缓蚀剂的一种生产方法

９１－００１缓蚀剂的一种生产方法公布了Ⅰ和Ⅱ及其盐或酯的一种生产方法。Ⅰ和Ⅱ用作缓蚀剂。式中，Ｒ￣１＝Ｃ＿（４－２０）烷基，Ｐｈ，或Ｃ＿（７－２０）烷基苯基；Ｒ￣２＝Ｃ＿（１－１２）烷基，Ｐｈ，或Ｃ＿（７－２０）芳基烷基；Ｘ＝ＣＨ＿２，Ｏ，或Ｓ；Ｙ＝...     

聚酒石酸抑制金属在水介质中腐蚀

９５－０１２聚酒石酸抑制金属在水介质中腐蚀添加含有ｎ＜４、Ｒ为Ｈ或Ｃ＿（１～４）烷基的聚酒石酸化合物ＨＯ［Ｃ（Ｒ）（ＣＯ＿２Ｈ）Ｃ－（ＣＯ＿２Ｈ）（Ｒ）Ｏ］ｎＨ缓蚀剂，可防止金属或合金（特别是钢）与水溶液接触腐蚀，就其平均克分子重量来说ｎ＝１、２～３...     

取代的羧基甲氧基丁二酸作缓蚀剂

９４－００８　取代的羧基甲氧基丁二酸作缓蚀剂用取代的羧基甲氧基琥珀酸化合物ＲＣＨ（ＣＯ＿２Ｈ）ＯＣＨ（ＣＯ＿２Ｈ）ＣＨ＿２ＣＯ＿２Ｈ抑制水溶液系统中铁合金的腐蚀，Ｒ＝（ＣＨＯＨ）＿ｎＣＨ＿２ＯＨ，（ＣＨＯＨ）＿ｍＣＯ＿２Ｈ，或（ＣＨＯＨ）＿ｒ（ＣＨＯ...     

冷却液

９５－０１８冷却液该冷却液含有０．００１～１ｗｔ％的盐（Ⅰ）（Ｒ￣１＝Ｈ、Ｃ＿（１－４）烷基、ＯＨ、卤化物；Ｒ￣２＝Ｈ、Ｃ＿（１－４）烷基；ｎ＝１～１０；Ｍ＝碱金属、ＮＨ＿４、脂肪族胺、杂环胺、链烷醇胺、硼酸或磷酸链烷醇酸酯）和０．０００１～０．１ｗ...     

盐水精制过程中SO_4~（2－）消除方法的探讨

盐水精制过程中ＳＯ＿４￣（２－）消除方法的探讨日前，国内各大氯碱厂多采用ＢａＣｌ＿２法去除盐水中ＳＯ＿４￣（２－），而国外一些发达国家采用钙法较多。ＢａＣｌ＿２法是利用ＢａＳＯ＿４溶度积小、反应快的特点，去除ＳＯ＿４￣（２－）较彻底，但ＢａＣｌ＿２价...     

以卤代盐降低生产成本

以卤代盐降低生产成本在有矿卤盐水的地方，以卤代盐势在必行，且代用比例不断增加。这其中原因在于：（１）使用卤水可提高精盐水质量。卤水中Ｃａ￣（２＋）／Ｍｇ￣（２＋）大于海盐，使盐水精制中的Ｍｇ（ＯＨ）＿２、ＣａＣＯ＿３共沉速度提高，降低精盐水含Ｃａ￣（...     

Pr~（3＋）掺杂的Cd_3M_2Ge_3O_（12）（M＝Al，Ga）石榴石

首次报道Ｐｒ￣（３＋）分别激活的Ｃｄ＿３Ａｌ＿２Ｇｅ＿３Ｏ＿（１２）（ＣＡＧＧ）和Ｃｄ＿３Ｇａ＿２Ｇｇｅ＿３Ｏ＿（１２）（ＣＧＧＧ）锗酸盐石榴石的阴极射线发光光谱，Ｐｒ￣（３＋）的４ｆ能级发射强度与ｐｒ￣（３＋）浓度关系以及粉红色较长余辉特性。与ＣＡＧＧ相比，发现在ＣＧＧＧ中Ｐｒ￣（３＋）的所有４ｆ－４ｆ跃迁发射峰位置向短波移动，并分析造成这种光谱“蓝移”的原因。     

新型铝络合物质缓蚀剂

９５－００４新型铝络合物质缓蚀剂铝离子与某些添加剂复配制得的铝系复合缓蚀剂络合物，缓蚀率可达９０％以上，且无毒、价廉、排放对环境无污染，特别是它与冷却水中存在多种物质（如Ｃａ￣（２＋）、Ｍｇ￣（２＋）、ＳＯ￣（２－）、ＨＣＯ、Ｃｌ￣－、Ｏ＿２、ＣＯ＿...     

