混合集成电路组装中的共晶焊技术

共晶焊是元器件组装的一种重要方式,在混合集成电路组装中有着重要的地位。阐述了共晶焊的概念及其特点,比较了镊子共晶焊等共晶焊设备的优缺点,介绍了相关共晶焊料的基本特性和常用形态,分析了影响共晶焊质量的相关关键因素,并讲解了共晶质量的检测方法。     

厚膜基板上芯片共晶焊研究

本文介绍了厚膜HIC中芯片与基板共晶焊研究的主要内容和研究结果，阐明了为保证共晶焊质量所应采取的工艺控制方法和措施。     

硅基芯片金锡共晶焊工艺中金硅扩散机理研究

金锡合金焊料(Au⁸⁰Sn²⁰)具有良好的导热、导电性,广泛用于高可靠集成电路共晶贴片工艺。研究了硅基芯片AuSn共晶焊工艺中工艺参数对硅原子向AuSn焊料扩散的影响,当共晶温度从310 ℃增加到340 ℃时,AuSn焊料中硅原子质量百分比增加1个数量级。分析了硅原子向AuSn焊料的扩散机理,讨论了硅原子向焊料扩散后对产品可靠性的影响及控制措施。     

薄膜基板芯片共晶焊技术研究

共晶焊是微电子组装技术中的一种重要焊接工艺,在混合集成电路中得到了越来越多的应用。文中简要介绍了共晶焊接的原理,分析了影响薄膜基板与芯片共晶焊的各种因素,并且选用Ti/Ni/Au膜系和AuSn焊料,利用工装夹具在真空环境下通入氮、氢保护气体的方法进行薄膜基板芯片共晶焊技术的研究。     

薄膜基板芯片共晶焊技术研究

共晶焊是微电子组装技术中的一种重要焊接工艺,在混合集成电路中得到了越来越多的应用。文章简要介绍了共晶焊接的原理,分析了影响薄膜基板与芯片共晶焊的各种因素,并且选用Ti/Ni/Au膜系和AuSn焊料,利用工装夹具在真空环境下通入氮、氢保护气体的方法进行薄膜基板芯片共晶焊技术的研究。试验证明:焊接基板金属化Au层厚度1.5μm,焊接压力为2kPa,焊接温度330℃,时间30s可有效地使空洞面积控制在10%以下。并在150℃高温贮存以及-65℃~150℃温度循环后对共晶焊接样品的剪切强度和接触电阻进行了试验。在可靠性试验后,样品的剪切强度满足GJB548B-2005的要求,接触电阻变化率小于5%。     

共晶烧结技术的实验研究

随着微波混合集成电路向着高性能、高可靠、小型化、高均一性及低成本方向的发展,对芯片焊接工艺提出了越来越高的要求.本文对几种共晶烧结方法进行了实验比较,讨论了各种方法的适用范围,影响质量的因素并对实验结果进行了简单的讨论.     

焊线封装工艺实现了更小的芯片尺寸

位于美国加州米尔皮塔斯Milpitas）的芯片制造商LSI Logic公司推出了一种专为纳米级Si集成电路而设计的、名为Pad on I/O（I/O上焊盘）的新型焊线芯片封装工艺，该工艺将焊盘（bond pad）直接放置在加电铜/低介电系数的硅电路上，最多可把芯片面积减小到采用标准引线焊接工艺时的一半。此项工艺有望提高互连密度，且便于把电源和地设置在靠近芯片中央的地方。现有的焊线封装工艺采取的是沿着芯片的周边（在有源电路以外）放置焊盘的做法。Pad on I/O工艺将焊盘放置在I/O的顶部，从而可实现单排或双排0.16mm和0.36mm结构，亦就是一种…     

芯片共晶焊接焊透率测量系统改进研究

X射线检测设备是功率芯片焊后空洞率检测的有效手段.文中介绍了X射线设备的检测原理和超声扫描设备检测原理,通过多次不定期的进行样件X射线检测,发现其测量系统分析不太稳定,对测量真值、测量的重复性和再现性不能控制.后经制订标样,采用超声扫描设备进行标样的空洞率检测,将超声扫描检测值作为真值进行X光设备的参数确定,从而再对未知芯片进行空洞率检测.试验结果表明:将超声扫描检测值作为X光检测设备的标定样,此方法测量出的空洞率值能够通过MINTAB软件中Gage R&R测量系统分析,测量值是真实可靠的,对产品的工艺检验评价起到了至关重要的作用.     

