激光器市场的回顾与展望(2)二极管激光器

正如"激光器市场的回顾与展望(1)非二极管激光器"中描述的那样,2001年此时有关方面曾预计全球二极管激光器市场会增长36%,而实际上该市场缩减了36%,其实际销售额为36.6亿美元.     

激光器市场的回顾与展望（1）

今年的激光器市场将呈现可喜的变化,高订货率使之仍将保待两位数字的增长率。本篇回顾与展望将分两个部分对激光器市场进行详尽的分析,本部分主要针对非二极管激光器市场,而下一部分将以二极管激光器市场为论述中心。     

激光器市场动态

2000年激光器市场空前繁荣,主要由于二极管激光器即半导体二极管激光器在光通信应用市场的增长,光通信激光器约占整个激光器市场的58％。据统计,2000年全球的激光器市场年收入约为88亿美元,其中二极管激光器为66亿美元,非二极管激光器为22亿美元。     

世界激光器市场发展顺利

尽管１９９８年世界受到经济动荡的困扰，但是激光和光电子市场却发展顺利。当年世界激光器市场销售达到３８亿美元，比上年增长１９％，预计１９９９年将进一步达到４６亿美元，连年以年增长２０％的速率顺利发展。１９９８年非Ｍ极管激光器销售了１７亿美元，占全部激光器的４５％；二极管激光器销售却达２１亿美元，占５５％。预计，１９９９年非二极管激光器销售只能达到１９亿美元，仅比上年增长９％；占全部激光器的４１％；而二极管激光器的销售却将增长２８％，达到２８亿美元，占整个市场份额的５９％。这是由于激光器市场受到通信…     

二极管激光器的应用特性和市场分配

二极管激光器也称半导体激光器，对各类应用是一种起动性技术。二极管激光器的首项重要应用始于80年代CD唱机的出现。此后，这种器件的应用扩展到其它许多部门，包括CD－ROM驱动器、激光打印机、可重写光存储驱动器、条码扫描器、数字打印机和光纤通讯等。由于二极管激光器与迅速增长的终端用户设备，特别是与计算机和通讯有关的设备紧密结合，其市场迅速扩大。二极管激光器的世界市场1996年为16．2亿美元，1997年预计增长18．5％达19．2亿美元，因此二极管激光器是世界激光器经营中的最大部门。其市场可按波长、功率、应用细分，但实际…     

二极管激光器市场增速趋缓

二极管激光器市场在经过几年的不景气后，于2003年第1次开始出现上升态势，虽然2004年仍继续攀升，但上升的幅度却不够理想，仅有4％的增长，销售额为32亿美元。2004年，通信激光器市场首次出现自2000年以来的上升局面，而日元对美元汇率也有7％的上涨，这对激光器销售额(按美元计算)的增长是有利因素(因为占2004年二极管激光器市场份额58％的光存储激光器是由日本生产和销售)。虽然2004年光存储激光器市场的销量有所增长，但销售额仍与2003年持平。销售额没有增长的主要原因是整个光存储用二极管激光器的售价大幅下降。     

1996—1997半导体激光器市场

１９９６年世界各类激光器市场销售２８亿美元，其中二极管激光器销售额已超过非二极管激光器达１６亿美元，占５７％。１９９７年预期总销售总额为３３亿美元，增长１８％，其中二极管半导体激光器为１９亿美元，占总额的６３％，增长１９％。     

2006年激光器市场分析

二极管激光器市场在经过2年由快速增长变为适度增长之后,2005年的销售额达到了32.3亿美元,与2004年32亿美元的销售额基本持平,但仍占整个商品激光器销售总额的59%(参见图1).虽然二极管激光器在几个应用领域都出现了销售额增长的局面,如通信和各种大功率激光器的应用,但光存储用二极管激光器的年销售额却有所下降,这部分市场占二极管激光器市场份额的54%.     

二极管激光器市场持续升温

二极管激光器是1963年问世的,然而它形成市场规模却是在八十年代初首次在激光音盘播放机应用之后。自此,二极管激光器的应用逐渐扩展到包括CD-ROM驱动器、激光打印机、可再写光存驱动器、条形码扫描器、数字印刷出版和光纤通信,等等。 1996年世界二极管激光器销售了1.86亿支,计16.2亿美元。预计1997年将售出二极管激光器2.19亿支,19.2亿美元,分别增长17.6％和18.5％。二极管激光器销售值比其     

全球通信二极管激光器市场

在2000年的光通信市场泡沫之后,2001年全球光通信市场开始下降,并延续到2002年。在2002年,全球光通信设备市场的继续下降导致了通信用二极管激光器市场下降,并使全球二极管激光器市场到达自1999年以来的最低点。与2001年相比,全球二极管激光器市场下降了16%,为24亿美元。其中,光通信用二极管激光器市场下降了73%,但光存储用二极管激光器市场却增长达82%,为14亿美元。这种通信用激光器市场连续萎缩与光存储用激光器市场迅速增长,导致了多年未遇、惊人的市场转变:目前光存储激光器占全球二极管激光器市场的最大份额。在最近几年里,通信用激光…     

Careers: Survivor: The Office

Each of us must contend with office politics, because human beings are political animals, and we form alliances, negotiate deals, demand tribute, and wreak revenge. This paper discusses short list of political do's and don'ts.     

The electronic and magnetic properties of wurtzite Mn∶CdS,Cr∶CdS and Mn∶Cr∶CdS∶ first principles calculations

In this article, density functional theory (DFT) based on generalized gradient approximation (GGA) and GGA+U, U is Hubbard term, is used to study the electronic properties of CdS doped with different dopants (Cr, Mn). The calculations are carried out for Mn-doped CdS, Cr-doped CdS, and co-doping of Mn/Cr in CdS simultaneously. It is found that hopping of electrons is possible with Cr:CdS and Mn:Cr:CdS while Mn:CdS does not allow the hopping of electrons. Moreover, double exchange interactions are observed in Cr:CdS and d-d super-exchange interactions are observed in Mn:CdS. Now the problem becomes interesting when one magnetic ion (Cr) supporting double exchange interactions and another ion (Mn) supporting d-d super-exchange interactions are doped simultaneously in the same system (CdS). The co-doped CdS is more stable even at high Curie temperature due to p-d double exchange interactions and d-d super exchange interactions. Furthermore, the Cr-3d and Mn-3d states present in-between the band gap are responsible for inner shell transitions and hence for optical properties. Therefore, the co-doped system is taken into account to enhance its applications in the field of spintronic and magneto-optical devices.     

SCTS:: scanning capacitance transient spectroscopy

A new working mode of scanning capacitance microscopy (SCM) is presented, extending the possibilities of the measurement from lock-in amplitude mapping to recording of capacitance transients arising as response of abrupt bias changes. Effect of Au doping in Si on SCM and scanning capacitance transient spectroscopy (SCTS) was observed. The decay time of capacitance transient, measured locally on slightly doped region shows good agreement with the conventional DLTS results.