一种用于负LDO稳压器的高精度带隙基准源

介绍了一种高精度带隙基准电路结构。采用二阶曲率补偿技术,通过增加一正温度系数项,补偿电路中Vbe(T)展开的负温度系数对数项,改善了基准电压源的温度稳定性。应用该基准电路,设计了一个负输出低压差(LDO)线性稳压器,用高压BIPIC工艺进行流片。测试结果显示,该负LDO线性稳压器的温度系数为85 ppm/℃,线性调整率≤0.02%/V,负载调整率≤0.2%。     

一款采用超前相位补偿技术的低压差线性稳压器

设计了一种具有高稳定性、能够驱动较大负载电流的低压差线性稳压器(LDO)电路,输入电压为3.0~6.0 V,输出电压为2.8 V。采用超前相位补偿技术,产生一组零极点对,零点补偿前面环路中的极点,使得LDO电路具有稳定的环路结构,得到稳定的输出电压。基于CSMC 0.25μm EN BCDMOS工艺完成电路和版图的设计。电路仿真结果表明电路的负载调整率为0.03%/A,线性调整率为0.13%/V,最大驱动的负载电流为10 mA。在不同负载条件下,LDO环路的最差相位裕度能够达到64.1°。     

一种低静态电流瞬态增强的无电容型LDO设计

基于推挽式结构能提高运算放大器压摆率的特性,设计了一款静态电流低、内含推挽式AB类放大器的无电容型低压差线性稳压器(LDO)。通过优化,改善了LDO的瞬态响应性能,与传统的LDO相比,所提出的无电容型LDO的静态电流明显减小。采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺模型,利用Cadence工具对电路进行仿真验证。仿真结果表明,当输入电压为1.4~4 V时,优化后LDO的输出电压为1.2 V,静态电流为5.2 μA,最大负载电流达到100 mA,线性调整率为0.016%,负载调整率为0.67%,下过冲为157 mV,上过冲为121 mV,建立时间为1.5 μs。优化后电路瞬态响应性能改善了约50%,版图面积约为0.017 mm²。     

一种具有过温与过流保护功能的LDO

为了防止功率管的功耗过大导致芯片受损,采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种具有过温与过流保护功能的低压差线性稳压器。仿真结果表明,LDO电路具有良好的线性调整率和负载调整率,过温、过流保护电路能够实现对电路的保护。在过热、过流或负载短路的情况下,降低系统的功耗,且当故障排除后,可自动恢复工作。在2～3.6 V的输入电压范围内,电路的稳定输出电压为1.8 V,电源调整率不超过0.194‰,负载调整率不超过1.1‰。     

基于LDO新型过流保护电路设计

采用一种用于低压差线性稳压器(LDO)的过流保护设计方案来设计电路,通过"屏蔽电路"屏蔽过流信号,使得LDO不因为过流信号的干扰而中断。在屏蔽期间可以根据电流大小及时调整是否关断功率管,保证了功率管的安全性。使得新型过流保护电路可以更为高效安全的运行。     

0.13μm BiCMOS低压差线性稳压器

设计了一种0.13μm BiCMOS低压差线性稳压器(LDO),包括BiCMOS误差放大器、带软启动的BiCMOS带隙基准源、"套筒式"共源-共栅补偿电路等。为了改善线性瞬态响应性能,在BiCMOS误差放大器的前级设置了动态电流偏置电路。由于所设计的BiCMOS带隙基准源对温度的敏感性较小,故能为LDO提供高精度的基准电压。对所设计的LDO进行了工艺流片。流片测试结果表明,该LDO可提供60 mA的输出电流且最小压差只有100 mV。测试同时验证了所设计LDO的负载和瞬态响应都得到改善:负载调整率为0.054 mV/mA,线性调整率为0.014%,而芯片面积约为0.094 mm2,因此特别适用于高精度、便携式片上电源系统。     

利用动态密勒补偿电路解决LDO的稳定性问题

针对LDO稳压器的稳定性问题,设计了一种新颖的动态密勒补偿电路。与传统方法相比,该电路具有恒定的带宽,大大提高了系统的瞬态响应性能;同时将开环增益提高了30 dB左右,使LDO稳压器具有较高的电压调整率和负载调整率。通过具体投片,验证了该方法的正确性和可行性。     

一种适用于LDO的新型斜坡软启动电路

提出了一种新型的应用于低压差线性稳压器(LDO)的斜坡软启动电路,其采用两路斜坡使能信号以及一路斜坡基准信号,消除了电源上电时产生的浪涌电流。该斜坡软启动电路已应用于一款LDO中,并采用0.35 μm CMOS 工艺实现流片,其仅占LDO有效面积的8.3%,消耗电流仅600 nA。仿真以及测试结果显示,采用该软启动电路之后,LDO的上电浪涌电流得到有效抑制。LDO在最差情况下的线性调整率为2.7 mV/V,负载调整率为0.064 mV/mA。     