中温烧结BaO－PbO－Bi_2O_3－Nd_2O_3－TiO_2系统陶瓷的组

研究了ＢａＯ－ＰｂＯ－Ｂｉ＿２Ｏ＿３－Ｎｄ＿２Ｏ＿３－ＴｉＯ＿２五元系统各成分对系统介电性能的影响。调整各组分及玻璃的含量，获得中温（１１４０℃）烧结的热稳定独石电容器瓷料（ＮＰＯＭＬＣ），其介电系数ε＝９０±５，损耗ｔｇδ≤３×１０￣（－４），绝缘电阻率ρ＿ｖ≥１０￣（１２）Ω·ｃｍ，介电系数的温度系数α＿ε＝０±１５×１０￣（－６）／℃。     

来稿摘登

来稿摘登以卤代盐制烧碱中ＳＯ＿４￣（２－）问题及冷冻法除ＳＯ＿４￣（２－）ＳＯ４２－是随海盐、卤水、蒸发碱盐水带入化盐系统，然后随精盐水入电解系统再随电解液入蒸发，部分又被３０％浓碱带走，带不走的在系统中循环并累积。１不除ＳＯ４２－为了最大限度使用卤...     

导电性腈纶中五硫化九铜（Cu_9S_5）的生成机理

研究了由２价铜盐、还原剂和硫化剂浴液处理法制备的导电性腈纶，探讨了导电主要成分五硫化九铜（Ｃｕ＿９Ｓ＿５）的生成机理。研究表明，导电性腈纶中的铜和硫均有多重价态；处理浴液中的１价铜（Ｃｕ￣＋）与纤维大分子上的腈基（－ＣＮ）生成四氰化铜（Ⅰ）的纤维络合物，并进而与浴液中的硫（Ｓ￣（２－））反应生成Ｃｕ＿９Ｓ＿５：络合物中Ｃｕ￣＋的配位数以４为主：导电性腈纶中Ｃｕ＿９Ｓ＿５的相对饱和量约为３０％。     

二乙基乙醇胺合成与精制

二乙基乙醇胺合成与精制石英华（上海高桥石化公司化工三厂２００１３７）１前言二乙基乙醇胺（ＤＥＥＡ），又称二乙基一２一羟乙胺，分子式（ＣＨ＿３ＣＨ＿２）＿２ＮＣＨ＿２ＣＨ＿２ＯＨ。它是合成树脂的固化剂，用于制造防锈剂、软化剂和乳化剂。是纤维生产的柔软剂...     

含草酰胺桥的新型铜（Ⅱ）─镍（Ⅱ）双核配合物的合成和磁性研究

本文合成和表征了两种新的杂双核配合物：［Ｃｕ（ｏｘｄｎ）Ｎｉ（ｔｍｎ）＿２（ＣｌＯ＿４）＿２（１）和［Ｃｕ（ｏｘｄｎ）Ｎｉ（ｔｍｄ）＿２］（ＣｌＯ＿４）２（２），ｏｘｄｎ代表Ｎ，Ｎ＇－双（３－氨丙基）草酰胺根阴离子；ｔｍｎ为Ｎ．Ｎ．Ｎ＇－四甲基乙二胺；ｔｍｄ表示１．３－丙二胺。测定了配合物（１）的变温磁化率（４～３００Ｋ），其数值用最小二乘法和从自旋哈密顿算符Ｈ＝－２ＪＳ＿１·Ｓ＿２导出的磁方程拟合，求得交换积分Ｊ＝－１１８．８ｃｍ￣（－１）。文中还用Ｋａｈｎ理论解释了这种反铁磁自旋交换作用。     

1，5－二（2－硝基苯氧基）－3－氮杂戊烷及其N－取代物的合成

报道了９个新型二硝基化合物的合成。将１，５－二（２－硝基苯氧基）－Ｎ－对甲苯磺酞基－３－氮杂戊烷用３３％ＨＢｒ－ＨＡｃ脱磺酰基得到１，５－二（２－硝基苯氧基）－３－氮杂戊烷。Ｎ－取代氮芥与邻硝基苯酚在碳酸钾存在下，在ＤＭＦ中，于８０℃缩合反应６ｈ得到Ｎ－取代－１，５－二（２－硝基苯氧基）－３－氮杂戊烷，取代基为：ＣＨ＿２ＣＨ＝ＣＨ＿２，Ｃ＿４Ｈ＿（９－ｎ），Ｃ＿５Ｈ＿（１１－ｎ），ＣＨ＿２ＣＨ＿２ＯＣＨ＿３，ＣＨ＿２ＣＨ＿２ＯＣ＿２Ｈ＿５，ＣＨ＿２ＣＨ＿２ＯＣ＿４Ｈ＿（９－ｎ），（ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ）＿２ＣＨ＿３，（ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ）＿２Ｃ＿４Ｈ＿（９－ｎ）。     

