ITO透明导电玻璃的除霜试验研究

介绍了氧化钢锡（ＩＴＯ）透明导电玻璃的除霜试验结果,并对ＹＦＯ透明导电玻璃应用于汽车挡风玻璃的可能性进行了分析。     

低电阻ITO透明导电膜的制备和应用

锡掺杂的铟锡氧化物透明导电膜（简称膜ＩＴＯ）是一种面电阻率低，透光率高，导电性能好的膜层，近年来在国内外发展较快，其制备方法较多。本文就采用磁控溅射法制备ＩＴＯ 膜的设备及成膜过程中的若干工艺问题进行了探讨。     

柔性聚酰亚胺(PI)衬底上ITO薄膜的生长及其透明导电性能影响机制研究

采用直流磁控溅射法在聚酰亚胺(PI)柔性衬底上生长氧化铟锡(ITO)薄膜,采用XP-2探针台阶仪、X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪、紫外-可见分光光度计等对ITO薄膜进行结构和光电性能表征.结果表明溅射功率和沉积气压是影响磁控溅射法生长ITO薄膜透明导电性能的主要因素,实验系统研究了溅射功率和沉积气压对ITO薄膜透明导...     

用动态变化的电子束蒸发工艺制备优质ITO透明导电膜

在分析用电子束蒸发制备铟锡氧化物(ITO)透明导电膜的静态工艺流程的基础上,提出了多种参数同步变化的动态工艺流程。用这种新颖的工艺流程制备了优质的ITO透明导电膜,方块电阻为5Ω时,透光率大于90％,并对静态、动态和退火工艺的实验结果进行了综合分析。实验结果和理论分析表明,动态变化的电子束蒸发工艺是制备优质ITO透明导电膜的有效方法。     

绒面ZAO透明导电膜的制备工艺研究

绒面ZAO(ZnO∶Al,氧化锌铝)透明导电膜在硅基薄膜太阳能电池领域应用前景广阔,本文利用直流磁控溅射方法,采用氧化锌铝陶瓷靶材制备了ZAO透明导电膜,并用自制的腐蚀液对膜层进行腐蚀以便形成太阳能电池所需要的表面凹凸起伏的绒面结构。研究了不同镀膜温度对膜层性能的影响,不同退火条件下膜层热稳定性的变化情况,不同腐蚀时间下膜层电阻、透过率以及表面形貌的变化,结果表明,在相同真空度、溅射功率和节拍的情况下,220℃下制备的ZAO透明导电膜膜层性能最好,腐蚀时间为30 s时获得的绒面效果好。     

液晶显示器用ITO透明导电膜技术现状

随着液晶显示器件产业的飞速发展，对作为平板显示器透明电极的ＩＴＯ导电玻璃的需求也日益增，由于ＬＣＤ正向大型化和高精细化发展，因而对ＩＴＯ膜的特性提出了许多新的更为严格的要求，本文综述性介绍透明导电膜制造中最常的ＩＴＯ膜磁控溅射成膜技术和设备以及靶的现状主。     

低温沉积ITO膜的透光率及电磁屏蔽特性的研究

采用射频磁控溅射技术,在水冷的有机玻璃(PMMA)和聚乙烯对苯二甲酯(PET)柔性膜上,低温沉积ITO薄膜。研究了膜厚对其形貌、光电以及电磁屏蔽特性的影响。结果表明,表面形貌随膜厚的增加有明显变化,进而对样品的光电性能产生明显影响,可见光平均透光率在75%~86%,电阻率在1×10-3Ω.cm~3×10-3Ω.cm范围内变化;其样品的总屏蔽效能也随着膜厚的增加而逐渐增大。通过适当调节膜厚,可分别实现样品最大平均透光率86.41%,最小电阻率1.19×10-3Ω.cm,最大屏蔽效能超过15 dB。     

NiO/Ag/NiO透明导电膜光电特性研究

在室温条件下, 利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了NiO/Ag/NiO透明导电膜, 研究了不同NiO层和Ag层厚度对三层膜可见光透过率和电阻特性的影响。结果分析表明:制备的NiO/Ag/NiO为N型透明导电膜。在400~800 nm的可见光区域内, 随着NiO和Ag层厚度的增加, 薄膜的透光率先增大后减小。NiO层厚度为30 nm且Ag层厚度为11 nm时, 叠层膜具有较好的光学特性, 其最大透过率为84%, 薄膜电阻为3.8Ω/sq, 载流子浓度为7.476×10²¹cm^-3。对薄膜透过率进行了计算机模拟, 发现结果与实验中大致趋势相同, 但因为折射率选择和薄膜界面等因素的影响, 在可见光区域后半段实验值大于计算值。     

丙烯酸树脂涂层对透明导电薄膜整体性能的影响

在有机玻璃(Polymethyl Methacrylate,PMMA)上磁控溅射透明导电金属薄膜,并引入丙烯酸树脂底涂层和面涂层,以期提高透明导电薄膜的耐环境性能,研究了涂层的引入对透明导电膜整体性能的影响.结果表明:引入丙烯酸树脂涂层后,透明导电薄膜的耐环境性能有了明显提高,且丙烯酸树脂涂层由于具有较低折射率,还可作...     

