掺杂对金属半导体氧化物气敏性能影响的研究

综述了金属氧化物半导体气敏元件的掺杂技术，探讨了掺杂作用的机理，列举了对最典型半导体气敏元件的掺杂以及掺杂对气敏元件灵敏度和选择性的影响作用。     

半导体无损检测仪器

我国唯一能对半日导体器件实现无损检测的仪器——光调制反射显微镜，由南京大学信息物理系专家研制成功，目前，我国半导体器件检测，是将半导体集成电路板上的所有元件折下来，把扳上铝箔之类的焊接材料溶解，这样，检测后的电路板就被损坏了。现在用光调制反射显微镜，     

日本实现功率器件不用冷却即可在400℃以上长期工作

日本产业技术综合研究所金刚石研究中心，通过将半导体性能及热传导性能比传统硅材料优异的金刚石基板与耐热、低阻抗的钌电极组合，开发出不用冷却即可在400℃以上高温长期使用的功率器件用二极管整流元件。功率器件作为混合电动车马达驱动系统不可或缺的电力控制器件，需求有望增加。     

基于液体循环冷却的温差半导体的研究

温差半导体是采用半导体制冷元件,利用热电制冷效应的特殊制冷方式。由于其独特的优点而被广泛应用。温差半导体散热方式更成为温差半导体技术继续发展的关键。阐述了温差半导体的技术应用及其在应用中存在的技术瓶颈,提出采用液体循环散热系统。与目前现有产品进行了温差性能测试的比较,结果显示液体循环散热系统具有良好的性能指标。     

Na2O对MoSi2/oxide发热元件特性的影响

为了克服半导体热处理炉中MoSi2发热元件的低温氧化问题，通过添加高Na2O粘土获得了由MoSi2/oxide复合材料制成的发热元件，考查了脱Na工艺前后MoSi2/oxide发热元件使用特性的变化。研究结果表明，脱Na工艺较好地解决了半导体制品热处理装置中石英玻璃管的失透问题，使发热元件的弯曲强度和高温蠕变特性有了明显地改善，提高了发热元件的使用寿命。     

日开发GaN功率半导体元件

古河电气工业和富士电机电子技术将共同致力于GaN功率半导体元件的研发。目的是通过将古河电工的GaN基础技术与富士电机的量产技术和可靠性技术相结合,早日实现产品化。两公司组成的技术研究组合“新一代功率元件技术研究组合”将于2009年7月开始启动,并计划在2009-2011年度的3年时间里共同推进GaN功率半导体元件的研发。目标是在2011年度实现产品化。     

金属探针与硅单晶片的接触电阻与测量

前言在半导体材料和集成电路的测试工作中,广泛地采用探针技术,即运用金属探针与半导体表面的接触来了解半导体材料或器件某些参数特性。但是,目前还没有较完整的金属与半导体的接触理论。而金属探针与半导体的接触电阻的提法及阻值均不统一。该接触电阻的大     

单晶硅型太阳能电池转换效率达到15．9％

大阪大学研究生院工学研究系材料生产科学专业教授藤原康文试制出了利用GaN系半导体的红色LED元件。利用GaN系半导体的蓝色LED元件及绿色LED元件现已达到实用水平,但试制出红色LED元件“还是全球首次”（藤原）。如果可与蓝色LED元件及绿色LED元件一样,利用GaN系半导体制造出红色LED元件,便可在相同底板内实现RGB的3原色。     

多层结构半导体气敏元件制备工艺探索

按照多层结构半导体气敏元件设计,制备介质浆料作为加热层和气敏层间的隔离材料,实现在陶瓷基板的同侧制作加热层和气敏层,降低平面式半导体气敏元件工艺难度。在陶瓷基板的另一侧制作隔热层,降低气敏元件功耗。与传统陶瓷管芯旁热式结构相比,该结构可以采用印刷工艺制作,提高了产品之间性能的一致性。     

日本藤仓公司开发高质量AlN单晶

Ⅲ族氮化物半导体材料AlN单晶可应用于蓝色、紫外发光元件和耐高压、高频元件，作为宽带隙化合物半导体材料在市场潜力巨大的蓝色、紫外和白色LED和耐高压、高频电源IC等方面应用前景非常好。[第一段]     

中科院纳米氧化锌材料研究取得重要进展

据有关媒体报导，中科院力学所科研人员利用气相沉积法，成功地合成了多种形貌的微纳米氧化锌材料，比如纳米线、纳米棒、纳米锥、四足纳米氧化锌等，还实现了纳米氧化锌在碳纳米管上的直接生长，并制备出多种独特形貌的氧化锌微纳米材料，通过这种方法合成出来的材料具有很强的发光性能和催化活性。准一维纳米材料由于量子尺寸效应具有许多特异的物理、化学特性，是研究电子传输行为、光学特性和力学性能等物理性质的理想系统，在构建纳米电子和光学器件方面具有很大的应用潜力，近年来受到各界的广泛关注。纳米氧化锌特有的量子尺寸效应、界面效应和耦合效应，使其在紫外激光器、光波导器件、发光元件、表面声波元件、太阳能电池窗口材料、压敏电阻及气体传感器等方面有着广泛的用途，被称为“第三代半导体材料”。     

