MOS管器件击穿机理分析

讨论了MOS管击穿的分类,以及击穿时场强分布情况,在此基础上,列举和分析了MOS 管击穿的发生区域,主要是结击穿和漏区击穿。文章对雪崩击穿和穿通击穿机理进行了描述,并对 MOS管开启击穿进行了分析。     

一种有前途的MOS器件

本文报导了一种VMOS管(VMOST)及其制造方法。并从理论上分析了这种短沟VMOST的阈值电压,指出了工艺上的控制方法。介绍了VMOS短沟道器件具有高击穿电压高截止频率的优点。并可以用作功率器件。     

MOS器件中的一种现象分析

在MOS器件的生产工艺中,常常采用离子注入,来改变阈值电压和以此来控制器件使之为增强型或耗尽型.但同时也会产生一些影响(例如注入后迁移率下降).一、现象采用磷离子注入,做成在一起的NMOSE/D对管.从理论上讲,进行了沟道离子注入的沟道电子迁移率应比没有注入离子的小.即μ_D〈μ_(?),这主要是离子注入后增加了散射中心造成的.测试迁移率分别在饱和区和线性区进行.     

一种改进的MOS器件热载流子退化模型

An improved hot carrier injection （HCI） degradation model was proposed based on interface trap generation and oxide charge injection theory. It was evident that the degradation behavior of electric parameters such as Idlin, Idsat, Gm and Vt fitted well with this model. Devices were prepared with 0.35μm technology and different LDD processes. Idlin and Idsat after HCI stress were analyzed with the improved model. The effects of interface trap generation and oxide charge injection on device degradation were extracted, and the charge injection site could be obtained by this method. The work provides important information to device designers and process engineers.     

一种稳定的Pd栅MOS场效应晶体管

<正> Pd-MOS PET是一种氢气检测器件.它具有高灵敏度、高选择性、快响应速度和较好的稳定性.1975年瑞典I.Lundstr(o|¨)m等人研制出第一只 Pd-MOS FET.此种器件的工作机理为:当氢分子吸附在催化金属Pd上时,氢分子分解.氢原子通过Pd栅并吸附在金属-氧化物界面上形成偶极层.这偶极层使Pd栅MOS FET的阈值电压 V_T发生漂移.由于反应的可逆性以及氢通过Pd栅的扩散迅速,使得这一电压漂移可作为氢气浓度的测量。     

MOS器件的栅氧化层抗HPM击穿效应的研究

随着集成度的不断提高,集成电路的绝缘层越来越薄.如CMOS器件绝缘层的典型厚度约为0.1μm,其相应的耐击穿电压在80～100V间.当器件特征尺寸进人深亚微来时,栅氧化层厚度仅为数纳米,而器件工作的电源电压却不宜降低,这使栅氧化层工作在较高的电场强度下,栅氧化层的抗电性能成为一个突出的问题.往往一个能量不算大的电磁脉冲,就可以让集成电路的栅氧击穿,将直接导致MOS器件的失效.     

一种适用于VLSI MOS器件的阈电压模型

本文从等效浓度的观点出发,提出了一种适用于VLSI MOS器件的阈电压模型,数值结果与二维模拟基本一致。叙述了确定实际阈电压的步骤,可作为器件工艺监控的简便方法。     

VMOS——一种新的MOS集成电路工艺

1.引言近年来,MOS数字集成电路向着高速复杂电路的方向发展。为了使电路的产量高成本低,要求增加器件的封装密度并尽可能保持不严格的尺寸对准容差。改进封装密度和工作速度要求缩短器件的沟道。可是,在标准MOS器件中,缩短沟道往往带来比器件本身电容要大的寄生电容,而且用普通工艺制作的短沟道MOS晶体管的击穿电压比较低。现在采用了各种工艺来减小寄生电容,诸如硅栅工艺、平面氧化工艺、离子注入工艺等。这些工艺是自对准的,减少了栅与源及漏的覆盖电容。     

LOCMOS——互补MOS电路的一种新工艺

虽然互补MOS晶体管的优良性能已为人们熟知好些时候了,但是由于其工艺复杂,封装密度低,因此很少用于大规模集成电路。现在,由于采用了硅的局部氧化(LOCOS)技术,我们可应用互补MOS晶体管来制作封装密度高、电性能好的大规模集成电路。     

