InSb阳极氧化膜界面特性研究

用阳极氧化的方法在InSb衬底上生长氧化膜,并在阳极氧化膜上镀Cr/Au电极以制备MOS器件,通过分析77 K时MOS器件C-V特性,得出InSb-阳极氧化膜界面的掺杂浓度、界面态密度,氧化层中的固定电荷密度可动电荷密度等重要参数,分析其界面特性和制备工艺的关系,为InSb表面的钝化工艺提供参考.     

薄氧化膜特性研究

本文从氧化膜中电流输运机理出发,结合实验,讨论了影响氧化膜击穿特性的因素;介绍了能使薄膜击穿特性得到明显改善的合理的清洗方法和等温两步氧化新工艺;同时介绍了薄膜组份的俄歇能谱分析以及界面态密度的DLTS法测量等。     

钽阳极氧化膜的半导体性研究

用电容测量技术和电化学阻抗技术研究了高纯钽丝在稀磷酸(质量分数为0.01%,0.10%和1.00%)、氨水(pH=11)和饱和CO2水溶液(pH=4)中阳极氧化形成的氧化钽膜在酸性缓冲液(pH=2)中的半导体性和阻抗特性.实验结果表明,来自非磷酸系的阳极氧化钽膜呈现出双极性(p-n)半导体结构特征,而来自磷酸系的则表现...     

硅基底电子束蒸发铝膜阳极氧化特性

研究了硅衬底上电子束蒸发铝膜 ,在 H2 SO4 水溶液中阳极氧化形成硅衬底多孔氧化铝复合结构的过程 .硅衬底电子束蒸发铝膜的阳极氧化过程主要由多孔氧化铝的生长、氧化铝生长向氧化硅生长的过渡和氧化硅生长三个阶段构成 .硅衬底多孔氧化铝复合结构的透射电子显微镜观察表明 ,在硅衬底上形成了垂直于硅表面的氧化铝纳米孔 ,而孔底可形成 Si O2 层 .有序结构多孔氧化铝的形成不依赖于铝膜的结晶状态 ,而是由阳极氧化过程的自组织作用所决定的 .实验表明将多孔氧化铝制备工艺移植到硅基衬底上直接形成硅基衬底多孔氧化铝复合结构是可行的     

硅基底电子束蒸发铝膜阳极氧化特性

研究了硅衬底上电子束蒸发铝膜,在H2SO4水溶液中阳极氧化形成硅衬底多孔氧化铝复合结构的过程.硅衬底电子束蒸发铝膜的阳极氧化过程主要由多孔氧化铝的生长、氧化铝生长向氧化硅生长的过渡和氧化硅生长三个阶段构成.硅衬底多孔氧化铝复合结构的透射电子显微镜观察表明,在硅衬底上形成了垂直于硅表面的氧化铝纳米孔,而孔底可形成SiO2层.有序结构多孔氧化铝的形成不依赖于铝膜的结晶状态,而是由阳极氧化过程的自组织作用所决定的.实验表明将多孔氧化铝制备工艺移植到硅基衬底上直接形成硅基衬底多孔氧化铝复合结构是可行的,它也为硅基纳米材料的制备提供了一种新的自组织模板.     

铝阳极氧化膜及其铝电解电容器（下）

本文从铝电解电容器的基本性能的主要因素分析与铝阳极氧化膜的关系，包括铝箔的杂质、腐蚀孔形状、表面ＣＬ，氧化膜的缺陷与稳定性。从而分析不同的形成液，形成程序、复合形成及老练等的影响。     

铝合金微弧阳极氧化膜性能研究

研究的是在铝酸盐电解液体中对LF21、LY12铝合金进行微弧阳极氧化的技术.介绍了自制的微弧阳极氧化试验装置、实验基本操作工艺流程以及工艺流程详细说明.研究了铝酸钠电解液体系所生成的微弧阳极氧化膜的性能,其中包括微弧阳极氧化膜的膜层与基体金属的结合力、膜层的硬度以及膜层的耐腐蚀性能.     