（Nb_yTi_（1－y））C_x单晶体制备及其结构研究

用熔剂法制备了（Ｎｂ＿ｙ．Ｔｉ＿（１－ｙ））Ｃ＿ｒ单晶体，用Ｄｅｂｙｅ照相法及四圆衍射仪对其晶体结构进行了研究。实验结果表明，（Ｎｂ＿ｙＴｉ￣（１－ｙ）Ｃ＿ｘ中存在类似于作化学计量化合物ＴｉＣ＿ｘ及ＮｂＣ＿ｘ的有序一无序转变现象，转变温度随其化学成份改变在１１７５～１２８０Ｋ范围内变化。高温型（Ｎｂ＿ｙＴｉ￣（１－ｙ））Ｃ＿ｘ的晶体结构属ＮａＣｌ型结构，碳空位呈随机分布；低温型（Ｎｂ＿ｙＴｉ￣（１－ｙ））Ｃ＿ｘ的晶体中碳空位呈短程有序分布，可用Ｖ＿６Ｃ＿５晶体结构模型进行描述。     

含氟咪唑啉衍生物的制备与用作表面处理剂

９５－０４４含氟咪唑啉衍生物的制备与用作表面处理剂标题的化合物对于润滑性、防腐性、水油相斥性等表面处理是有用的，一般的通式为Ｉ［Ｒ’＝Ｈ、乙烯基、聚乙烯；Ｒ￣２＝ＣＨ＿２Ｒ￣３＝ＣＨ＿２ＣＨ（ＯＨ）Ｒ￣２；Ｒ￣４＝Ｆ、ＣＦ＿３；ｎ＝１～１５］，在１３...     

用~（29）Si－NMR和TMS－GC研究由水热合成CSH脱水形成β－C_2S

在以前做过的有关工作基础上用￣（２９）Ｓｉ－ＮＭＲ，ＦＴ－ＩＲ和ＴＭＳ－ＧＣ等方法进一步研究了由水热合成ＣＳＨ脱水形成β－Ｃ＿２Ｓ的过程。结果表明ＣＳＨ解聚过程分三步：加热至３００℃高聚物解聚主要变成双聚体；３００～５００℃为双聚体至五聚体；５００～１０００℃低聚物量降低，而代表β－Ｃ＿２Ｓ的孤立［ＳｉＯ＿４］￣（４－）四面体量逐步增加成为主要组份。     

对苯二甲酸双羟丁酯合成过程中副产物四氢呋喃生成动力学的研究

对在工业生产条件下，以０．０５％（质量比）Ｔｉ（Ｏ－ｎ－Ｃ＿４Ｈ＿９Ｏ）＿４为催化剂，将对来二甲酸与１，４－丁二醇直接酯化，ＢＤ／ＴＰＡ＝１．７０（ｍｏｌ比），生成四氢呋喃（ＴＨＦ）的副反应动力学进行了研究，得出了ＴＨＦ生成的动力学方程ｄＦ／ｄｔ＝Ｋ（Ｍ＿Ｒ－Ｘ－Ｆ），反应速率常数ｋ＝１．７８×１０￣（１２）ｅｘｐ（－３２９００／ＲＴ）和ＴＨＦ生成的活化能Ｅ．＝１３７．５ｋＪ／ｍｏｌ，略高于酯化反应的活化能，表明以控制反应温度的方法抑制ＴＨＦ的生成是困难的。     

Si_3N_4－ZrO_2陶瓷中ZrN的生成及其对性能的影响

研究了ＺｒＮ在Ｓｉ＿３Ｎ＿４－ＺｒＯ＿２复相陶瓷中的形成及其对材料性能的影响，结果表明：在１．５ＭＰａＮ２气压烧结条件下，ＺｒＮ的形成温度约为１６００℃，提高Ｎ＿２的压力有利于抑制ＺｒＮ的生成，以稳定的ｔ－ＺｒＯ＿２加Ｓｉ＿３Ｎ＿４基体中，对抑制ＺｒＮ的生成有明显作用。当复相陶瓷中生成一定量的ＺｒＮ时，力学性能明显下降，而ＺｒＯ＿２分布均匀且以ｔ－ＺｒＯ＿２，ｃ－ＺｒＯ＿２形式存在时，复相陶瓷具有较高的强度（７４０ＭＰａ）和断裂韧性（８．８ＭＰａ·ｍ￣（１／２））。     

三核钻羰基硫簇合物与P(SR)Cl_2和P(SR)_3取代物的合成及表征

用π－酸配体Ｐ（ＳＲ）Ｃｌ＿２和Ｐ〔ＳＲ）＿３（Ｒ＝Ｅｔ，Ｐｈ）与三核钴羰基硫簇合物Ｃｏ＿３（ＣＯ）＿７（３－Ｓ）（－ＳＣＮＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｓ）在无水无氧条件下反应，得到４个一取代产物。根据产物的元素分析结果、ＩＲ和￣１ＨＮＭＲ谱以及与已知结构的三核钴羰基硫簇合物的比较，确认产物为Ｐ（ＳＲ）Ｃｌ＿２及Ｐ（ＳＲ）＿３取代了非桥基配位钴原子上的一个羰基而得到的一取代物。