纳米二氧化钛薄膜的制备及光致发光研究

采用溶胶-凝胶法制备纳米二氧化钛(TiO2)薄膜,扫描电镜观察薄膜比较均匀,成膜性好,通过X射线电子能谱(EDS)分析了薄膜成分.X射线衍射(XRD)分析表明纳米TiO2薄膜呈现锐钛矿和金红石晶型.光致发光(PL)谱结果表明,荧光峰对应着不同的发光中心,且相对体相TiO2的理论值有明显的蓝移,有很好的荧光特性.     

电子束再结晶法制备的纳米硅薄膜室温光致发光特性

用电子束再结晶的方法对非晶硅氢材料进行快速退火,成功地制备出纳米硅薄膜,在室温下观察到光致红、蓝发光带,峰位约在１．７ｅＶ和２．５ｅＶ处,ＸＲＤ和ＰＬ谱结果表明：晶化程度的变化引起红、蓝光带强度及在整个发光谱中所占比例的改变,在我们的实验中,电子束能量密度２．７Ｗ／ｃｍ＾２的晶化样品具有强的发光带。     

新型光致发光纳米薄膜的研制

阐述了利用喷雾热解技术在硅片衬底上生长锰掺杂铝酸锌光致发光纳米薄膜的方法.该纳米薄膜制备方法简单、经济和环保.通过XRD分析测试结果表明,当三氯化铝在氢氧化锌中的含量高于20%,衬底温度高于100℃时,在衬底上会形成ZnAl2O4-ZnO纳米复合薄膜;该复合薄膜经0.1mol/L盐酸处理后,形成ZnAl2O4尖晶石矿纳米薄膜.研究了金属锰离子掺杂ZnAl2O4纳米薄膜的光致发光性能,荧光光谱实验结果表明,这种利用喷雾热解技术生长的掺锰ZnAl2O4尖晶石纳米薄膜,在525nm附近有一发光带,为Mn2 的4T1(4G)6A1(6S)跃迁.     

ZnAl2O4:Mn光致发光纳米薄膜的制备

利用喷雾热解技术,在硅片衬底上生长了锰掺杂ZnAl2O4光致发光纳米薄膜。XRD分析测试结果表明,当AlCl3在Zn（OH）2中的含量高于20％,衬底温度高于100℃时,在衬底上形成ZnAl2O4-Zno纳米复合薄膜;该复合薄膜经0．1mol／L盐酸处理后,形成ZnAl2O4尖晶石矿纳米薄膜。同时研究了金属锰离子掺杂ZnAl2O4纳米薄膜的光致发光性能,荧光光谱实验结果表明这种利用喷雾热解技术生长的掺锰ZnAl2O4尖晶石纳米薄膜,在525nm附近有一发光带,为Mn^2＋的^4T1（^4G）-^6A1（^6S）跃迁。     

SiC-SiO_2纳米复合薄膜的光致发光特性研究

利用射频 (RF) 共溅射的方法在n-Si(111)衬底上,以SiO_2为主靶,上面放置不同数量的Si片和石墨片,沉积出掺杂氧化物SiC复合薄膜,随后在不同温度下进行退火处理,并研究了其光致发光谱和光激发谱。不同C含量的样品在450nm和580nm附近均得到不同强度的发光峰,主要来自于Si、C注入后引起的基质成键变化而带来的氧空位缺陷和Si晶粒,对于C含量较高的样品在580nm处观察到黄光发射与C团簇有关。利用FTIR和XRD表征了复合膜的结构,UV—VIS分光光度计表征了复合膜的透射吸收特征。     

氧化锌纳米碟的制备及其光致发光

本文提出了一种制备ZnO纳米碟的简单方法-空气气氛条件下,在坩埚中直接蒸发Zn粉,通过控制Zn源的质量和蒸发温度,在硅(100)衬底上获得了直径为微米量级和厚度几百纳米的ZnO碟.XRD谱表明样品为纯相的纤锌矿结构ZnO,扫描电子显微镜(SEM)照片给出了样品的形貌,证明其尺寸与锌蒸发温度密切相关.室温光致发光谱中存在...     

