碱性蚀刻废液再生方法评述

碱性蚀刻废液是一种铜含量高、废液浓度高的工业废水,将其再生具有较高的经济价值和环境效益。文章综述了碱性蚀刻废液的污染危害,全面介绍了碱性蚀刻废液的再生方法,指出了碱性蚀刻液再生的发展方向。     

我国印制电路蚀刻机发展的三个阶段

本文首次提出我国印制电路蚀刻机发展的三个阶段,即以三氯化铁蚀刻机为主的初级阶段;以各种类型蚀刻机相继出现为特点的上升阶段;以制造出口蚀刻机为龙头的成熟阶段。并简述各个阶段的发展简史以及具有代表意义的典型蚀刻机。本文还就我国印制板蚀刻机的发展趋势进行了有益的探索。     

纳米铜粉的制备——从PCB碱性蚀刻废液回收方法研究

利用碱性蚀刻废液通过化学还原的方法制备纳米铜粉。在碱性条件下用NaBH4作还原剂;表面分散剂和保护剂用聚乙烯比咯烷酮（PVP）、十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）;研究结果表明,用碱性蚀刻废液制备纳米铜最佳的条件为：反应温度60℃,反应时间60min,PVP与CTAB的用量为1：5,制备出来的纳米铜粉为单质铜,颗粒粒径在100nm以内。     

基于真空蚀刻线的外层蚀刻模型建立

蚀刻对控制印制电路板（PCB）线路精度能力有着直接影响。文章通过蚀刻机理分析,筛选影响蚀刻效果的影响因素,通过控制变量探讨了线速、喷压、预蚀刻对线宽的影响,并总结输出真空蚀刻线线宽、阻抗交叉反馈到线速的蚀刻参数调整逻辑,从而建立外层蚀刻模型。     

酸性蚀刻液铜回收及废液再生新技术

废蚀刻液中富含金属铜离子,长期以来都采用传统的化学法处理废液来回收铜,其残液的排放会造成严重的二次污染,给周边环境带来极大的影响和压力,同时处理废液浪费大量的碱液,把可回收的酸也浪费,不能做到资源节约、环保、循环经济、清洁生产等。作者通过三年多的研究,开发出利用离子膜结合电解技术来回收废蚀刻液中的铜,同时再生蚀刻液使其继续返回蚀刻生产线使用。其最大的技术特点在于把盐酸中的铜离子,通过膜技术分离到硫酸溶液中,变成传统的硫酸铜溶液电解。这种技术和思路极大地简化了回收和再生工艺,降低了回收能耗,解决了用萃取工艺回收而引起的的许多问题,是一种先进的回收再生技术。此工艺产业化的推广是印制电路板企业废液处理的一次环保革命,前景广阔。     

高速印制电路板外层蚀刻线宽均匀性提升探讨

随着印制电路板(PCB)的高速化及高密度的发展,PCB层数越来越高,线宽越来越小.目前常见路由器、服务器等产品线宽能力要求必须达到±8.89μm,Cpk≥1.33,其阻抗才能满足±8％要求.目前很多普通蚀刻线的线宽均匀性能力已达不到能力要求.文章主要针对外层线宽均匀性的能力提升方法进行探讨,主要是通过调整喷头设计和排布...     

一种新型的单面蚀刻技术制备埋容电路板

介绍了一种新型的埋入电容电路板的单面蚀刻工艺。本工艺主要针对介质层厚度≤50μm的埋入电容材料,在制作单面图形时,不去掉未曝光一面的干膜及干膜保护膜,棕化后再过显影线将干膜去掉。对该工艺可行性进行了评估,并验证了其可靠性。实验结果表明,采用此工艺可以减少工艺难度,加工成本降低了3%,且产品合格率达86%以上。     

异丙醇在硅碱性腐蚀液中的作用

在硅单晶的碱性腐蚀过程中,往往由于碱性腐蚀液对单晶硅的腐蚀速率过快,从而增大了硅单晶片表面的粗糙度。异丙醇有着减缓腐蚀速率的功效因而降低了硅单晶片表面的粗糙度。主要讨论了异丙醇在碱性腐蚀液中的作用原理并对腐蚀实验结果做了分析。     

激光刻蚀技术的应用

对激光刻蚀过程中的气化现象进行了热力学分析,根据不同的材质合理地选取工作条件,进行了激光狭缝刻制、太阳电池硅片打孔及激光标识的试验,并对刻蚀结果进行了对比分析,得出与理论分析相符的结果。     

PCB板酸性蚀刻机理、工艺参数及故障排除

蚀刻工艺是目前PCB板制作中的重要工序之一,特别是随着微电子技术的飞速发展,大规模集成电路和超大规模集成电路的广泛应用,对PCB板制造技术提出了更高的要求,正向着高精度、高密度的方向飞速发展,对PCB板蚀刻的线宽公差也提出更高、更严的技术要求,所以,充分了解和掌握铜在各种类型蚀刻液中的蚀刻机理,并通过严格的科学实验,测定出铜在各类蚀刻液中工艺参数,才能把控好PCB板蚀刻这一关键工序。本文就我公司AS-301型酸性蚀刻液特点、蚀刻机理、来料检测、操作规程、工艺流程、故障排除等作简单介绍。     

准分子激光直写加工特性与脉冲参数关系的研究

以玻璃为实验靶材,用精密微动平台准确调节靶材位置,利用波长248nm的KrF准分子激光器,研究了准分子激光直写加工图形和激光脉冲数及脉冲能量之间的关系。实验证明,随着加工槽深度的增大,单个激光脉冲所烧蚀的深度逐渐减小,当达到一定的脉冲数时,所烧蚀槽的深度基本上保持不变。脉冲能量越大,刻蚀速率越大,其速率同样具有一个上限值。     

酸性CuCl2蚀刻液动态蚀刻均匀性与蚀刻速率研究

对酸性CuCl2蚀刻液在HCl/H2O2和HCl/NH4Cl两种体系下进行了水平动态蚀刻研究,分别对蚀刻均匀性和蚀刻速率进行了分析,结果表明面铜粗糙度和上下喷淋对蚀刻均匀性有很大影响,HCl/NH4Cl系统相对于HCl/H2O2系统具有更高的蚀刻速率,为工业生产提供相关的数据参考。     

Cr薄膜电阻桥的湿法腐蚀工艺参数研究

采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上沉积了Cr薄膜,采用光刻–湿法腐蚀工艺对Cr薄膜图形化得到电阻桥。通过实验,详细研究了腐蚀液温度、pH值和硝酸铈铵[(NH4)2Ce(NO3)6]浓度对Cr薄膜电阻桥腐蚀效果的影响。实验结果表明,Cr薄膜电阻桥的最优腐蚀参数为:硝酸铈铵浓度1.16 mol/L,pH值4,30℃水浴恒温。采用该最佳工艺制备的Cr薄膜电阻桥的腐蚀速率为180 nm/min,侧蚀为400 nm,桥区边缘线条整齐,其在5A恒流作用下点火效果良好,点火时间约为27.4 ms。     

金属剥离与衬底腐蚀等平面自对准OHR技术研究

开发了一套OHR(OverhangResist)技术。在原来剥离工艺的基础上,增加苯处理和高温烘烤工艺,使光刻胶掩膜既保持有利于剥离的形状,腐蚀时又不发生钻蚀,完成自对准腐蚀与等平面的金属剥离。这一技术可以广泛地应用于MEMS和集成电路加工工艺中,使器件工艺简化,降低成本,提高质量。