基于SOI CMOS工艺的LDO电路设计

设计了一种1.8～3.3 V的自偏置LDO电路,无需外加基准电路,且具有良好的负载调整率和工艺兼容性。该电路采用无需双极型晶体管的基准电路,并且在负载电压和负载电流之间采用电流倍增电路进行隔离,减小了负载电流瞬变造成低压差线性稳压器(LDO)输出电压的变化,提高了LDO的瞬态精度。在关键器件部分采用匹配结构,以减小工艺误差对电路性能造成的影响。基于0.18μm SOI CMOS工艺,用Hspice软件进行电路仿真,用Cadence软件进行版图验证。仿真结果表明,MOS基准电路产生的基准电压温漂为5.6×10-5,LDO的最大负载电流为100 mA,负载电流瞬变的响应时间小于1.5μs,负载调整率为0.3%,整体电路的静态电流为88μA,芯片尺寸为650μm×1 200μm。     

一种低静态电流、高稳定性的LDO线性稳压器

该文提出了一种低静态电流、高稳定性低压差(LDO)线性稳压器。LDO中的电流偏置电路产生30nA的低温度漂移偏置电流,可使LDO的静态工作电流降低到4A。另外,通过设计一种新型的动态Miller频率补偿结构使得电路的稳定性与输出电流无关,达到了高稳定性的设计要求。芯片设计基于CSMC公司的0.5m CMOS混合信号模型,并通过了流片验证。测试结果表明,该稳压器的线性调整和负载调整的典型值分别为2mV和14mV;输出的最大电流为300mA;其输出压差在150mA输出电流,3.3V输出电压下为170mV;输出噪声在频率从22Hz到80kHz间为150VRMS。     

RPR的网络保护及其与SDH保护方式的互通

RPR是由顺时针、逆时针两个传输方向光环组成的,这种组网方式赋予RPR的健壮性。RPR的保护倒换机制主要有两种:采用定向保护机制和采用回绕保护机制。首先概述了RPR网络保护协议,然后分析了RPR的保护倒换机制及RPR的网络保护与SDH保护方式的互通。     

全光传送网的生存性技术

互联网和其他通信网络的爆发性成长,导致对更大带宽、更高生存性业务的需求急剧增长。在网络故障的情况下,为了使光通路的数据丢失最小化,我们可以使用不同的保护和恢复方案。好的保护方案可以使网络业务更快地从故障中恢复过来,满足光网络对故障恢复时间的苛刻要求(毫秒级)。本文主要讨论光通路的保护方案。     

计算机程序的软件版权保护与专利保护分析

随着现代科学技术的不断发展,计算机软件的发展非常迅速。在计算机软件保护中,其保护形式多种多样,最为常见的保护方法为版权保护法与专利保护法。本文首先对计算机程序的软件版权保护和专利保护方法的优缺点进行分析,并对其之间的区别及选择进行探讨。     

压敏电阻后备保护技术

本就目前所存在的各种压敏电阻后备保护技术进行分析论述。     

弹性分组环的两种保护方式研究

弹性分组环(RPR)是由顺时针、逆时针两个传输方向的光环组成的．其保护倒换机制主要有两种：采用源路由保护机制和采用回绕保护机制．文章将分析RPR的保护倒换机制．     

MEN中以太网业务的保护机制与运用

文章从对传统数据网络的保护机制和传送网的线路保护机制的分析入手,系统地描述了城域以太网(MEN)中以太网业务的保护机制,特别是对其保护参考模型和4类基本的保护机制进行了较详细的描述,并通过MEN保护机制的典型运用方案,结合分层网络的层间互操作关系,对层间的保护关系进行了综合分析.     

WDM网状网的生存性问题研究

研究出一种最优的WDM光网络生存策略，是未来全光网络组网的重要方面之一。定性地介绍了几种WDM网状网的保护恢复方案。采用预规划方法，详细分析了专用和共享通道保护方法以及各种链路生存性策略。     

一种负荷阈值可配置的电源保护装置的设计

介绍了一种基于工业以太网、MC9S12DT128的负荷阈值可配置电源保护装置的软、硬件设计方案。该方案采用TI公司的高侧测量电流并联监视器INA168采集电流信息,信号经调理后,与DAC8554输出的电压进行比较,通过比较结果控制电流回路通断。DAC8554输出电压可配置,过流锁定后可程控接触锁定。装置可配置且便于操作,可广泛应用于电子产品的测试系统中。     

光通道路由保护技术在工程中的应用探讨

结合工程实践经验，对目前WDM系统光层线性保护方式技术作了简单介绍，并针对光通道路由保护方式技术在工程中的应用方式进行了探讨。     

Research and design of the protection circuits in LD controller

1 Introduction Nowadays, semiconductor LD has been widely used in the fields of communication, military, medicine and so on. LDs have become the main stream of semiconductor lasers. LDs have high power density and sky high quantum efficiency. Even weak dr…