基于接触式图像传感器的自动光学检测系统研究

为了检测印刷电路板（PCB）通孔的缺陷,提出一种基于接触式图像传感器（CIS）的自动光学检测（AOI）系统。系统采用线性光源从PCB异侧打光的方法来得到均匀的、亮度足够的光线,并使用相关双采样的方式来抑制和消除CIS产生的噪声,在对图像采样、量化后使用特定的补偿因子对CIS上一列光电传感器之间输出值的偏差进行修正。实验表明,本系统工作稳定,成本低廉,能很好地满足工程需求。     

彩色CIS及其同步异拍的采样技术

彩色接触式图像传感器（CIS）是扫描彩色图像的一种扫描器件。本文介绍的彩色CIS及其积蓄时间和信号读取时间同步异拍的采样方式,是目前世界上最先进的一种方法,可以使采样速度提高一倍。     

彩色CIS及其同步异拍的采样技术

彩色接触式图像传感器（CIS）是扫描彩色图像的一种扫描器件。本文介绍的彩色CIS及其积蓄时间和信号读取时间同步异拍的采样方式,是目前世界上最先进的一种方法,可以使采样速度提高一倍。     

基于多CIS的PCB基板缺陷自动光学检测系统

提出一种利用多CIS实现的检测PCB基板缺陷的新方法。采用多条CIS并行工作,并利用EZ-USBFX2作为USB接口控制器,高速地将CIS采集的图像数据向主机传送,应用程序再将得到的PCB图像数据进行处理,从而检测出PCB基板的缺陷。     

低照度CMOS图像传感器设计与实现

设计了一种基于电容反馈跨阻放大器型（Capacitive Trans-impedance Amplifier,CTIA）像元电路与双采样（Delta Double Sampling,DDS）的低照度CMOS图像传感器系统。采用CTIA像元电路提供稳定的光电二极管偏置电压以及高注入效率,完成在低照度情况下对微弱信号的读取;同时采用数字DDS结构,通过在片外实现像元积分信号与复位信号的量化结果在数字域的减法,达到抑制CMOS图像传感器中固定图案噪声的目的,进一步提高低照度CIS的成像质量。基于0.35 m标准CMOS工艺对此基于CTIA像元电路的CMOS图像传感器芯片进行流片,像元阵列为256256,像元尺寸为16 m16 m。测试结果表明该低照度CMOS图像传感器系统可探测到0.05 lx光照条件下的信号。     

接触式图像传感器的发展与应用

CIS（接触式图像传感器）是一种新型图像传感器，它比CCD部件结构更紧凑，体积更小，且价格更低。可广泛用于小型低功耗便携式扫描仪等系统，文中主要介绍了接触式图像传感器的发展现状及应用。     

基于CIS与ARM9的条码图像采集系统

介绍了一种基于接触式图像传感器（Contact Image Sensor,CIS）的条码图像采集系统,实现了图像分辨率的动态可调。系统采用CIS实现行扫描,配合光电旋转编码器及减速电机组成的运动平台完成整幅图像数据的采集。可根据条码尺寸大小动态调整扫描长度,从而减少了大量无用信息的采集。该系统可广泛应用于二维条码识别、纸币序列号识别等各种对图像细节比较苛刻的场合,能够较大地提高识别效率。     

基于FPGA的超长CIS图像采集系统

介绍一种用于印制电路板孔径孔数检测机的新的基于FPGA的超长CIS图像采集系统,该系统由三个CIS（接触式图像传感）,两个A／D（数／模）转换芯片,一片XC866单片机以及一片XC3S200AN FPGA芯片组成。检测长度为60cm,分辨率为400dpi,其特点是成本低,重量轻,图像清晰,检测长度高。     

接触式图像传感器噪声抑制方法研究

介绍了接触式图像传感器(CIS)的简要原理和存在的噪声类型,阐述了用相关双采样来消除这些噪声的机理,分析了CIS要求的驱动信号CP、SP和采样保持信号SH1、SH2之间的时序关系,并用复杂可编程逻辑器件(CPID)来产生这几个信号.分析了相关双采样电路的工作原理,在此基础上进行了实验.实验表明,用相关双采样抑制CIS中的噪声,能够得到较为满意的结果.     

基于CIS的实时图像采集系统

介绍了一种基于接触式图像传感器(Contact Image Sensor,CIS)的实时图像采集系统。该系统采用高速三通道CIS作为图像传感器,并基于SOPC技术,在单片FPGA上实现了对整个系统的软硬件设计,具有集成度高,可靠性强等优点。FPGA主要负责完成CIS的时序驱动和控制、A/D芯片驱动和配置及图像的存储。实验结果表明,该系统较好地实现了CIS的高速图像采集,具有极强的实时性。     

CuInSe_2系粉体材料的研究现状与展望

CuInSe2(简称CIS)及其衍生物因其优良的光伏特性而成为薄膜太阳能电池领域的研究热点。详细介绍了CIS系粉体的各种制备方法与研究进展,评述了各制备工艺的特点;并介绍了CIS系粉体在光电领域的应用情况。总结了CIS系粉体的研究现状,并提出了利用其制备溅射靶材以大幅度改进现有吸收层薄膜制备工艺的思路。     

