洛阳铜加工集团开发出第二代身份证条形码用铜材

日本电气(NEC)日前CEATEC JAPAN 2004展会上宣布，该公司最新开发成功的一款蓝紫色激光器可将连续振荡时的最大输出功率提高到300mW，适合于蓝光光盘(Blue-ray Disk)和HDDVD等新一代光盘，有利于提高这些光盘的记录速度。     

光盘记录用的大功率半导体激光器

日本三菱电机光、微波器件研究所研制成在90℃高温下光输出功率达40mW 以上、光盘写入用的红色可见光半导体激光器。光盘装置写入用的光源,一般为光输出功率80mw 的半导体激光器。为使半导体激光器输出功率大,必须做到以下几点。     

SiC衬底上的蓝光半导体激光器

日本富士通实验公司已演示了电脉冲氮化镓（GaN）基蓝光半导体激光器的5小时室温运转。该器件做在碳化硅（SIC）衬底上。该激光器的主要特性包括414urn输出对蓝光输出激光器而言．碳化硅（SIC）衬底相对于刚玉有几个优点。由于激光腔反射器可用解理面形成，并且SIC导电．SIC衬底较易制诈波长、3O0us脉冲运转80OmA阈值电流和20mw的最高输出功率。这是SIC衬底上蓝光GaN激光器的第二个成功开发的报导，器件在室温下脉冲运转。第一个成功报导是美国克利研究公司开发的，它的器件寿命较短。研究人员用普通低气压金属无机汽相外延（MOV…     

科技简讯

10 1 2 Hz量子级联激光器　　由于缺少小型相干辐射光源而阻碍了 1 0 1 2Hz激光器的快速发展 ,但这种状态现已取得新的突破。麻省理工学院的研究人员根据纵向光学声子散射原理现已研制成功一种 3 4THz量子阱级联激光器。该激光器结构为GaAs/AlGaAs,工作温度 65K (开式温度为 2 9K时 ,负载循环为5 0 % ) ,以脉冲方式工作在 5K温度时 ,器件的阈值电流密度为 840A/cm2 ,峰值功率约为 2 5mW。(No .8)发射蓝光的多孔硅晶体　　中国合肥科技大学的研究人员最近研制成功了一种用多孔硅制成的发光二极管 ,该器件的发射波长为 435nm ,可以实现…     

150mW大功率半导体激光器

<正>据日本《电子材料》1992年第3期报道,日本三洋电机公司已制成高可靠150mW级的半导体激光器。该产品采用①大输出功率横模控制技术。②高可靠技术等的新技术。具有以下特点: (1)采用SHG器件的蓝邑激光器的振荡波长为860nm.采用YAG单晶和SHG器件制成绿色激光器,最佳振荡波长为809nm,已得到光输出功率为150mW。应用于各种光盘、成像系统的830nm激光器,也实现了光输出功率150mW。     

780nm大功率半导体激光器

<正>据日本《电子材料》1992年第10期报道,日本夏普公司已制成780nm大功率半导体激光器,可用作光盘高速记录,并能省去用于目前光发射器的光束整形棱镜。这种激光器,把激光器壁的开口处作为窗层,生长AlGaAs层。该公司采用独特的技术——端面生长法,因适用于光密度比以前高的窄条结构,在低的椭圆率(2)时,光输出功率70mW,连续工作4000小时(环境温度为60℃),已达到世界最高实用化水平。 若该激光器适用于光盘系统,就能获得以下性能: (1)因光输出功率大(70mW),光盘的记录可高速化。 (2)由于激光束截面强度分布更接近于圆(椭圆率为2),可省去光束整形的棱镜,能使光发射器简单化、轻量化。 (3)因为器件寿命长,可提高系统的可靠性等。     