一种新的MOS器件亚阈区表面热分析方法

本根据ＭＯＳ器件亚阈区转移性特函数强收敛的特点，提出了一种直接利用ＭＯＳ器件转移特性确定亚阈区表面热的新方法。     

一种新的MOS器件亚阈区表面势分析方法

本文根据MOS器件亚阈区转移特性国数强收敛的特点，提出了一种直接利用MOS器件转移特性确定亚阈区表面势的新方法．并讨论了界面馅饼的影响．研究结果表明，对于长沟器件，该方法的系统误差小于1．3％．与C－V法的对照实验表明，两者的结果偏差小于5％．     

一种耗尽型短沟道MOS器件阈电压模型

本文研究了耗尽型MOS器件的短沟道效应,把Yau的电荷分配理论推广到耗尽型器件,并作了适当修正。提出一种简单而精确的耗尽型短沟道MOS器件阈电压分析模型,与实验数据吻合良好。该模型可以应用于这类器件及电路的CAD。     

一种新型的6H-SiC MOS器件栅介质制备工艺

采用干 O2 +CHCCl3(TCE)氧化并进干 /湿 NO退火工艺生长 6H-Si C MOS器件栅介质 ,研究了 Si O2 /Si C界面特性。结果表明 ,NO退火进一步降低了 Si O2 /Si C的界面态密度和边界陷阱密度 ,减小了高场应力下平带电压漂移 ,增强了器件可靠性 ,尤其是湿 NO退火的效果更为明显。     

MOS器件的窄沟道效应

本文阐述了MOS器件的窄沟道效应,窄沟道效应对MOS器件的阈值电压的影响以及与窄沟道效应有关的各种因素,并且通过在不同衬底偏置电压条件下测量一组不同沟道宽度的MOS器件的阈值电压的变化论证了这些现象和机理。本文还叙述了在实际的MOS器件电路制造中,合理地选择工艺参数和工艺条件,可以减弱窄沟道效应。     

一种新的耗尽型短沟道MOS器件阈电压模型

本文研究了耗尽型MOS器件的短沟道效应,把Yau的电荷分配理论推广到耗尽型器件,并作了适当修正,提出了一种简单而精确的耗尽型短沟道MOS器件阈电压分析模型,与实验数据吻合良好,该模型可以应用于这类器件及电路的CAD。     

扩散杂质分布对V—MOS,D—MOS器件的直流特性的影响

为了研究杂质分布对器件性能的影响模仿双扩散MCS（D—MOS）和V—沟道MOS（V—MOS）晶体管的结构,改变的工艺系数选用沟道长度了沟道掺杂值的范围。用两探测扩展电阻的方法来量测杂质的分布。以VMOS和DMOS器件的电学特性的比较来推示横向DMOS杂质分布的特性。发现一般的方法不能模拟器件的输出电导。实际上沟道长度的计算是在沟道漏结周围,方程的一维解。当测量杂质分布数据时,引进新的沟道长度计算方法,在沟道长度为0.6～um时,器件的输出电导能确的模拟。     

MOS器件的ESD失效

静电放电(ESD)对半导体器件,尤其是金属氧化物半导体(MOS)器件的影响日趋凸显,而相关的研究也是备受关注.综述了静电放电机理和3种常用的放电模型,遭受ESD应力后的MOS器件失效机理,MOS器件的两种失效模式;总结了ESD潜在性失效灵敏表征参量及检测方法;并提出了相应的静电防护措施.     

EBCCD——一种新型夜视器件简介

基于半导体与电真空技术相结合的一种新型夜视器件——EBCCD的出现,以其特有的优点和广泛的应用前景在夜视技术领域已崭露头角。本文介绍了这种器件的工作原理、结构特性、发展概况、应用前景以及改进器件的途径和器件可望的参数。并指出这种器件作为夜视技术第四代产品具有明显的潜力。     

一种与双极型模拟电路兼容的低/高压MOS器件

本文介绍一种与双极IC电路技术完全兼容的低压(CMOS)/高压(VDMOS)器件设计与制备工艺。VDMOS器件阈电压:1～2伏(根据注入剂量调节),漏击穿电压大于150伏。V_(GS)=5V时其跨导大于10m(?),导通电阻小于200Ω,最大输出电流约800mA。同时得到的NPN器件其β≥250,BV_(ceo)≥65V,BV_(CBO)≥90V。CMOS器件性能也合乎要求。利用这种工艺可制作任何低压和高压双极/MOS器件,这对于功率集成、高低压转换与驱动、等离子体显示等方面应用会有很多实用价值。     

日立的新型MOS摄像器件

日立已制作出2/3吋MOS固体摄像器件“HE98241”。为了改善图像灵敏度和分辨率,该器件采取水平读出制式,样品价格为25,000日元。器件采用的叫作TSL的新制式,设置了垂直与水平两个开关元来读出并复位各线像素。而普通制式用