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智能剥离工艺的热动力学模型 总被引:1,自引:1,他引:0
提出了注氢硅片表面借助键合氧化硅片进行剥离的热动力学模型,这种剥离现象是退火过程中氢离子注入区氢气泡横向增长的结果,氢气泡的增长速率依赖于氢复合体分解和氢分子扩散所需的激活能,氢气泡的半径是退火时间,退火温度和注氢剂量的函数,氢气泡的临地径可根据Griffith能量平衡条件来获得,根据氢气泡增长的这一临界条件,获得了不同劈裂温度所需要的剥离时间。 相似文献
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SiGe外延层中硼注入和退火 总被引:1,自引:0,他引:1
对采用快速加热、超低压-化学汽相沉积(RTP/VLP-VCD)技术生长的Si0.8Ge0.2/Si应变外延层进行硼注入,注入能量为40keV,注入剂量为2.5×10^14cm^-2。然后,进行不同时间、不同温度的快热退为(RTA)稳态炉退火。结果表明,RTA优于稳态炉退火,其最佳条件下:退火时间为10s,退火温度范围为750℃-850℃,或者退火温度为700℃,时间为40s,基本可消除由注入引起的 相似文献
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提出了注氢硅片表面借助键合氧化硅片进行剥离的热动力学模型,这种剥离现象是退火过程中氢离子注入区氢气泡横向增长的结果.氢气泡的增长速率依赖于氢复合体分解和氢分子扩散所需的激活能,氢气泡的半径是退火时间、退火温度和注氢剂量的函数.氢气泡的临界半径可根据Griffith能量平衡条件来获得.根据氢气泡增长的这一临界条件,获得了不同劈裂温度时所需的剥离时间. 相似文献
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提出了注氢硅片表面借助键合氧化硅片进行剥离的热动力学模型 ,这种剥离现象是退火过程中氢离子注入区氢气泡横向增长的结果 .氢气泡的增长速率依赖于氢复合体分解和氢分子扩散所需的激活能 ,氢气泡的半径是退火时间、退火温度和注氢剂量的函数 .氢气泡的临界半径可根据 Griffith能量平衡条件来获得 .根据氢气泡增长的这一临界条件 ,获得了不同劈裂温度时所需的剥离时间 相似文献
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描述了用直拉单晶(CZ)硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命,以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的.通过一系列的实验对铂扩散二极管的特性进行研究,分析了铂扩散二极管的反向恢复时间TRR、正向压降VF以及漏电流IR等参数之间的关系,并分析了反向恢复时间TRR的温度特性.得到TRR与VF之间的理想折衷:TRR为80~500 ns,VF控制在0.9~1.3 V.不但使TRR与VF的折衷有了较大的改善,而且在材料上采用了成本较低的直拉单晶硅片代替成本较高的外延片.分析了铂扩散温度和时间对反向恢复时间TRR和正向压降VF的影响,理论上解释了各主要参数之间相互影响的原因. 相似文献
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借助SIMS、AES、RBS和TEM对Be注入InSb的快速热退火特性进行了深入的研究.Be注入能量为100keV,注人剂量为5×1014cm-2.快速热退火温度范围为300—500℃,退火时间为30—60秒.结果表明,快速退火后,Be注入分布剖面的内侧不存在再分布,但峰值浓度有不同程度的降低,表面存在Be的外扩散.350℃退火,Be注入InSb的晶体损伤基本消除,InSb表层不存在化学配比的偏离.退火温度超过350℃,InSb表层发生热分解,产生Sb的耗尽,形成由In、Sb及其氧化物组成的复杂结构. 相似文献
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硅片直接键合机理及快速热键合工艺 总被引:4,自引:0,他引:4
本文的理论与实验结果说明,硅片表面吸附的OH团是室温下硅片相互吸引的主要根源。采用SIMS和红外透射谱定量测量了OH吸附量。开发了表面活化技术。发现键合强度随温度而增大是键合面积增加所致。SiO_2/SiO_2键合之界面中各种物质的扩散及氧化层粘滞流动可以消除界面微观间隙。经表面活化的两硅片经室温贴合,150℃预键合,800℃,2小时退火后经1200℃,2分钟快速热键合可实现完善的键合且原有杂质分布改变很小,为减薄工艺提供了一个技术基础。 相似文献
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研究了激光冲击AZ31镁合金在不同退火条件下的力学性能及其断口形貌。结果表明:随着退火温度及退火时间的增长,合金的硬度逐渐降低;在相同的退火时间(30 min)条件下,抗拉强度及延伸率在200℃~350℃温度区间内,随着温度的升高逐渐增加,在400℃退火后迅速降低;在相同的退火温度(350℃)条件下,随着时间的延长抗拉强度逐步降低,伸长率先略有增加然后降低;最佳的退火温度及时间为350℃和30 min,抗拉强度和断裂伸长率分别达到342 MPa及18%。不同的退火工艺对激光冲击后合金的断口形貌有明显影响,在350℃和30 min退火后断口呈现明显的韧性特征。 相似文献
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通过x-射线截面分布图、腐蚀技术以及透射电子显微镜来研究控制氧化堆垛层错的产生问题。微缺陷是在1000℃~1100℃范围内在氮气中退火的硅体内产生的,并且它们的产生只限制在硅片内部。这些微缺陷在以后的氧化过程中生长得很快。生长的微缺陷对硅体内部的堆垛层错产生了影响。相反,表面的氧化堆垛层错不是由以后的氧化所引进的,因为通过预退火在表面层中没有微缺陷产生。用若干样品证实了氮气中预退火对氧化堆垛层错的产生有控制作用。 相似文献
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