射频磁控溅射制备掺Al的纳米Si-SiO2复合薄膜及其光致发光特性

采用射频磁控技术和退火处理制备掺Al的纳米Si-SiO2复合薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)表征了薄膜的结构,组分和成键情况.掺Al在SiO2中造成氧空位,使薄膜光致发光强度增强,并出现新的发光峰.退火温度对掺Al薄膜的光致发光的峰位和峰强有较大影响.     

氧化锡纳米带的制备和光致发光性能研究

采用常压热蒸发锡粉的方法制备出尺寸均匀、表面光滑致密的SnO2纳米带。通过高温退火处理,氧化锡纳米带从Sn304和SnO2的混合相转变为SnO2金红石相。深入研究了SnO2纳米结构的光致发光性能,结果显示,退火前SnO2纳米带在600nm附近有一较强的发光峰,在375nm有一弱发光峰;退火处理后,375nm处的PL峰消失,此现象可能是由于退火后纳米带中晶格缺陷减少而导致。     

氮化硅薄膜的光致发光机制

SiNx的结构和性能都会随x值发生显著变化,尤其是薄膜的发光性质.同时,在不同条件下制备的SiNx薄膜中都观察到了可见光致发光现象,研究者提出了相应的机制予以解释.总结了近十年来关于SiNx薄膜的光致发光研究进展,评述了其各种发光机制.     

含Eu络合物掺杂的PMMA光致发光薄膜的制备与表征

制备了稀土Eu3+与4-甲氧基二苯甲酰甲烷(4-methoxy-dibenzoylmethane,MDBM)、邻菲罗啉(Phenan-throline,Phen)的络合物Eu(MDBM)3(Phen)x,并通过IR、UV、FS(荧光光谱)对其进行了表征。将Eu(MDBM)3-(Phen)x掺杂到聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中,得到了光致发光PMMA薄膜。研究结果表明,该薄膜具有较好的光致发光性能,主要荧光激发峰位于380nm,主要荧光发射峰位于613nm,络合物Eu(MDBM)3(Phen)x掺杂量从0.8%增加到1.2%时,薄膜的荧光发射强度呈持续增强趋势,在613nm波长处发射强度增强了13倍。     

SrWO4薄膜的电化学制备及室温光致发光特性

在室温条件下,采用恒电流电化学方法直接在钨片基体上制备了白钨矿结构的SrWO4晶态薄膜。电化学反应的工艺参数为:电流密度为1mA/cm2、电解液的pH值为12.5、电化学处理时间为1.5h。采用XRD、SEM、XPS技术对制备的SrWO4薄膜进行了表征;首次测试了制备的SrWO4薄膜的室温光致发光光谱,结果表明SrWO4薄膜受到波长为325nm的激光激发后,在400nm附近有一较强的发射光谱,同时在450～580nm波段之间有一个宽的谱带。     

纳米氧化锌的制备及其光致发光性能研究

采用低温蒸发和气相输运方法,研制出ZnO的纳米棒－纳米钉、纳米钉类球状聚集体和具有钉状结构的纳米梳。利用透射电子显微镜和X射线衍射仪对其形貌与结构进行了表征,阐明了ZnO纳米结构的生长机理。用荧光光谱仪测量了退火前后纳米棒－纳米钉结构的光致发光谱,结果显示,在380nm处两者均存在近紫外峰,在500nm处出现绿色宽谱峰,而退火2h后近紫外发光峰窄而强,且发生了少许蓝移,此现象可归因于退火后的ZnO纳米结构具有较低的点缺陷浓度。     

ZnO薄膜的光致发光

ZnO薄膜是近年发展起来的发光材料,是当前研究的热门课题。关于ZnO薄膜光致发光近几年来有许多报道和新的发光峰发现。本文对在各种制备方法、制备条件和激发条件下得到的ZnO薄膜的光致发光谱和相应机理进行了综述。提出了关于需进一步研究的问题。     