复杂信息系统支撑平台研究

保障复杂信息系统(CIS)的安全、互操作、可扩展和可管理非常关键。该文提出安全的CIS体系结构模型以指导CIS的建设或改造。模型把CIS划分为不同层次以降低系统复杂度,采用Web Service技术实现互操作和可扩展,使用密码支撑层、安全防护与可靠性支持层在不同层面保证安全性与可靠性。通过系统管理层与各层交互,实现系统的可管理性。某电子政务试点示范工程案例及其网络统计、网络仿真证明模型不会影响业务系统性能。模型适用于政府、军队、银行等高安全级别的信息系统。适当简化模型中相应层次,模型也可用于相对简单的信息系统。     

基于TMS320VC5502的电子耳蜗CIS算法实现

针对电子耳蜗连续交替采样算法（CIS）实现中面临的所需刺激速率高、要求参数调整灵活等问题,提出了一种基于FFT的CIS算法实现方法,设计了一套基于TMS320VC5502的电子耳蜗体外处理器的硬件系统。利用单频信号和实际语音对系统进行了验证,结果表明系统高效地实现了CIS算法,刺激速率达到了8 000次以上,满足电子耳蜗的要求。因此该设计系统有着高灵活性、高实时性和低功耗等特点,对电子耳蜗的研究和工程实现具有一定的指导意义。     

新型接触式图像传感器信号处理技术

接触式图像传感器（ＣＩＳ）是一种新图像传感器。由于ＣＩＳ头比ＣＣＤ部件更紧张,因此可使制成的产品体积更小。本文阐述了ＣＩＳ的特点、基本结构和信号处理技术;介绍了自行研制的ＣＩＳ信号处理系统,并给出了一组信号实测波形。     

具有强大功能的OrCAD Capture CIS软件

OrCAD Capture CIS软件集成了具有器件信息系统(Component Information System,简称CIS)的OrCAD Capture原理图设计应用功能。该软件的设计着重考虑了降低花在查询现有重复采用的器件上面的时间,以及减少手工登记元器件的信息内容和元器件数据库的维护。对元器件的查询是基于它们所拥有的电性能参数,通过采用OrCAD Capture CIS软件可以自动地检索相关联的器件情况。     

Effects of Annealing on Structural and Electrical Properties of CuInSe<Subscript>2</Subscript> Thin Films Prepared by Hybrid Sputtering/Evaporation Processes

CuInSe₂ (CIS)-based absorber layers have been fabricated on soda-lime glass substrates by co-sputtering Cu/In and evaporating Se. The effects of annealing in the Se environment on the structural and electrical properties of the CIS layers were studied. Scanning electron microscopy (SEM) and x-ray diffraction (XRD) were used to investigate the surface morphology and crystal structures of the CIS films, respectively. XRD patterns showed that the CIS films had a single chalcopyrite structure with preferential (112) orientation. The asymmetry of the Se 3d x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) peak for the as-grown films and a separated peak for the annealed films are indications of the existence of two different valence states in the two kinds of CIS films. The electrical properties of the CIS films were studied by the four-probe method and Hall measurements. The results showed that the as-grown films had lower carrier mobility than the annealed films. However, the as-grown films had higher carrier concentration.     

CMOS图像传感器总剂量辐照效应及加固技术研究进展

CMOS图像传感器(CIS)在空间辐射或核辐射环境中应用时,均会受到总剂量辐照损伤的影响,严重时甚至导致器件功能失效.文章从微米、超深亚微米到纳米尺度的不同CIS生产工艺、从3T PD(Photodiode)到4T PPD(Pinned Photodiode)的不同CIS像元结构、从局部氧化物隔离技术(LOCOS)到浅槽隔离(STI)的不同CIS隔离氧化层等方面,综述了CIS总剂量辐照效应研究进展.从CIS器件工艺结构、工作模式和读出电路加固设计等方面简要介绍了CIS抗辐射加固技术研究进展.分析总结了目前CIS总剂量辐照效应及加固技术研究中亟待解决的关键技术问题,为今后深入开展相关研究提供理论指导.     

Properties of the CuInS2 surface and the effect of organic layers

This study is devoted to the properties of the CuInS₂ (CIS) surface and the effect of thin organic layers on them. The CIS layers under study feature photosensitivity in the range of 1.5–3 eV. A quadratic approximation of the long-wavelength edge of a spectral dependence of the photovoltage yields the band gap E _g =1.46±0.02 eV. It is shown that the major contribution to the formation of the barrier near the CIS free surface is made by acceptor levels arranged higher than the CIS valence band top by ～0.1 and ～0.2 eV. As a polymeric layer is deposited onto the CIS free surface, the potential barrier height slightly decreases, while the carrier transport efficiency simultaneously increases. As an organic p-type semiconductor is deposited onto the CIS free surface, trapping centers are partially neutralized, and the carrier recombination rate on the CIS film surface decreases.