氧化铟锡(ITO)薄膜的透明吸波特性研究

利用直流磁控溅射技术室温下在柔性聚酯薄膜衬底上制备了ITO薄膜,将ITO薄膜与有机玻璃和空白聚酯薄膜等介质材料组合成复合结构,最终得到吸波能力较强的透明吸波体.该吸波体在Ku带(12～18GHz)范围波段衰减低于-10dB,峰值超过-20dB,且在可见光区透光率达到68%.     

柔性透明导电薄膜的制备及其发展前景

随着电子器件向小型化和轻便化方向发展,柔性衬底的透明导电薄膜将成为硬质衬底透明导电薄膜的更新换代产品,因此其研究备受关注.综述了柔性透明导电膜的主要制备技术及其优缺点,阐述了当前该领域的最新研究成果及应用,并讨论了工业应用对柔性透明导电膜的性能要求及其未来发展趋势.     

有机-无机透明导电薄膜的研究进展

透明导电膜是一种重要的光电材料,应用广泛.以传统的无机氧化物和导电高分子材料制备的导电薄膜虽然电学性能优良,但综合性能不甚理想.通过有机-无机杂化的透明导电薄膜能够借助各组成材料特性的互补作用使复合材料具有出色的综合性能.介绍了透明导电薄膜的种类、用途和特性,综述了有机-无机杂化导电材料在块体材料和透明导电薄膜方面的应用,并展望了其发展前景.     

基片温度对直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积的ITO膜性能的影响

使用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积了ＩＴＯ透明导电膜。通过膜的霍尔系数测量及ＸＲＤ、ＳＥＭ分析，详细研究了沉积时的基片温度对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明：基片温度影响膜的载流子浓度，霍尔迁移率以及膜的结晶程度。当基片温度为１５００Ｃ附近时所沉积的膜具有较高的载流子浓度和迁移率，因而电阻率最低，而且结晶良好，具有高的透光率。试验中还研究了加热退火对膜性能的影响。结果表明：后处理（加热退火）的效果与成膜时的基片温度有密切关系。在低基片温度下沉积的膜经过后处理其透光率得到较大改善但电阻率有所上升，在高基片温度下沉积的膜经过后处理其导电和透光性能都变差。存在一个适中的基片温度区，在该温度下采用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法可以不必进行后处理，直接沉积出性能良好的ＩＴＯ透明导电膜。     

高阻隔透明陶瓷膜蒸镀技术

对高阻隔透明陶瓷膜的发展概况及应用进行了综述,介绍了陶瓷膜的真空蒸镀技术、PECVD蒸镀技术的原理、特点和应用,并对陶瓷膜蒸镀技术的发展趋势进行了展望.     

ITO透明导电薄膜XPS深度剖面分析

介绍了镀制SiO2的ITO透明导电薄膜的性能特点,描述了用X射线光电谱仪对典型产品深度剖面的分析过程,给出了实验结果.     

退火对ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜性能的影响

室温下利用磁控溅射制备了ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜,采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、霍尔效应测量仪和紫外-可见分光光度计研究了薄膜的结构、形貌、电学及光学等性能与退火温度之间的关系。结果表明:退火前后薄膜均具有ZnO(002)择优取向,随着退火温度的升高,薄膜的晶化程度、晶粒粒径及粗糙度增加,薄膜电阻率先降低后升高,光学透过率和禁带宽度先升高后降低。150℃下真空退火的ZnO/Cu/ZnO薄膜的性能最佳,最高可见光透光率为90.5%,电阻率为1.28×10-4Ω·cm,载流子浓度为4.10×1021cm-3。     

磁控溅射低温沉积ITO薄膜及其光电特性研究

采用直流反应磁控溅射法低温沉积ITO薄膜,用XRD、SEM和UV—Vis分别表征ITO薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱,研究了氧分压、溅射功率及薄膜厚度等工艺参数对薄膜光电性能的影响,结果表明,氧分压过大时,ITO薄膜中有大量的位错和缺陷,使薄膜的电阻率变大,导电性变差;氧分压过小时,薄膜中将有大量氧空位产生,导致晶格变形,使电阻率增加。随着溅射功率增大,在相同时间内薄膜厚度增加,方块电阻减小,薄膜电阻率降低。随着薄膜厚度增加,制备的薄膜晶体结构相对完整,载流子浓度和迁移率逐渐增大,薄膜电阻率变小,进而对样品的光电性能产生明显影响。