半导体激光器列阵二元光学准直器的设计和制作

阐述了二元光学元件用于半导体激光器列阵准直的新方法 ,并设计制作了二元光学准直器。针对半导体激光器列阵的特点 ,采用综合平衡方法进行设计和制作 ,使其理论衍射效率超过 5 1 %。     

半导体气敏元件的特性分析及其测量电路设计

通过对Ｎ型金属氧化物气敏半导体电阻元件的电阻－－浓度特性分析提出了一种新的特性拟合函数，在此基础上设计了具有线性化功能电阻－电压变换电路。     

温差发电的热力过程研究及材料的塞贝克系数测定

建立了半导体温差发电器件的基本模型；从稳态的热传导方程出发，对发电器件进行了热力学分析，推导出P型和N型半导体内部的温度分布函数及输出功率和发电效率的表达式；测定了一种Bi-Te-Sb-Se半导体热电材料在低温下的塞贝克系数随温度的变化关系，绘制了曲线并进行数值拟合；结果表明，该种半导体热电材料在低温下性能不佳，需改进配方或生产工艺方可使用。     

晶体的杂散阻抗对晶体测量参数的影响

仿真分析了在π网络测量法中,直插式晶体元件的引线电感和接触电阻对晶体元件参数测量的影响,以及晶体元件的寄生响应对测量的影响.分析结果表明,接触电阻和引线电感对串联谐振频率的影响较小,接触电阻对谐振电阻的大小有直接的影响,主模和寄生响应间隔与晶体参数的测量误差成正比.     

A~ⅢB~Ⅴ化合物半导体欧姆接触的研究进展

本文全面、系统地评述了A~ⅢB~Ⅴ化合物半导体材料上欧姆接触的研究现状和发展方向。首先考虑金属／半导体接触物理，从理论上阐明了欧姆接触的机理，以及对其表征和测试。其次，文章用大量篇幅，总结了利用不同方法（如重掺技术、金属化和能带工程等）实现各种A~ⅢB~Ⅴ半导体材料上欧姆接触的工艺过程、实验研究和重要结论，其中以GaAs最为详细。结合器件的发展和实际工艺的要求，文章还分析了各种制备方法的优缺点，并指出这方面研究工作目前存在的、急需解决的一些问题。     

片式化:衡量电子元件技术水平的重要标志

<正>电子元器件无处不在,不论是日常的消费电子产品还是工业用电子设备,都是由基本的电子元器件构成的。电子元器件是元件和器件的总称。器件是指电子管和晶体管,现在泛指用半导体材料制     

2007上半年度化合物半导体供需情况

GaAs系化合物半导体材料在光器件和高频器件方面需求变化不大;GaP系材料在可视LED方面需求有所减少;InP系材料在光通讯用发受光元件方面需求旺盛。据日本新功能化合物半导体恳谈会统计,日本2007年上半年度（4～9月）化合物半导体材料销售额为260亿日元,比2006年同期减少1％。下半年度由于手机方面需求调整,预计全年将有所减少。     

氢敏元件的种类及半导体薄膜材料在其中的应用

随着氢燃料电池技术在汽车应用中的日益完善,对高性能氢敏元件的需求也更加迫切。本文介绍了采用不同工作原理制备的氢敏元件的种类,着重描述了半导体薄膜材料的工作原理和改性途径,并针对我国目前研究较少的Ga2O3新型薄膜材料进行了较为详细的综合论述。     

新型结构热电元件的多物理场耦合研究

为了改善热电元件的工作性能,提出了两种新型结构的热电元件,分别是半倾斜型和双倾斜型,倾斜角度57.99°。参考传统的垂直型热电元件,采用数值模拟的方法,通过控制电流、热端温度和冷热端温差等参量,对三种结构的热电元件进行了温度场、电场耦合分析。结果显示:双倾斜型电热元件能够实现最低的冷端温度,且随着电流的增大,不同结构冷端温度的差值先增大后减小;在小功率条件下,双倾斜型电热元件制冷量最大;双倾斜结构能够达到最高的制冷系数,但在大功率条件下制冷系数却最低;倾角为钝角处存在场强突变现象;最大电流密度均出现在不与半导体接触的铜片区域中;双倾斜结构更适用于微小型低功耗热电设备。