微型低噪音蓝光激光源

日本横河电气公司和松下电子工业公司联合研制了一种小型低噪声蓝光激光源。该器件将红外半导体激光器和二次谐波产生元件综合,是下一代光盘器件发展和鉴定用的理想光源,还可用于需要稳定光源的光探测仪器。横河已将其商品化。 发光元件综合852 nm分布式布拉格反射体半导体激光器和光波导二次谐波产生元件(见图)。半导体激光器有三个电极。改变谐振腔长度和调制分布式布拉格反射体的光学周期可精确控制发射波长,其波长转换的效率比传统装置高50%。用掺氧化镁的铌酸锂基底制作二次谐波产生元件,呈周期极化反转结构。这一结构在波导中产生较低光损耗,并使极化反转层形成更深入。 35mm6SS将红外分布布拉格反射体激光器与光波导二次谐波产生元件粘在一起,产生具有高波长转换效率的蓝光发射源最初在元件之间放置透镜进行光学连接。但直接粘连制成的器件机械稳定性好,且更紧凑,体积约为1 cm3。得到的单模激光光源输出为425～429 nm,光功率15 mW,线宽小于2 MHz,相对噪声为-140 dB/Hz,仅为GaN基蓝光半导体激光器或其他二次谐波产生蓝光激光器的1/10。运行中波长起伏可控制在01 nm以内。 这种光源可用于蓝光激光器光盘器件所需盘片介质和透镜的高精度测试,并将加速光盘器件的发展。估计在其发展完成后可用作光盘激光头的光源。因其波长短,线宽极窄,还可用作干涉仪等光学测量仪器的光源。     

日制成连续可见光半导体激光器

日本电气公司的研究人员最近研制成功AlGaInP系列横模限制型可见光半导体激光器。这种激光器波长为683nm,最大连续功率为27mW。这种激光器的特点是在激活层和p型覆盖层的夹层夹入不同混晶组成的薄膜层,使套环结构部份的电流和光处于良好的封闭状态,有效地提高输出功率和光束质量,实现最佳的横膜限制。该装置具有结构简单合理和良好的稳定性、重复性,适宜批量生产。激光器用的晶体是采用高气密MOVPE法技术生长的优质     

大功率激光器阵列

日本夏普公司已开发比以前大4～5倍大功率半导体激光器阵列,并确立实用化技术。所开发的激光器阵列采用和以前MOCVD不同的液相处延生长法,适合于批量生产。器件需要在GaAs衬底上淀积Al,Ga,As的六层薄膜,每层的厚度为0.05μm必须在稳定反应中进行晶体生长,以往用MOCVD法制造,很费时间。     

金刚石的制作及其光电应用

许多在紫外和可见光波长发光的器件使用Ⅱ-Ⅵ和Ⅲ-Ⅴ族二元材料。介电材料的带隙越大，发射光的波长就越短。数据存储需要更短的波长，但很难找到合适的材料。因此，蓝光激光器面临的困难要远大于红光和绿光激光器，直到日本学者开发了一种基于GaN的室温蓝光激光器，发射光的波长在450 nm以下。Nichia现已批量生产蓝光激光器，世界很多研究组都在开发极具商业前景的GaN蓝光发射器和光子探测器。要获得更短波长，钻石值得考虑，因为它具有大带隙（约5.5eV)。但对于金刚石电子元件就不同，因为以化学气相淀积制造单晶金刚石很困难，而这对…     

松下开发高清晰度电视用固体摄象器件

日本松下电子工业公司已开发高清晰度电视(HDTV)摄象机用的固体摄象器件.该器件有130万个象素,在信号变换过程中不致进入逾量光,所以几乎不会产生余象.日本东芝、NEC也在开发HDTV用的固体摄象器件,但松下力争在1990年HDTV开始广播之前率先使该器件实用化.     

新产品

蓝、紫和紫外激光二极管组件PowerTechnology公司可向市场提供一系列蓝光、紫光和紫外光激光二极管组件。最新的紫光二极管组件的波长为405nm、功率50mW,比公司以前的20mW和25mW类型组件的功率有显著增加。波长440nm、功率16mW和波长473nm、功率4mW的二极管激光器组件是该公司蓝光组件系列的新成员。其中,473nm组件具有高效率、低噪声,可取代473nmNd∶YAG激光器;而新研制的440nm组件不仅比他的先驱产品的功率高4倍,而且还是取代HeCd激光器的理想激光二极管组件。波长为375nm、功率为8mW的组件颇受市场的欢迎。该公司生产的蓝、紫和紫…     

高功率紫光半导体激光器

日亚化学工业公司开发出高功率紫光半导体激光器,最大输出为30 mW,用于光盘的写入.该激光器使用的氮化镓晶体非常均匀,发光效率高.2000年7月应用在医疗、印刷方面的样品开始销售,2000年9月应用在DVD方面的样品开始销售.     