STUDY OF THE ANODIZATION OF Al FILM ON InP SUBSTRATE AND ITS PROPERTIES

The anodization of Al film on InP substrate and properties of anodic Al_2O_33/InPhave been investigated by AES,DLTS,I-V,C-V and ellipsometer.The results show that theanodic oxide Al_2O_3 has a permittivity of 11～12 and a resistivity of 1.3×10~(13) ohm-cm.Interfacestate density at Al_2O_3/InP is about 10~(11) cm~(-2)·eV~(-1).DLTS reveals that there is a continuouslydistributed interface electron traps at Al_2O_3/InP interface.Anodic Al_2O_3 exhibits good stabilityand electrical properties and could be used for passivation,diffusion mask and gate insulator,etc.     

ITO衬底上LiTaO3薄膜的制备与介电特性

用溶胶凝胶法在ITO衬底上制备了钽酸锂(LiTaO3)薄膜,利用XRD、SEM和AFM对薄膜的晶向、表面形态等作了表征;研究了不同溶剂对LiTaO3溶胶稳定性的影响和不同退火条件对LiTaO3薄膜结晶的影响;利用Al/LiTaO3/ITO结构,测试了薄膜的介电系数和介电损耗.结果表明:每层薄膜都晶化退火比交替使用焦化、结晶退火能生长出质量更好的LiTaO3薄膜;频率1KHz时,介电损耗约0.4,相对介电系数约53.并讨论了介电损耗增大的原因.     

金刚石薄膜衬底表面预处理技术

本文介绍国内外低压合成金刚石薄膜中对衬底表面预处理的几种典型的工艺方法；探讨衬底表面预处理对低压下合成金刚石薄膜的影响。     

金属基BSiN薄膜结合力测试及AES分析

我们采用低温等离子体ＣＶＤ技术在金属表面成功地淀积了ＢＮ－ＳｉＮ复合陶瓷薄膜。并用ＢＦ－１型薄膜附着力测定仪测试了它的结合力，以及用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）分析其成键状态。结果表明：这种薄膜与基体之间具有较强的Ｆｅ－Ｂ键结合力。     

基片表面预处理对热丝CVD法生长金钢石薄膜的影响

本文研究了在热丝CVD方法生长金刚石薄膜中,基片表面的研磨处理对金刚石成核密度以及生长膜结构的影响。发现基片表面的预处理一方面可以提高金刚石的成核密度,另一方面又使生长膜的结构变得不利于应用。最后讨论了基片表面预处理对金刚石成核作用的机理和两种新的表面预处理方法。     

CVD金刚石膜在光滑衬底表面成核研究的进展

本文叙述了化学气相沉积金刚石薄膜过程中，金刚石在光滑非金刚石衬底表面的成核行为，讨论了目前用于提高金刚石成核密度的一些典型方法的优点和不足。     

在有机玻璃基底上制备ITO透明导电膜

使用直流辉光和微波电子回旋共振两种等离子体辅助反应蒸发法在有机玻璃基底上制备了透明导电ＩＴＯ膜。在实验中详细地研究了氧分压对膜的透光率和方阻的影响。由于等离子体对膜料的活化和对基片表面的轰击效应．降低了沉积温度。     

表面微机械结构的氧化锌压电薄膜器件的工艺研究

本文对表面微机械结构的氧化锌压电薄膜器件的关键工艺进行了研究。研究了表面微机械工艺，探索了合适的工艺规范。对如何在表面微机械结构上采用Ｓ枪磁控反应溅射生长出ｃ轴定向的ＺｎＯ薄膜工艺进行了研究。     

用一种非晶软磁薄膜为芯制成的磁探测器的分辨率研究

以两根非晶软磁薄膜条(0.0251.060mm3)为芯绕成差分复绕初级和次级线圈的探测器具有良好的磁敏感特性和温度特性。试验表明,这种非晶软磁薄膜为芯的磁探测器次级输出的倍频信号电平与外界磁场具有良好的线性关系。其磁分辨率可达10-1010-11T,而且在－40℃120℃的温度范围内,温度系数为0.05﹪/℃。其磁分辨率随芯的长度变长而变高,而与芯的厚度和宽度在一定的范围内基本无关。这种探测器同多晶软磁薄膜为芯的探测器相比较,具有体积小,稳定性好,耐用及温度特性好的优点。     

硬质合金YG8衬底直接沉积金刚石薄膜的探讨

在硬质合金衬底上直接沉积金刚石薄膜．总是伴随着石墨化过程．钴是促进石墨生长的积极因素。由于衬底温度决定氢原子的活性和钴的扩散方式．因而它是金刚石形核和生长的关键条件。在合适的衬底温度下，金刚石能形成均匀连续的薄膜。