3.1～10.6 GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计

本文给出了一个低电压、低功耗增益连续可调CMOS超宽带低噪声放大器(Ultra-wideband Low Noise Amplifier,UWB LNA)设计。在0.85V工作电压下放大器的直流功耗约为10mW。在3.1～10.6GHz的超宽带频段内,增益S21为14±0.4dB,且随控制电压VC连续可调。输入、输出阻抗匹配S11、S22均低于-10dB,噪声系数(NF)最小值为3.3dB。设计采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺完成。     

0.18-um CMOS 3.1-10．6GHz超宽带低噪声放大器设计

介绍了一种基于0．18-um CMOS工艺、适用于超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。在3．1～10．6GHz的频带范围内对它仿真获得如下结果：最高增益12dB；增益波动小于2dB；输入端口反射系数S11小于-10dB；输出端口反射系数S22小于-15dB；噪声系数NF小于4．6dB。采用1．5V电源供电，功耗为10．5mW。与近期公开发表的超宽带低噪声放大器仿真结果相比较，本电路结构具有工作带宽大、功耗低、输入匹配电路简单的优点。     

0.13微米CMOS双通道超宽带低噪声放大器设计

本文设计了一款超宽带低噪声放大器,并对设计流程进行分析仿真.该低噪放采用双通道结构,有效的输入阻抗匹配、平稳的增益和低噪声等性能可以同时实现.应用ADS工具TSMC 0.13μm CMOS工艺库的仿真结果表明,其最大功率增益为14.2dB,在8GHz频点的IIP3为-4dBm,输入、输出反射系数分别小于-10.2dB和-10.89dB,噪声指数单调下降到1.46dB,并且总功耗和带内最大增益摆幅较低.     

3.1～5.2GHz超宽带可变增益低噪声放大器设计

低噪声放大器是超宽带接收机系统中最重要的模块之一,设计了一种可应用于3.1～5.2GHz频段超宽带可变增益低噪声放大器。电路输入级采用共栅结构实现超宽带输入匹配,并引入电流舵结构实现了放大器的可变增益。仿真基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺。结果表明,在全频段电路的最大功率增益为10.5dB,增益平坦度小于0.5dB,噪声系数小于5dB,输入反射系数低于-15dB,在1.8V电源电压下,功耗为9mW。因此,该电路能够在低功耗超宽带射频接收机系统中应用。     

2～8 GHz超宽带低噪声放大器设计

文中设计并实现一款适用于S波段和C波段(2～8 GHz)的超宽带低噪声放大器(LNA)。该低噪声放大器选用三菱公司InGaAs HEMT晶体管MGF4941AL,采用并联负反馈的三级级联放大结构,有效提高了增益和带内匹配。三级电路均采用电阻自偏压方式实现单电源供电,并且加入了正电延时模块确保晶体管正常工作。测试结果表明,在2～8 GHz频率范围内,输入反射系数S_(11)和输出反射系数S_(22)分别小于-8.5 dB和-7.7 dB,正向增益S_(21)大于21 dB,噪声系数小于3.6 dB。     

3.1～10.6 GHz低功耗超宽带低噪声放大器

采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺库,设计并验证了一种应用于3.1～10.6 GHz频段的超宽带低噪声放大器。该放大器分为两级:采用跨导增强技术的共栅结构作为输入级,实现了输入阻抗匹配,提高了增益并降低了噪声;第二级是放大输出级,由两个共源放大管和源跟随器缓冲管构成,并采用两级电流复用配置将它们连接在一起,不但对信号进行了二次放大,降低了功耗,而且实现了输出匹配。仿真结果表明,在3.1～10.6 GHz频带范围内,放大器增益为14.8 dB,增益平坦度为SymbolqB@0.6 dB,噪声系数介于2.9～4.5 dB,输入和输出的回波损耗均优于-11 dB,1 dB压缩点为-20.8 dBm,在1.8 V电压下,静态功耗仅为8.99 mW。     

0.5～3.3GHz超宽带低噪声放大器设计

选用Agilent公司的PHEMT晶体管ATF-54143,基于负反馈技术,设计了一种超宽带低噪声放大器.其匹配网络是由微带与集总元件共同组成,使用ADS2009对整个电路进行优化设计.在0.5～3.3 GHz的超宽带频率范围内,低噪声放大器增益大于25 dB,增益不平坦度为1.5,噪声系数不大于2 dB.可用相对介电常数为9.2、厚度为1 mm的介质基板实现该放大器,可应用于各种微波通信领域.     

3．1～10．6GHz超宽带低噪声放大器的设计

基于SIMC0．18μmRFCMOS工艺技术,设计了可用于3．1—10．6GHzMB—OFDM超宽带接收机射频前端的CMOS低噪声放大器（LNA）。该LNA采用三级结构：第一级是共栅放大器,主要用来进行输入端的匹配;第二级是共源共栅放大器,用来在低频段提供较高的增益;第三级依然为共源共栅结构,用来在高频段提供较高的增益,从而补偿整个频带的增益使得增益平坦度更好。仿真结果表明：在电源电压为1．8v的条件下,所设计的LNA在3．1～10．6GHz的频带范围内增益（521）为20dB左右,具有很好的增益平坦性f±0．4dB）,回波损耗S11、S22均小于-10dB,噪声系数为4．5dB左右,IIP3为-5dBm,PIdB为0dBm。     

