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本文介绍了对掺杂Ta、Ba的TiO_2晶界层电容器陶瓷的研究结果。这种陶瓷只需一次烧成就可形成晶界层结构,其介电常数高达10~5,不仅可望成为制作晶界层电容器的理想瓷料,而且有可能用于开发比电容更高的独石型晶界层电容器。 相似文献
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纳米TiO2薄膜的组成及结构在很大程度上影响着染料敏化太阳能电池的光电转化效率。从微观结构、复合结构、掺杂、表面处理四方面综述了染料敏化太阳能电池中纳米TiO2薄膜的最新研究成果,探讨了如何通过提高电池中纳米TiO2薄膜对光的吸收、提高电荷的传输效率、降低电荷的复合来优化电池性能。对TiO2薄膜的表面处理,是今后发展的一个主要方向。 相似文献
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反应溅射TiO_2薄膜 总被引:4,自引:0,他引:4
报道了反应溅射沉积TiO2薄膜,得到TiO2薄膜的特性如沉积速率、透射率、导电性能、吸收系数等与反应气体的流量、溅射功率有关。通过控制氧气的流量,得到具有良好导电性能和一定吸收的特殊性能的TiO2薄膜。 相似文献
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采用改进的sol-gel法及浸渍–提拉工艺在低温条件下制备了纳米TiO2薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、扫描电镜(SEM)及紫外–可见光光谱仪(UV-Vis)对所制TiO2薄膜的物相结构、表面形貌以及光吸收特性进行了表征,并利用紫外光照降解亚甲基蓝溶液的方法考察了TiO2薄膜的光催化活性。结果表明:低温制备的纳米TiO2薄膜为锐钛矿结构,表面均匀致密,且对紫外光表现出较强的吸收特性。在紫外光照射48 h后,该TiO2薄膜对亚甲基蓝溶液的降解率为67.4%。 相似文献
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TiO_2纳米薄膜在光催化、传感、环境工程等领域具有广阔的应用前景,本文根据国内外的研究报道及作者对TiO_2纳米薄膜的研究,简单地介绍了它的制备方法和应用。 相似文献
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ZnS:Mn交流薄膜电致发光陶瓷灯 总被引:3,自引:0,他引:3
报道了一种直接用50Hz,200V市电驱动的ZnS:Mn薄膜电致发光器件,使用高介电常数,低损耗的反铁电陶瓷片作为器件的绝缘层,同时也作为器件的基片,它具有功耗低,亮度较高,呈薄片状国经,性能稳定,寿命长耐压高,使用安全可靠等优点,是新一代的节能型中等亮度的平面显示器件。 相似文献
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采用直流反应磁控溅射法、利用ScAl合金靶(含Sc质量分数10%)制备了一系列不同衬底温度的Sc掺杂AlN(ScAlN)薄膜。利用X线衍射仪、原子力显微镜和铁电测试仪的电流 电压(I V)模块研究了衬底温度对薄膜微观结构、表面形貌及电阻率的影响。结果表明,随着衬底温度升高,薄膜的(002)择优取向愈发明显,在650 ℃时达到最佳;薄膜的表面粗糙度随着衬底温度的升高而减小,在650 ℃、700 ℃时分别达到3.064 nm和2.804 nm,但当温度达到700 ℃时,薄膜表面局部开裂,因此,650 ℃为获得最佳结晶质量薄膜的适当温度。ScAlN薄膜电阻率随制备时衬底温度呈先增大后减小的趋势。 相似文献
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采用高频 C- V曲线方法 ,研究了 5 0 nm及 15 nm MOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程 .二种样品电离辐射空穴陷阱电荷密度在 1× 10 3Gy(Si)剂量下近乎相同 ,而在大于 3× 10 3Gy(Si)剂量下 ,5 0 nm MOS电容的电荷密度约为 15 nm MOS电容的 2倍 .利用电离辐射后的隧道退火效应 ,计算出二种样品电离辐射陷阱电荷在Si- Si O2 界面附近分布的距离均约为 4nm . 相似文献