InGaAs/InP微波双极型晶体管的研制

本文叙述双收集区NpnN型InGaAs/InP异质结双极型晶体管的实验结果.给出器件的击穿特性、开关特性.高频特性和温度特性.理论分析和实验结果表明,n型InGaAs第一收集区的厚度对晶体管的击穿特性和开关特性有重要影响.器件的击穿电压BV_(CE0)=20伏,贮存时间t_s=0.5ns(Ic=50mA,I_(B1)=10mA,回抽电流I_(B2)=0),f_T=1.2GHz(V_(CE)=6V,Ic=15mA).在77～433K范围内h_(fe)变化很小,在4K下h_(fe)≌1,并表现出强烈的俄立(Early)效应.     

InP/InGaAs异质结双极晶体管研究

阐述了ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ异质结双极晶体管的最新发展动态,重点讨论了ＨＢＴ的结构与性能以及ＨＢＴＩＣ的高速性能与可靠性问题     

富士通研制成第二代量子效应晶体管

日本富士通公司制成具有逻辑、记忆功能的第二代量子效应晶体管──ME-RHET。RHET1985由该公司开发的量子效应器件。ME－RHET是把RHET的发射极作成多个发射极，可省去基极。基极电流的取出是通过其中一个加反偏置的发射极来完成的。在发射极上若没有反向偏置，电流不会向收集极流动。总之，晶体管本身具有逻辑功能。另外，由于省去基极，与以前前RHET相比，制作工艺可大大简化。现该公司采用具有三个发射极的ME－RHET和一个电阻已制成3个输入的重合电路（AND／NOR电路）。这种电路，以前要用18个晶体管和电阻，器件减少1／9…     

高增益InGaAlAs/InGaAs异质结双极晶体管和光电晶体管

<正>以InP为衬底的异质结双极晶体管(HBT),因具有优良的高频特性,且适用于1.3～1.55μm范围的光电集成电路应用而受到人们青睐。过去研制的以InP为衬底的HBT是用In_(0.52)Al_(0.48)As作发射极,In_(0.53)Ga_(0.47)As作基极。《IEEE EDL》1991年12期报道了美国AT&T Bell实验室用四元InGaAlAs(E_9～1.1er)代替InAlAs作发射极材料,在温度485～515℃时进行分子束外延生长制造HBT的信息,器件分层结构如下图。     

InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究

介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面的研究.采用发射极-基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT器件,发射极尺寸为1.5μm×10μm的器件小电流直流增益β约25,集电极-发射极击穿电压BVCEO≥10V,截止频率,ft和最高振荡频率,fmax分别为50和55GHz;     

InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究

介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面的研究.采用发射极-基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT器件,发射极尺寸为1.5μm×10μm的器件小电流直流增益β约25,集电极-发射极击穿电压BVCEO≥10V,截止频率,ft和最高振荡频率,fmax分别为50和55GHz;     

GaInP／CaAs／CaInP双异质结双极晶体管在室温下的谐振隧道效应研究

ＧａＩｎＰ／ＣａＡｓ／ＣａＩｎＰ双异质结双极晶体管在室温下的谐振隧道效应研究＝ＯｂｓｅｒｖａｔｉｏｎｏｆｒｅｓｏｎａｎｔｔｕｎｎｅｌｉｎｇａｔｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｉｎＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ／ＧａＩｎＰｄｏｕｂｌｅ－ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ...     

InP／InGaAs异质结双极晶体管研究

阐述了ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ异质结双极晶体管的最新发展动态，重点讨论了ＨＢＴ的结构与性能以及ＨＢＴ ＩＣ的高速性能与可靠性问题。     

162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管

报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流Ic=34.2mA的条件下,发射极面积为0.8μm×12μm的InP HBT截止频率fT为162GHz,最大振荡频率fmax为52GHz,最大直流增益为120,偏移电压为0.10V,击穿电压BVCEO达到3.8V(Ic=0.1μA).这种器件非常适合在高速低功耗方面的应用,例如OEIC接收机以及模拟数字转换器.     

高击穿电压的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管

利用台面工艺以及平坦化技术制作了带有复合式集电区的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管。所有的工艺都是在3英寸圆片上进行的。发射极面积为1μm15μm的器件,电流增益截止频率为170GHz,最高振荡频率为256GHz,击穿电压为8.3V,这是国内报道的击穿电压最高的InP HBT器件。高的振荡频率以及击穿电压,使得此种类型的器件十分适用于W波段及以上频段压控振荡器（VCO）以及混频器（Mixer）的制作。     

Bi-CMOS双极型晶体管的研制

本文论述了在常规CMOS工艺下制作Bi-CMOS双极型晶体管的设计方法及制造工艺.首先通过对Bi-CMOS双极型晶体管版图结构的分析,探讨了工作机理,阐明了采用标准CMOS工艺制作高性能Bi-CMOS双极型晶体管的设计方法.然后,建立了分析计算晶体管直流特性的数学模型,并分析计算了工艺参数、器件结构对器件性能的影响,给出了CMOS工艺全兼容的Bi-CMOS双极型npn晶体管的最佳设计方案.采用常规p阱CMOS工艺进行了投片试制.测试结果表明,器件性能达到了设计指标;器件的电流增益在200以上,与理论计算完全一致.     