氧化锡纳米结构的制备及光致发光性能

利用热蒸发法成功制备出了两种氧化锡纳米结构。利用X射线衍射法、拉曼光谱、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对两种纳米结构的晶格结构和表面形貌做了详细分析,结果表明所制纳米结构为金红石型氧化锡晶体结构,氧化锡纳米结构的形貌与实验中所用的源材料有着很大的关系。以氧化锡和碳粉的混合物为源,制备出的纳米线长且直,直径在50～200nm之间,以氧化亚锡和碳粉为源,制备出的纳米结构短且多弯折,直径在150nm左右。研究了所制氧化锡纳米材料的室温光致发光性能,发光峰位于590、630和677nm处。     

纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂

用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片（100）上制备Zn薄膜，然后对Zn薄膜进行氧化、热处理获得纳米ZnO薄膜，对在硅片上制备的Zn薄膜一次性进行高温掺杂，氧化获得纳米ZnO:P和ZnO：B薄膜，研究不同氧化、掺杂温度和时间对薄膜的结构、电学性能的影响。结果表明：氧化温度和时间对ZnO薄膜结构影响较大，液态源掺P可明显改善纳米ZnO薄膜的导电性能、结构特性和化学组分。     

纳米二氧化钛的光致发光

利用改进的溶胶－凝胶法制备了锐钛矿型二氧化钛的纳米粉末（４～１５ｎｍ）,测量了ＴｉＯ２的漫反射光谱（ＤＲＳ）和光致发光谱（ＰＬ）。结果表明,ＴｉＯ２纳米微粒的光学禁带宽度为３８４ｎｍ,在２５０～４００ｎｍ的紫外光范围内有强吸收;纳米二氧化钛在波长为４２０,４６１,４８５,５３０,５７３和６０９ｎｍ有强发光带,这些发光带分别为自由激子发光、束缚激子发光以及缺陷能级和表面态引起的发光。     

纳米银晶粒镶嵌氧化硅薄膜的光致发光

用SOL GEL法在浮法玻璃表面制备了掺杂纳米银晶粒的二氧化硅薄膜。在室温下测定了其可见光透过率和光致发光谱。研究了样品的光致发光强度与纳米银的掺杂量、镀膜时的提拉速度和热处理温度之间的关系     

镶嵌在SiO2薄膜中的锗纳米晶粒的光致发光

采用６３０ｎｍ波长的激发光在室温下对镶嵌有锗纳米晶的ＳｉＯ２薄膜进行了光致姚研究。在室温下观察到了由于双光子吸收而导致的蓝色荧光峰。按照量子限域理论对所观察到的峰的特征进行了讨论。     

二氧化钛纳米晶的制备及其光致发光的研究

以Ti（SO4）2为前驱体,采用沉淀法制备了二氧化钛纳米晶,通过X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和光致发光（PL）光谱对微晶进行表征。研究表明,制备的TiO2纳米晶呈类球形颗粒且分散性好,平均粒径最小约为4nm,热处理温度升高到750℃时,样品仍为单一的锐钛矿相;PL谱分析表明,室温下,用高于带隙的能量激发,在370～550nm范围内纳米TiO2粒子呈现出强而宽的发光带,分别对应于价带和导带间的电子跃迁以及表面态的发光;另外发现随焙烧温度升高,粒径增大的同时,发光峰的强度呈无规则变化,分析可能与表面态和晶粒内部缺陷的数量有关。     

锐钛矿相TiO2纳米薄膜的制备及光致发光研究

以钛酸四丁酯ETi(O-BU)4]为前驱体,采用溶胶-凝胶法制备了锐钛矿相TiO2纳米薄膜。用X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)光谱分别对不同烧结温度和不同手段(旋转涂敷法与一次摊涂法)制备的TiO2薄膜进行了表征。XRD分析表明TiO2薄膜的锐钛矿相(101)面上具有一定的择优取向。PL分析表明,在室温下,当用260nm激发TiO2薄膜时,在370～500nm范围内呈现出很宽的发光带,其对应着不同的发光中心;此外用545nm激发TiO2薄膜时,在近红外区域内818nm附近处展示出半高宽较宽且强度较强的发光峰。