高精度自动温度控制器,主要技术指标:测控温范围,-50～+150℃及0～600℃;精度,±0.5℃;灵敏度,±0。5℃;分辨率,0。1℃;仪器电源,220V(50Hz);整机功率,≤3W。该控制器具有较高的性价比,已在流延机上应用并获得了满意的效果。     

两种新型CMOS带隙基准电路

文章介绍了两种CMOS带隙基准电路.它们在传统带隙基准电路的基础上,采用了低压共源共栅电流镜提供偏置电流,降低了功耗,减小了沟道长度调制效应带来的误差并使电路可以工作在较低的电源电压下;采用运放的输出作为共源共栅电流镜的偏置电压,使基准电压不受电源电压变化的影响.其中一种电路,还通过两个串联二极管的原理提高△VBE,从而减小了运放失调的影响.仿真结果表明,在工艺偏差、电源电压变化±10%以及温度在-20至125℃范围内变化的情况下,两种CMOS带隙基准的输出电压分别是1.228+0.003V和1.215±0.003V,温度系数仅为33.7ppm/℃和34.1ppm/℃;在电源电压分别大于2V和2.8V时,电源电压的变化对这两种基准的输出电压几乎没有影响;在33v电源电压下两个电路的功耗分别小于0.1mW和0.34mW.     

声表面波调频振荡器

论述了声表面波调频振荡器的原理及设计方法，探讨了有关电路，并制作了中心频率３８０．８ＭＨｚ的声表面波调频振荡器。当调制信号频率区ＤＣ至８００ｋＨｚ变化，幅值为２．５Ｖ时，调频频偏大于５５０ｋＨｚ；当调制信号频率小于或等于２００ｋＨｚ，幅值为１．０Ｖ时，调频非线性失真小于３．５％。振荡器经过温度补偿，温度稳定性优于±１５０ｐｐｍ（－４０℃～＋５０℃）。     

90MHz泛音晶体压控振荡器

本电路的特点是电路筒单,结构紧凑,频率控制范围较宽、灵敏度(5320弧度/伏·秒)、线性度(±0.5)和稳定度(1.7×10~(-5))都比较好。     

高频声表面波压控（调频）振荡器的研制

本文讨论了声表面波压控(调频)振荡器的原理及设计方法,并实际制作了振荡器,中心频率为657MHz,频偏约为1.5×10~(-3),平均压控灵敏度为98kHz/V,线性度±2%,温度稳定度为±3.7×10~(-5)(-20—+60℃)。