垂直腔面发射激光器制作新工艺

采用一种新工艺制作了垂直腔面发射激光器(VCSEL),即用开环分布孔取代以往的环形沟道作为氧化物限制技术的注入窗口。因开环分布孔间形成多个桥,为电注入提供了天然的桥状通道,解决了电极过沟断线问题。这种新结构器件的输出功率约为以往结构器件的1.34倍。在20℃~80℃范围内,对器件的输出功率、阈值电流及波长漂移性进行了研究。60℃时最大输出光功率可达到6 mW。激射波长随温度升高呈线性变化,且向长波方向移动,速率为0.06 nm/℃。由实验结果计算出器件的热阻为1.96℃/mW。     

1986年我国光纤通信技术的新成果

深锌扩散条形1.55μm InGaAsP/InP激光器为满足长距离、大容量光纤通信的迫切需要,邮电部武汉邮电科学研究院武汉电信器件公司研制成功深锌扩散条形1.55 μm InGaAsP/InP激光器。这种激光器属于一种增益波导型结构,与其它结构相比较,具有工艺较简单,输出模式稳定,功率-电流特性曲线无扭折等优点。该器件的主要技术指标为:(1)阈值电流为80～130 mA;(2)输出功率为5～10 mW     

启明携手NEC电子中国成立汽车电子联合实验室

近日，中国第一汽车集团公司的控股子公司启明信息技术股份有限公司与NEC电子的全资子公司日电电子（中国）有限公司、日本RYOSAN的子公司香港菱三有限公司于启明内建立联合实验室事宜达成协议，并宣布就开发车载用电子设备建立合作关系。该联合实验室成立后，启明公司将使用NEC电子开发的汽车用半导体产品设计车用电子设备，并用于今后中国市场的新车型。联合实验室成立的初期阶段，     

新型垂直腔面发射激光器的研制

热问题是制约垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的关键难题之一。为改善垂直腔面发射激光器的热特性,提高输出功率,设计并制备了一种新型内腔接触式结构VCSEL。在出光孔径为16μm时,同时制备传统结构和新型结构两种器件并对其进行测试,传统结构VCSEL的阈值电流为11.5 mA,当注入电流为34 mA时,最大输出功率达到7.3 mW;新结构器件的阈值电流为9 mA,当注入电流为35 mA时,最大输出功率达到10.2 mW;新结构的阈值电流降低了21.7%,最大输出功率提高了28%。结果表明,这种内腔接触式电极结构有望改善器件的热特性和光电性能。     

新型垂直腔面发射激光器的研制北大核心CSCD

热问题是制约垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的关键难题之一。为改善垂直腔面发射激光器的热特性,提高输出功率,设计并制备了一种新型内腔接触式结构VCSEL。在出光孔径为16μm时,同时制备传统结构和新型结构两种器件并对其进行测试,传统结构VCSEL的阈值电流为11.5 mA,当注入电流为34 mA时,最大输出功率达到7.3 mW;新结构器件的阈值电流为9 mA,当注入电流为35 mA时,最大输出功率达到10.2 mW;新结构的阈值电流降低了21.7%,最大输出功率提高了28%。结果表明,这种内腔接触式电极结构有望改善器件的热特性和光电性能。     

超稳定单频二极管泵浦固体激光器

Laser Quantum公司最近推出一种新型Torus532系列二极管泵浦固体单频激光器，其输出功率从50～300mW。Torus系列激光器输出532nm的衍射极限光束，能以高稳态、主动锁模单频运转。Laser Quantum公司采用专利技术，其行波腔结构和由主动数字锁定技术控制的模跳跃，使Torus532系列激光器以单频运转。这种特有的技术可以连续地监视和校正激光器的频率。     

“蓝激光热”在漫延

Nichia化学工业公司在Baltimore的激光和电光学会议上展示蓝激光芯片.Polytec PI公司展示了来自德国慕尼黑Tuioptics GmbH的可调谐蓝激光器模块.Cohenent公司展示了波长为400nm,功率达4mW的蓝光二极管模块.该公司还可以提供具有焦斑、聚焦线或准直光束的模块.Power Technology公司介绍了一种5mW,404nm激光器,用激光器集成热电冷却器以延长激光器使用寿命和提高波长稳定性.New Focus公司演示了一种蓝激光器,并宣称其产品在商品化后可在2nm～3nm内调谐.应用范围包括荧光、光谱分析、显示器、光存储和印制/照相复印.(No.41)