3～5 GHz超宽带无电感CMOS低噪声放大器设计

基于TSMC O.18μm RFCMOS工艺设计了一种无电感并联负反馈的超宽带低噪声放大器(LNA).在3～5 GHz工作频率范围内,电阻电流复用技术为整体电路提供自偏置,使其在足够的带宽范围内均可实现较高增益;同时噪声相消技术又可消除部分沟道热噪声,在很大程度上降低了放大器的噪声系数,由仿真结果可以看到:LNA在3～5 GHz内实现了良好输入输出匹配和较好的线性度,同时得到了较好的电压增益和噪声性能;并且其在整个频带范围内增益达到11～13.9 dB,噪声系数小于4.6 dB.整个设计最大的优点是没有用到片上电感,使得芯片面积大大缩小,这对商业应用具有极大的吸引力。     

3～5GHz超宽带并联负反馈低噪声放大器的设计

设计了一种用于3～5GHz MB-OFDM超宽带接收机射频前端的CMOS低噪声放大器(LNA).分析了RC电阻反馈式低噪声放大器的结构,针对其存在的噪声大、增益低等问题,提出一种改进电路结构;增加了一个源极电感,以克服上述电路的不足,采用TSMC 0.18μm RFCMOS工艺,进行设计和仿真.仿真结果表明:改进结构在...     

CMOS超宽带低噪声放大器设计难点和要点分析

随着无线通信技术朝着多标准、宽频带的方向发展,为了满足无线通讯设备能够满足宽频带工作的要求,射频前端设计变得越来越困难。其中,作为无线射频接收机第一级的低噪声放大器关系到射频信号放大能力,特别是对整个系统的噪声和灵敏度有着决定性作用。因此,本文以0.8~2.5GHz超宽带LNA为例,分析了电路设计时会遇到的难点,并介绍了巴特沃斯匹配法、RC负反馈法和LC谐振法等内容。最后,通过采用ADS软件和TSMC 0.18um RF CMOS工艺库完成了电路的仿真,结果表明超宽带LNA完全满足设计要求。     

2.4 GHz CMOS低噪声放大器的设计

设计了一个共源-共源共栅的两级低噪声放大器,并且在两级之间采用了串联谐振回路来提高电路的性能.该电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,电源电压为1.8 V.仿真结果显示,在2.45 GHz的中心频率上,该电路能够提供26.92 dB的正向增益及很好的输入输出匹配,噪声系数为0.88 dB,功耗为14.49 mW,1dB压缩点为-9dBm.     

CMOS超宽带低噪声放大器的设计

由于超宽带技术能够在短距离内传输几百兆的数据,帮助人们摆脱对导线的依赖,因此使得大带宽数据的无线传输从几乎不可能变为现实。尽管目前超宽带技术的标准还没有统一,但是低噪声放大器终归是其接收机中一个不可或缺的重要模块。文章介绍了一种基于0.18μmCMOS工艺、适用于超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。结合计算机辅助设计,该超宽带低噪声放大器输入、输出均实现良好的阻抗匹配,在3GHz～10GHz的频带范围内实现了增益G=29±1dB,噪声系数小于4dB。在1.8V工作电压下放大器的直流功耗约为35mW。     

5.6GHz CMOS低噪声放大器设计

分析了一种射频COMS共源-共栅低噪声放大器的设计电路,采用TSMC 90nm低功耗工艺实现。仿真结果表明:在5.6GHz工作频率,电压增益约为18.5dB;噪声系数为1.78dB;增益1dB压缩点为-21.72dBm;输入参考三阶交调点为-11.75dBm。在1.2V直流电压下测得的功耗约为25mW。     

CMOS全差分超宽带低噪声放大器

文中给出了一个应用于超宽带射频接收机中的全集成低噪声放大器,该低噪声放大器采用了电阻并联负反馈与源极退化电感技术的结合,为全差分结构,在Jazz0.18μm RF CMOS工艺下实现,芯片面积为1.08mm2,射频端ESD抗击穿电压为1.4kV。测试结果表明,在1.8V电源电压下,该LNA的工作频带为3.1～4.7GHz,功耗为14.9mW,噪声系数(NF)为1.91～3.24dB,输入三阶交调量(IIP3)为-8dBm。     

低功耗CMOS低噪声放大器的设计

针对低功耗电路设计的需求,提出了一种低功耗约束下CMOS低噪声放大器的设计方法,并与传统的设计方法进行了对比。模拟结果表明,按照该方法基于0.18μm CMOS工艺设计的工作于1.58 GHz的低噪声放大器,在仅消耗1.9 mA电流的条件下,噪声指数小于1 dB。     

Design of 2.1GHz CMOS Low Noise Amplifier

1IntroductionThe demandfor portable wireless communication sys-temsis driven bythe expansion of personal andcommer-cial wireless services[1~4].As a result,the design ofportable handsetsfollows trends that includelower cost,longer battery life,smaller size…     

1MHz～40GHz超宽带分布式低噪声放大器设计

为满足宽带系统中低噪声放大器(LNA)宽带的要求,采用0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了两款1 MHz^40 GHz的超宽带LNA,分别采用均匀分布式放大器结构及渐变分布式放大器结构,电路面积分别为1.8 mm×0.85 mm和1.8 mm×0.8 mm。电磁场仿真结果表明,1 MHz^40 GHz频率范围内,均匀分布式LNA增益为15.3 dB,增益平坦度为2 dB,噪声系数小于5.1 dB;渐变分布式LNA增益为14.16 dB,增益平坦度为1.74 dB,噪声系数小于3.9 dB。渐变分布式LNA较均匀分布式LNA,显著地改善了增益平坦度、噪声性能和群延时特性。