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SIMS对氘靶钛膜中氘的分布研究 总被引:3,自引:3,他引:0
用负的SIMS分析技术进行H同位素相对含量Ti膜深度变化的分析,获得了氘随膜深度变化的分布曲线。在接近膜表面的一个深度范围内,除有明显的O^-、CO^-和很微弱的OH^-,OD^-及CHO^-峰谱外,还有很大的D^-二次离子质谱峰,氘的丰度估计约为98%。在靶膜内部,氘的丰度达99%以上。 相似文献
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对Al/Zr V/Mo多层膜的吸氘性能进行了实验研究。铝膜仅在320 ℃有单一的除气峰,Zr V膜的除气峰有2个,分别为220和350 ℃。当铝层平均厚度小于 0 6μm时,Al/Zr V多层膜的除气峰类似于Zr V膜;大于0 6μm时,类似于铝膜。多层膜的吸氘量随铝膜的厚度增加逐步减小,直至铝膜的平均厚度为0 7μm后,吸氘量不再有大的变化,但有小幅波动。由于 Al膜在除气中有不同程度的破坏,当铝膜平均厚度小于0 6μm时,多层膜的吸氘速率变化行为类似于 Zr V膜;当铝膜厚度大于 0 6μm时,多层膜的吸氘速率受铝膜厚度的影响不大。 相似文献
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氦对不饱和氘化铀吸氘行为的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了不同含氦量的混合气体、吸氘初始压力以及不同组成的不饱和氘化铀对铀吸氘行为的影响。结果表明,氦含量的增加会显著减少铀的吸氘量,降低铀的吸氘速率;增加混合气体的初始压力有利于铀吸氘速率的增加,氘化铀的初始氘量不影响铀的吸氘速率。 相似文献
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氘化钛中氘扩散和表面复合行为研究 总被引:4,自引:4,他引:0
用核反应分析(NRA)、前向反冲分析法(ERD)、背散射谱法(RBS)等离子束分析方法研究了TiDx/Mo样品中氘的行为。结果表明,在以化学形式存在的TiDx/Mo样品中氘均匀分布。在TiD1.5/Mo膜表面存在一层26nm的氧化层,氧含量为1.4×1017cm-2。达到氘化钛大量明显分解温度(343℃)时,氘在氘化钛中扩散系数为2.3×10-8cm2/s,表面复合系数为1.9×10-27cm4/s。扩散系数与温度呈指数关系D=D0e-E/kT。随着表面氧含量的增加,氘在氘化钛表面复合系数逐渐减小。在TiD1.5/Mo样品表面镀上一层约80nm的铜膜后,复合系数增大。 相似文献
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《Journal of Nuclear Science and Technology》2013,50(6):617-619
An analytical approximation of the Doppler broadening function ψ(ξ,x) is proposed. This approximation is based on the solution of the differential equation for ψ(ξ,x) using the methods of Frobenius and parameters variation. The analytical form derived for ψ(ξ,x) in terms of elementary functions is very simple and precise. It can be useful for applications related to the treatment of nuclear resonances, mainly for calculations of multigroup parameters and resonances self-protection factors, the latter being used to correct microscopic cross section measurements by the activation technique. 相似文献
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采用磁悬浮感应熔炼法制备了1组V100-xNix(x=0.5,1.0,2.0,4.1,8.3)合金。XRD和ICP-AES分析表明,所制备的合金均为bcc结构的固溶体,物相单一、成分均匀。在室温和1.0MPa氘气压力下的合金吸氘性能测试结果表明:掺杂改性后的金属V活性明显改善,第1次活化均能快速大量吸氘,其中,x=8.3的合金第1次吸氘即可完全活化,其余合金仅需1次吸放氘循环即已完全活化。Ni含量从0.5%(原子百分数,余同)增加到1.0%时,首次吸氘和完全活化后饱和吸氘量逐步提高;当Ni含量超过4.1%时,饱和吸氘量明显下降,仅为理论值的50%左右;x=1.0的合金活化性能最为优良,首次活化可达到理论吸氘量的96.6%,完全活化后,吸氘速率和饱和吸氘量均高于其它样品。对活化除气后的样品进行结构分析观测到,x=8.3的金属经多次吸放氘循环和高温处理后物相发生变化,影响吸氘性能。 相似文献