厚膜HIC共晶焊工艺研究

介绍了厚膜HIC中芯片与基板、基板与外壳共晶焊研究、共晶焊返工和可靠性研究的主要内容和研究结果，阐明了为保证共晶焊质量和可靠性所应采取的工艺控制方法和措施。     

真空烧结工艺应用研究

在功率混合集成电路中,对功率芯片的组装要求热阻小和可靠性高,在这方面传统的芯片组装方法如银浆导电胶粘结或者回流焊接往往不能满足要求.介绍了功率芯片的一种新的组装工艺--真空烧结工艺,并对工艺实施过程中影响质量的因素以及解决办法进行了论述.通过试验和生产验证,证明真空烧结工艺解决了生产中存在的空洞较多和热阻较大等质量隐患...     

用于MEMS器件的单面溅金硅共晶键合技术

分析了金硅共晶键合的基本原理,讨论了键合实验的基本工艺,给出了键合的测试结果.这种键合方法键合温度低,键合工艺简单,与器件制造工艺兼容,对工艺环境要求不高,可以得到满意的键合强度,而且成本低,特别适合于已经做过结构的器件键合封接工艺.     

MEMS圆片级真空封装金硅键合工艺研究

提出一种适用于微机电系统(MEMS)圆片级真空封装的键合结构,通过比较分析各种键合工艺的优缺点后,选择符合本试验要求的金硅键合工艺.根据所提出键合结构和金硅键合的特点设计键合工艺流程,在多次试验后优化工艺条件.在此工艺条件下,选用三组不同结构参数完成键合试验.之后对比不同的结构参数分别测试其键合质量(包括键合腔体泄漏率...     

FPC产品倒装片工艺的改善

本文主要分析了智能卡产品倒装片工艺固有的位置精度问题。通过数据分析,找出了设备长期工作后,精度下降引发产品倒装问题的主要原因。同时,采用AutoCAD软件对倒装片智能卡(Chip Card)产品的布局分析,并结合设备精度、FPC(挠性线路板)制造精度等因素,进行倒装片工艺的仿真模拟,进而可以确定需要改进的设计布局图中的关键尺寸,从而彻底地解决了引发倒装片工艺精度差的问题。     

用于MEMS器件的键合工艺研究进展

随着MEMS器件的广泛研究和快速进步,非硅基材料被广泛用于MEMS器件中.键合技术成为MEMS器件制作、组装和封装的关键性技术之一,它不仅可以降低工艺的复杂性,而且使许多新技术和新应用在MEMS器件中得以实现.目前主要的键合技术包括直接键合、阳极键合、粘结剂键合和共晶键合.     

单晶硅生产工艺中的关键技术

电子技术已经成为一个国家的技术发展状况的重要指针。在半导体芯片中,单晶硅材料占据了整个芯片体积的约99%。单晶硅的生产技术和产量体现了一个国家在半导体行业中的发展水平。通过对单晶硅原材料制造工艺的细致分析,把制程工艺中的关键控制参数分类为"静态"控制参数和"动态"控制参数,提出了运用科学实验,建立数学模型和编制控制程序的生产控制方法,以取得品质、成本的双重控制。     

超声键合过程中键合压力特性的实验研究

建立了超声键合压力的测量工作台,对工作台进行静态线性度标定和动态重复性测量,利用动态压电测力传感器对超声键合系统键合压力大小进行测量,得出不同压力作用下传感器力响应曲线图,分析其频谱图,发现保持某一固定功率(4.5格2.25W),可以找到合适的键合压力(5格0.719N)与其匹配.这些实验现象和结果可作为超声键合过程参数匹配及优化的依据.     

大功率管芯共晶焊设备的研制

随着电子信息技术的发展,微波产品向高性能、高可靠性、小型化的方向发展,因此,人们对共晶设备的要求越来越高.我们所研究的共晶设备主要应用于高频、大功率电路的微组装工艺,是一种安全、高效、可靠的焊接设备.本文主要介绍了大功率管芯共晶设备的主要功能、技术指标、机械结构、电气控制等.     

基于共晶的MEMS芯片键合技术及其应用

叙述了MEMS封装中共晶键合的基本原理和方法,分析了Au-Si、Au-Sn、In-Sn等共晶键合技术的具体工艺和发展,并对其应用作了介绍.     

真空/可控气氛共晶炉在电子封装行业的应用

阐述了真空/可控气氛共晶炉设备的结构与工作原理及其在电子封装行业中的应用与共晶工艺。