截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管

研制成功了一种无微空气桥的亚微米InP基异质结双极晶体管（HBT) . 发展了小于100nm的发射极侧向腐蚀工艺,实现了亚微米的InP基HBT. 发射极宽度的减小有效提高了频率特性,发射极面积为0.8μm×15μm的HBT的电流增益截止频率达到了238GHz. 发展了基极-集电极的侧向过腐蚀工艺,有效减小了结面积,提高了最大振荡频率. Kirk电流密度达到了3.1mA/μm2. 据我们所知,电流增益截止频率是目前国内三端器件中最高的,Kirk电流密度是国内报道的HBT中最高的. 这对于HBT器件在超高速电路中的应用具有十分重要的意义.     

截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管

研制成功了一种无微空气桥的亚微米InP基异质结双极晶体管(HBT).发展了小于100nm的发射极侧向腐蚀工艺,实现了亚微米的InP基HBT.发射极宽度的减小有效提高了频率特性,发射极面积为0.8μm×15μm的HBT的电流增益截止频率达到了238GHz.发展了基极-集电极的侧向过腐蚀工艺,有效减小了结面积,提高了最大振荡频率.Kirk电流密度达到了3.1mA/μm2.据我们所知,电流增益截止频率是目前国内三端器件中最高的,Kirk电流密度是国内报道的HBT中最高的.这对于HBT器件在超高速电路中的应用具有十分重要的意义.     

高频4H-SiC双极晶体管的研制

研制出国内第一个高频4H-SiC双极晶体管.该器件采用了双台面结构和叉指结构,室温下的最大直流电流增益(β)为3.25,集电结击穿电压BVCBO达200 V.器件的β随温度的升高而降低,具有负的温度系数,这种特性使该器件容易并联,避免出现热失控现象.器件的高频特性由矢量网络分析仪测量得到,截止频率.fT为360 MHz、最高振荡频率fmax为160 MHz.     

双基区条准平面型InAlAs/InGaAs异质结双极型晶体管

本文提出和制作了双基区条准平面InAIAs/InGaAs HBT.准平面和低基区电阻是该设计的主要特点.文中介绍了制管工艺.直流特性的测量表明,器件的共发射极增益h_(fe)为50左右.     

SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管热稳定性的影响

报道了热应力下InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)的可靠性。对钝化与未钝化器件进行了应力温度为250℃、应力时间达到1 000h的存储加速寿命试验。从Gummel曲线可以发现,未钝化器件的电流增益在48h应力时间时降低了18.3%,而钝化器件在1 000h应力时间时仅下降了1.6%,说明基于SiN介质薄膜的表面钝化工艺有效提高了InP HBT的可靠性,这对于InP基器件和电路的实际应用具有重要意义。     

谐振隧道热电子晶体管(RHET)

<正> 日本富士通公司采用超晶格技术研制成谐振隧道热电子晶体管(Resonant Tunneling Hot Electron Transistor)。谐振隧道热电子晶体管是根据AlGaAs和GaAs超晶格构成的量子阱能起热电子晶体管发射极势垒效应的特点而制成的。这种晶体管是由分子束外延技术制成,由18层50     

高速非自对准GaInP/GaAs隧道发射双极晶体管

<正>由于Ⅲ—Ⅴ族材料异质结双极晶体管在开关速度和高电流驱动能力方面的优良特性,使它在数字、模拟以及功率等方面均有广阔的应用前途。迄今为止,最常用的仍是AlGaAs/GaAs结构。 《Electronics Letters》1992年第3期报道了德国西门子研究实验室采用的在发射极与基极之     

宽温超高频双极静电感应晶体管研制

描述了宽温超高频ｐｎｐ双极静电感应晶体管的结构、工作原理、设计与制造。测试结果表明,环境温度从２３℃升到１８０℃时,器件的ｈＦＥ随温度平均变化率小于４０％,优于同类型的常规双极结型晶体管,平均改善３０％。     

S-band low noise amplifier using 1μm InGaAs/InAIAs/InP pHEMT

This paper discusses the design ofa wideband low noise amplifier (LNA) in which specific architecture decisions were made in consideration of system-on-chip implementation for radio-astronomy applicati...